1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底上形成有介质层；
形成通孔于所述介质层中；
形成不完全固化的保护层于所述通孔中，且所述保护层将所述介质层掩埋在内；
采用溶剂去除部分厚度的所述保护层，以使得所述保护层的顶表面不超出所述介质层的顶表面；
形成沟槽于部分厚度的所述介质层中，所述沟槽的底部与所述通孔连通；以及，
去除剩余的所述保护层，以重新暴露出所述沟槽的底部下方的所述通孔。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述介质层与所述衬底之间还形成有刻蚀阻挡层；所述介质层包括自下向上依次形成的第一介质层、第一硬掩膜层、第二介质层和第二硬掩膜层；形成所述通孔于所述介质层中的步骤包括：依次对所述第二硬掩膜层、第二介质层、第一硬掩膜层和第一介质层进行刻蚀，并停止于部分厚度的所述刻蚀阻挡层中，以在所述介质层和部分厚度的所述刻蚀阻挡层中形成所述通孔。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成不完全固化的所述保护层于所述通孔中的步骤包括：首先，填充保护材料于所述通孔中，且所述保护材料将所述介质层掩埋在内；然后，对所述保护材料进行烘烤，使得所述保护材料部分固化，以形成不完全固化的所述保护层。
4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述保护材料包括聚合物。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述聚合物包括甲基丙烯酸树脂、有机硅改性丙烯酸酯树脂、环氧丙烯酸酯树脂、聚氨酯丙烯酸酯树脂、聚酯丙烯酸酯树脂和聚醚丙烯酸酯树脂中的至少一种。
6.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述烘烤的温度为190℃±3℃。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述溶剂包括有机溶剂。
8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述有机溶剂包括丙二醇、乙二醇单乙醚、二甘醇单乙醚、乙二醇单乙醚乙酸酯、丙二醇甲醚和丙二醇甲醚醋酸酯中的至少一种。
9.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述沟槽于部分厚度的所述介质层中的步骤包括：依次对所述通孔侧壁上的所述第二硬掩膜层、第二介质层和第一硬掩膜层以及填充在所述通孔中的部分厚度的所述保护层进行刻蚀，以在所述第二硬掩膜层、第二介质层和第一硬掩膜层中形成底部与所述通孔连通的所述沟槽，且所述保护层保护所述沟槽底部下方的所述通孔不被刻蚀。
10.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，去除剩余的所述保护层之后，还包括：
去除所述通孔底部的刻蚀阻挡层；以及，
填充导电材料于所述通孔和所述沟槽中，以形成导电互连结构。
11.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述衬底上具有层间介质层和形成于所述层间介质层中的金属线，所述导电互连结构与所述金属线电性连接。
12.一种半导体器件，其特征在于，采用如权利要求1至11中任一项所述的半导体器件的制造方法制造。