一种显示面板及显示面板制程方法与流程

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及显示面板制程方法。

背景技术：

顶发射的有机电致发光二极管(organiclight-emittingdiode,oled)面板，阳极通常采用银(ag)合金，长时间暴露比较容易氧化，通常外围绑定(bonding)区域的pad处，都需要去除ag；对于大尺寸面板来讲，源漏金属通常采用铜(cu)制程，也是比较容易氧化的金属，也不能暴露在外界。

技术实现要素：

本申请实施例提供一种显示面板及显示面板结构制程方法，能够解决绑定区金属容易氧化的问题。

本申请提供一种显示面板，所述显示面板具有像素区和绑定区，所述像素区和所述绑定区相邻设置；所述显示面板包括：

金属层，所述金属层至少部分设置在所述绑定区内，所述金属层包括：

第一子金属层，所述第一子金属层包括相对设置的第一面和第二面；

第二子金属层，所述第二子金属层设置在所述第一面；

第三子金属层，所述第三子金属层设置在所述第二子金属层远离所述第一面的一侧；

其中，所述第一子金属层和所述第三子金属层采用的材料为钼、钛或钼钛合金中的任一种；所述第二子金属层采用的材料为铜。

在一些实施例中，所述显示面板还包括层间绝缘层、钝化层、平坦化层以及像素定义层；所述绑定区的金属层上设置在层间绝缘层上；所述钝化层覆盖所述金属层和所述层间绝缘层；所述平坦化层设置在所述钝化层上；所述像素定义层设置在平坦化层上；

所述钝化层、平坦化层以及像素定义层设置有凹槽，所述凹槽由所述像素定义层远离平坦化层的一侧表面延伸至所述金属层第三子金属层远离所述第一面的一侧表面。

在一些实施例中，所述显示面板还包括导体层；所述像素区的层间绝缘层设置在所述导体层上，所述像素区的层间绝缘层设置有第一接触孔和第二接触孔；所述像素区的金属层图案化后通过所述第一接触孔和第二接触孔与所述导体层连接；所述钝化层覆盖所述金属层和所述层间绝缘层。

在一些实施例中，所述导体层还包括半导体层，所述半导体层位于导体层内，所述半导体层上依次设置有栅极绝缘层和栅极金属层。

在一些实施例中，所述第二子金属层的厚度为至所述第一子金属层和所述第三子金属层的厚度为至

在一些实施例中，所述钝化层和所述层间绝缘层的材料为氧化硅衍生物、氮化硅衍生物或上述材料的组合，所述层间绝缘层的厚度为至所述钝化层的厚度为至

在一些实施例中，所述平坦化层的材料为光阻材料，所述平坦化层的厚度为0.5μm至3μm。

本申请提供一种显示面板制程方法，包括：

提供一第一子金属层，所述第一子金属层包括相对设置的第一面和第二面；

在所述第一面设置第二子金属层；

在所述第二子金属层上设置第三子金属层；

其中，所述第一子金属层、第二子金属层以及第三子金属层形成金属层，所述显示面板具有像素区和绑定区，所述像素区和所述绑定区相邻设置；所述金属层至少部分设置于所述绑定区，所述第一子金属层和所述第三子金属层的材料为钼、钛或钼钛合金中的任一种；所述第二子金属层的材料为铜。

在一些实施例中，所述提供一第一子金属层包括：

沉积导体层，所述导体层沉积于像素区内；

在所述导体层上沉积层间绝缘层；

在所述层间绝缘层上沉积第一子金属层；

所述在所述第一子金属层、第二子金属层以及第三子金属层形成金属层之后，还包括：

在所述金属层上依次沉积钝化层、平坦化层以及像素电极层；

将绑定区内的所述像素电极层全部蚀刻；

完成所述蚀刻后沉积像素定义层；

在所述钝化层、平坦化层以及像素定义层采用黄光或蚀刻的方法设置凹槽，所述凹槽从所述像素定义层表面延伸至所述金属层第三子金属层远离所述第一面的一侧表面。

在一些实施例中，所述在所述导体层上沉积层间绝缘层之后，还包括：在所述像素区的层间绝缘层采用黄光或蚀刻的方法设置第一接触孔和第二接触孔，使所述像素区的金属层通过所述第一接触孔和第二接触孔与所述导体层连接。

本申请实施例所提供的显示面板，该显示面板具有像素区和绑定区，所述像素区和所述绑定区相邻设置。所述显示面板包括：金属层，所述金属层至少部分设置在所述绑定区内，所述金属层包括：第一子金属层，所述第一子金属层包括相对设置的第一面和第二面；第二子金属层，所述第二子金属层设置在所述第一面；第三子金属层，所述第三子金属层设置在所述第二子金属层远离所述第一面的一侧；其中，所述第一子金属层和所述第三子金属层采用的材料为钼、钛或钼钛合金中的任一种；所述第二子金属层采用的材料为铜。本申请实施例提供的显示面板通过在金属铜层上添加一层子金属层结构，对金属铜进行了保护，避免了金属铜的氧化；且通过将绑定区的像素电极层全部蚀刻，使得绑定区没有金属银结构，也避免了金属银的氧化问题。因此，本申请提供的显示面板能够解决绑定区金属外露容易氧化的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的显示面板的示意图。

图2为本申请实施例提供的金属层的结构示意图。

图3为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。

图4为本申请实施例提供的显示面板制程方法的第一种流程图。

图5为本申请实施例提供的显示面板制程方法的第二种流程图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

需要说明的是，在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

本申请实施例提供一种显示面板，以下对显示面板做详细介绍。

请参阅图1，图1是本申请实施例中的显示面板10的示意图。显示面板10具有像素区10a和绑定区10b，像素区10a和绑定区10b相邻设置。

请参阅图2，图2是本申请实施例中的显示面板10中金属层109的结构示意图。其中，显示面板10包括金属层109，金属层109至少部分设置在绑定区10b内，金属层109包括：第一子金属层1091、第二子金属层1092以及第三子金属层1093，第一子金属层1091包括相对设置的第一面1091a和第二面1091b。第二子金属层1092设置在第一面1091a。第三子金属层1093设置在第二子金属层1092远离第一面1091a的一侧。

其中，第一子金属层1091和第三子金属层1093采用的材料为钼(mo)、钛(ti)或钼钛合金(mo-ti)中的任一种；第二子金属层1092采用的材料为铜(cu)。具体地，第一子金属层1091和第三子金属层1093采用的材料为钼钛合金(mo-ti)，第二子金属层1092采用的材料为铜(cu)，形成mo-ti/cu/mo-ti的三层金属层结构。在对像素区10a的第三子金属层1093上的像素电极层进行蚀刻时，第三子金属层1093采用的材料为钼(mo)、钛(ti)或钼钛合金(mo-ti)中的任一种，可以起到抗腐蚀的作用；并且，第三子金属层1093可以对第二子金属层1092进行保护，避免第二子金属层1092的氧化。

其中，第二子金属层1092的厚度为至具体地，第二子金属层1092的厚度可以为或第一子金属层1091和第三子金属层1093的厚度为至具体地，第一子金属层1091和第三子金属层1093的厚度可以为或

需要说明的是，第一面1091a可以为第一子金属层1091的上表面，第二面1091b可以为第一子金属层1091的下表面。当然，第一面1091a也可以为第一子金属层1091的下表面，第二面1091b可以为第一子金属层1091的上表面。本申请实施例中不做特殊说明的情况下，默认为第一面1091a为第一子金属层1091的上表面，第二面1091b为第一子金属层1091的下表面。

本申请实施例提供的显示面板10包括金属层109，金属层109至少部分设置在绑定区10b内，金属层109包括：第一子金属层1091、第二子金属层1092以及第三子金属层1093，第一子金属层1091包括相对设置的第一面1091a和第二面1091b。第二子金属层1092设置在第一面1091a。第三子金属层1093设置在第二子金属层1092远离第一面1091a的一侧。其中，第一子金属层1091和第三子金属层1093采用的材料为钼(mo)、钛(ti)或钼钛合金(mo-ti)中的任一种；第二子金属层1092采用的材料为铜(cu)。通过在第二子金属层1092上设置第三子金属层1093，当对像素区10a的第三子金属层1093上的像素电极层112进行蚀刻时，第三子金属层1093采用为钼(mo)、钛(ti)或钼钛合金(mo-ti)中的任一种材料，可以起到抗腐蚀的作用；并且，第三子金属层1093可以对第二子金属层1092进行保护，避免第二子金属层1092的氧化。

请参阅图3，图3是本申请实施例中的显示面板10的结构示意图。其中，显示面板10还包括玻璃基板101、遮光层102、缓冲层103、半导体层104、导体层105、栅极绝缘层106、栅极金属层107、层间绝缘层108、钝化层110、平坦化层111、像素电极层112、像素定义层113。玻璃基板101上依次沉积有层叠设置的遮光层102、缓冲层103、半导体层104、导体层105、栅极绝缘层106、栅极金属层107、层间绝缘层108、钝化层110、平坦化层111、像素电极层112、像素定义层113。

其中，遮光层102采用的材料为金属或合金。具体地，遮光层102采用的材料可以为钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)或上述金属的合金。遮光层102的厚度为至具体地，遮光层102的厚度可以为或

其中，缓冲层103采用的材料为氧化硅衍生物、氮化硅衍生物或上述材料的组合。缓冲层103的厚度为至具体地，缓冲层103的厚度可以为或

其中，导体层105还包括半导体层104，半导体层104位于导体层105内，半导体层104上依次设置有栅极绝缘层106和栅极金属层107。

其中，半导体层104采用的材料为金属氧化物。具体地，半导体层104采用的材料为铟镓锌氧化物(igzo)、铟锌锡氧化物(izto)、铟镓锌锡氧化物(igzto)、铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、铟铝锌氧化物(iazo)、铟镓锡氧化物(igto)或锑锡氧化物(ato)中的任一种。其中半导体层104和导体层105的厚度为至具体地，半导体层104和导体层105的厚度可以为或

其中，栅极绝缘层106采用的材料为氧化硅衍生物、氮化硅衍生物或上述材料的组合。栅极绝缘层106的厚度为至具体地，栅极绝缘层106的厚度可以为或

其中，栅极金属层107采用的材料可以为钼(mo)、铝铜(cu)、钛(ti)或上述金属的合金。栅极金属层107的厚度为至具体地，栅极金属层107的厚度可以为或

其中，层间绝缘层108采用的材料为氧化硅衍生物、氮化硅衍生物或上述材料的组合。层间绝缘层108的厚度为至具体地，层间绝缘层108的厚度为或像素区10a的层间绝缘层108设置在导体层105上，像素区10a的层间绝缘层108设置有第一接触孔和第二接触孔。

其中，绑定区10b的金属层109设置在层间绝缘层108上且部分覆盖层间绝缘层108；像素区10a的金属层109图案化后通过第一接触孔和第二接触孔与导体层105连接。

其中，钝化层110采用的材料为氧化硅衍生物、氮化硅衍生物或上述材料的组合。钝化层110的厚度为至具体地，钝化层110的厚度可以为或钝化层110覆盖金属层109和层间绝缘层108。绑定区10b的钝化层110、平坦化层111以及像素定义层112设置有凹槽114，凹槽114由像素定义层113远离平坦化层111的一侧表面延伸至金属层109第三子金属层1093远离第一面1091a的一侧表面。

其中，平坦化层111采用的材料为光阻材料。平坦化层111的厚度为0.5μm至3μm。具体地，平坦化层111的厚度可以为0.5μm、1μm、1.5μm、2μm、2.5μm或3μm。

本申请实施例提供的显示面板10包括玻璃基板101、遮光层102、缓冲层103、半导体层104、导体层105、栅极绝缘层106、栅极金属层107、层间绝缘层108、金属层109、钝化层110、平坦化层111、像素电极层112、像素定义层113。其中，金属层109通过设计为三层结构，即在第二子金属层1092上设置第三子金属层1093，当对像素区10a的第三子金属层1093上的像素电极层112进行蚀刻时，第三子金属层1093采用为钼(mo)、钛(ti)或钼钛合金(mo-ti)中的任一种材料，可以起到抗腐蚀的作用；并且，第三子金属层1093可以对第二子金属层1092进行保护，避免第二子金属层1092的氧化。并且绑定区10b没有金属ag结构，也避免了ag的氧化问题。

本申请实施例提供一种显示面板制程方法，以下对显示面板制程方法做详细介绍。请参阅图4，图4是本申请实施例中的显示面板制程方法的第一种流程示意图。

201提供一第一子金属层，第一子金属层包括相对设置的第一面和第二面。

202在第一面设置第二子金属层。

203在第二子金属层上设置第三子金属层。

其中，第一子金属层、第二子金属层以及第三子金属层形成金属层。金属层至少部分设置于绑定区。

本申请实施例提供的显示面板制程方法通过在第二子金属层上设置第三子金属层，当对像素区的第三子金属层上的像素电极层进行蚀刻时，第三子金属层采用为钼(mo)、钛(ti)或钼钛合金(mo-ti)中的任一种材料，可以起到抗腐蚀的作用；并且，第三子金属层可以对第二子金属层进行保护，避免第二子金属层的氧化。

请参阅图5，图5是本申请实施例中的显示面板制程方法的第二种流程示意图。

301提供一玻璃基板，并清洗玻璃基板。

302在玻璃基板上沉积遮光层。

303在玻璃基板和遮光层上沉积缓冲层。

其中，缓冲层覆盖玻璃基板和遮光层。

304在缓冲层上沉积半导体层。

其中，采用黄光或蚀刻的方法在半导体层上制作出图形。

黄光是将硅片等晶片进行涂胶、软烘、曝光、显影、硬烤，使其光刻出一定图形的工艺。蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。在本申请实施例中，可以通过在缓冲层上涂抹半导体层材料，然后通过黄光工艺光刻出半导体层的图形；或将半导体层材料沉积在缓冲层上后，通过蚀刻的方法进行图案化。

305在半导体层上沉积栅极绝缘层。

306在栅极绝缘层上沉积栅极金属层。

其中，采用黄光或蚀刻的方法制作出栅极金属层的图形，再利用栅极金属层图形为自对准，采用黄光或蚀刻的方法制作栅极绝缘层，并将栅极金属层未覆盖的栅极绝缘层全部蚀刻掉。

307对半导体层、栅极绝缘层、栅极金属层进行整面的等离子(plasma)处理。

其中，等离子体(plasma)是由带负电荷的粒子(负离子、电子)、带正电荷的粒子(正离子)和不带电荷的粒子所组成的电离状态的气体物质。通常与物质的固态、液态、气态并列，称为物质的第四态。应用等离子技术，可在半导体层上获得新的表层结构。具体地，对于上方没有栅极绝缘层和栅极金属层保护的半导体层，在等离子处理以后电阻降低，形成导体层；栅极绝缘层下方的半导体层没有被处理到，保持半导体特性，作为薄膜晶体管(tft)沟道。在显示面板中，薄膜晶体管可以被用作开关装置或驱动装置，因此，薄膜晶体管形成沟道可以作为移动电荷载流子的路径沟道。

308在缓冲层、导体层、栅极金属层上沉积层间绝缘层。

其中，在层间绝缘层蚀刻出第一接触孔和第二接触孔。

309在层间绝缘层上沉积金属层。

其中，像素区的金属层图案化后通过设置于层间绝缘层的第一接触孔和第二接触孔与导体层连接。

310在层间绝缘层、金属层上沉积钝化层。

其中，钝化层覆盖金属层和层间绝缘层。

311在钝化层上沉积平坦化层。

其中，采用黄光工艺钝化层、平坦化层做出凹槽。

312在平坦化层上设置像素电极层。

其中，像素区的像素电极层通过像素区的凹槽与金属层连接。像素区的凹槽由平坦化层远离钝化层的一侧表面延伸至金属层第三子金属层远离第一面的一侧表面；将绑定区内的像素电极层全部蚀刻，形成绑定区的凹槽。绑定区的凹槽由像素定义层远离平坦化层的一侧表面延伸至金属层第三子金属层远离第一面的一侧表面。通过将绑定区的像素电极层全部蚀刻，使得绑定区没有金属ag结构，也避免了ag的氧化问题。

313在平坦化层、像素电极层上设置像素定义层。

其中，设置像素定义层之后，在像素区的像素定义层上设置凹槽，沉积阴极层并进行封装。

本申请实施例提供的显示面板制程方法，通过在金属层设置三层结构，即在第二子金属层上设置第三子金属层，当对像素区的第三子金属层上的像素电极层进行蚀刻时，第三子金属层采用为钼(mo)、钛(ti)或钼钛合金(mo-ti)中的任一种材料，可以起到抗腐蚀的作用；并且，第三子金属层可以对第二子金属层进行保护，避免第二子金属层的氧化。

以上对本申请实施例提供的显示面板及显示面板制程方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。