1.一种钕铁硼磁体材料的原料组合物，其特征在于，以重量百分比计，其包含：
r：28～33wt％；所述r为稀土元素、且包括熔炼用稀土金属r1和晶界扩散用稀土金属r2，所述r2的含量为0.2～1wt％；
所述r1包括nd、且不含rh；
所述r2包括tb；
b：0.9～1.1wt％；
cu：0.15wt％以下、且不为0wt％；
m：0.4wt％以下、且不为0wt％；
所述m为bi、sn、zn、ga、in、au和pb中的一种或多种；
fe：60～70.65wt％；
所述rh为重稀土元素；
所述原料组合物中不含有co；
wt％为各元素占所述原料组合物的质量百分比。
2.如权利要求1所述的原料组合物，其特征在于，所述r的含量范围为29.5～31.5wt％或者29.8～32.8wt％，例如31.2wt％、32.2wt％或30.9wt％，wt％为元素占所述原料组合物的质量百分比；
和/或，所述r1还包括pr、la和ce中的一种或多种；较佳地包括pr；
和/或，所述r2的含量范围为0.2～0.8wt％或者0.5～1wt％，例如0.6wt％、0.9wt％、0.94wt％或0.7wt％，wt％为元素占所述原料组合物的质量百分比；
和/或，所述tb的含量范围为0.5～1wt％，例如0.8wt％、0.6wt％、0.75wt％、0.9wt％或0.7wt％，wt％为元素占所述原料组合物的质量百分比；
和/或，所述r2还包括pr、dy、ho和gd中的一种或多种；
和/或，所述b的含量范围为0.9～0.99wt％或0.98～1.05wt％，例如1wt％、1.02wt％或1.03wt％，wt％为元素占所述原料组合物的质量百分比；
和/或，所述cu的含量范围为0.07～0.15wt％或者0.08wt％以下、且不为0wt％，例如0.12wt％、0.13wt％、0.03wt％、0.05wt％、0.09wt％、0.1wt％或0.07wt％，wt％为元素占所述原料组合物的质量百分比；
和/或，所述cu的添加方式为熔炼和/或晶界扩散时添加，当所述cu在晶界扩散时添加，所述cu以prcu合金的形式添加，所述cu的含量较佳地为0.03～0.15wt％，wt％为元素占所述原料组合物的质量百分比；其中所述cu占所述prcu的百分比为0.1～17wt％；
和/或，所述m的含量为0.05～0.25wt％或者0.1～0.36wt％，例如0.07wt％、0.23wt％、0.24wt％、0.3wt％或0.31wt％，wt％为元素占所述原料组合物的质量百分比；
和/或，所述m为ga、zn和bi中的一种或多种。
3.如权利要求2所述的原料组合物，其特征在于，当所述r1包含pr时，pr的添加形式为以prnd的形式，或者以纯净的pr和nd的混合物的形式，或者以prnd、纯净的pr和nd的混合物形式添加；当以prnd的形式添加时，例如，pr：nd＝25:75或20:80；当以纯净的pr和nd的混合物的形式或以prnd、纯净的pr和nd的混合物形式添加时，所述pr的含量较佳地为0.1～2wt％，例如0.2wt％或者0.5wt％，wt％为元素占所述原料组合物的质量百分比；
和/或，当所述r2包括pr时，所述pr的含量范围为0.2wt％以下、且不为0wt％，例如0.2wt％或者0.1wt％，wt％为元素占所述原料组合物的质量百分比；
和/或，当所述r2包括dy时，所述dy的含量范围为0.3wt％以下、且不为0wt％，例如0.1wt％、0.05wt％或者0.12wt％，wt％为元素占所述原料组合物的质量百分比；
和/或，当所述r2包括ho时，所述ho的含量范围为0.15wt％以下、且不为0wt％，例如0.1wt％或者0.02wt％，wt％为元素占所述原料组合物的质量百分比；
和/或，当所述r2包括gd时，所述gd的含量范围为0.15wt％以下、且不为0wt％，例如0.1wt％或者0.06wt％，wt％为元素占所述原料组合物的质量百分比；
和/或，当所述m包括ga时，所述ga的含量范围为0.02～0.3wt％，较佳地为0.02～0.25wt％或者0.08～0.2wt％，例如0.07wt％，wt％为元素占所述原料组合物的质量百分比；
和/或，当所述m包括zn时，所述zn的含量范围为0～0.25wt％，较佳地为0.01～0.21wt％，例如0.13wt％，wt％为元素占所述原料组合物的质量百分比；
和/或，当所述m包括bi时，所述bi的含量范围为0～0.25wt％，例如0.15wt％或0.22wt％，wt％为元素占所述原料组合物的质量百分比；
和/或，所述原料组合物中还含有al；所述al的含量范围较佳地为0.03wt％以下、且不为0wt％，例如0.01wt％，wt％为元素占所述原料组合物的质量百分比；当所述m包括ga，且ga为0.01wt％以下时，al+ga+cu较佳地为0.15wt％以下、且不为0wt％，例如0.12wt％；更佳地，al+ga+cu为0.11wt％以下、且不为0wt％，例如0.07wt％，wt％为元素占所述原料组合物的质量百分比。
4.一种钕铁硼磁体材料，其特征在于，r：28～33wt％；所述r包括r1和r2，所述r2的含量为0.2～1wt％；所述r1包括nd、且不含rh；
b：0.9～1.1wt％；
cu：0.15wt％以下、且不为0wt％；
m：0.4wt％以下、且不为0wt％；
所述m为bi、sn、zn、ga、in、au和pb中的一种或多种；
fe：60～70.65wt％；
wt％为各元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比；
所述钕铁硼磁体材料中不含有co；
所述钕铁硼磁体材料包含nd2fel4b晶粒和其壳层、邻接所述nd2fel4b晶粒的二颗粒晶界和晶界三角区，r1中的nd分布在所述nd2fel4b晶粒、所述二颗粒晶界和所述晶界三角区；r2主要分布在所述壳层、所述二颗粒晶界和所述晶界三角区；所述晶界三角区的面积占比为2.5～3.5％；所述钕铁硼磁体材料的晶界连续性为97.5％以上。
5.如权利要求4所述的钕铁硼磁体材料，其特征在于，所述二颗粒晶界中还含有化学组成为r85.5～88fe1.5～2.3cu0.9～1.3m8.8～11物相，其中r包括nd和tb，m为bi、sn、zn、ga、in、au和pb中的一种或多种；
和/或，所述晶界三角区面积占比为2.5～3.05％，例如2.85％、2.76％、2.59％、3.01％、2.98％、2.68％、2.77％或2.64％；
和/或，所述晶界连续性为97.5％以上，例如97.88％、98.12％、98.15％、97.93％、97.86％、97.91％、98.01％或98.06％；
和/或，所述r的含量范围为29.5～31.5wt％或者29.8～32.8wt％，例如31.2wt％、32.2wt％或30.9wt％，wt％为元素占所述钕铁硼材料的质量百分比；
和/或，所述r1还包括pr、la和ce中的一种或多种；较佳地包括pr；
和/或，所述r2的含量范围为0.2～0.8wt％或者0.5～1wt％，例如0.6wt％、0.9wt％、0.94wt％或0.7wt％，wt％为元素占所述钕铁硼材料的质量百分比；
和/或，所述tb的含量范围为0.5～1wt％，例如0.8wt％、0.6wt％、0.75wt％、0.9wt％或0.7wt％，wt％为元素占所述钕铁硼材料的质量百分比；
和/或，所述r2还包括pr、dy、ho和gd中的一种或多种；
和/或，所述b的含量范围为0.9～0.99wt％或0.98～1.05wt％，例如1wt％、1.02wt％或1.03wt％，wt％为元素占所述钕铁硼材料的质量百分比；
和/或，所述cu的含量范围为0.07～0.15wt％或者0.08wt％以下、且不为0wt％，例如0.12wt％、0.13wt％、0.03wt％、0.05wt％、0.09wt％、0.1wt％或0.07wt％，wt％为元素占所述钕铁硼材料的质量百分比
和/或，所述cu的添加方式为熔炼和/或晶界扩散时添加，当所述cu在晶界扩散时添加，所述cu以prcu合金的形式添加，所述cu的含量较佳地为0.03～0.15wt％，wt％为元素占所述原料组合物的质量百分比，其中所述cu占所述prcu的百分比为0.1～17wt％；
和/或，所述m的含量为0.05～0.25wt％或者0.1～0.36wt％，例如0.07wt％、0.23wt％、0.24wt％、0.3wt％或0.31wt％，wt％为元素占所述钕铁硼材料的质量百分比；
和/或，所述m为ga、zn和bi中的一种或多种。
6.如权利要求5所述的钕铁硼磁体材料，其特征在于，当所述r1包含pr时，pr的添加形式为以prnd的形式，或者以纯净的pr和nd的混合物的形式，或者以prnd、纯净的pr和nd的混合物形式添加；当以prnd的形式添加时，例如，pr：nd＝25:75或20:80；当以纯净的pr和nd的混合物的形式或以prnd、纯净的pr和nd的混合物形式添加时，所述pr的含量较佳地为0.1～2wt％，例如0.2wt％或者0.5wt％，wt％为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比；
和/或，当所述r2包括pr时，所述pr的含量范围为0.2wt％以下、且不为0wt％，例如0.2wt％或者0.1wt％，wt％为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比；
和/或，当所述r2包括dy时，所述dy的含量范围为0.3wt％以下、且不为0wt％，例如0.1wt％、0.05wt％或者0.12wt％，wt％为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比；
和/或，当所述r2包括ho时，所述ho的含量范围为0.15wt％以下、且不为0wt％，例如0.1wt％或者0.02wt％，wt％为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比；
和/或，当所述r2包括gd时，所述gd的含量范围为0.15wt％以下、且不为0wt％，例如0.1wt％或者0.06wt％，wt％为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比；
和/或，当所述m包括ga时，所述ga的含量范围为0.02～0.3wt％，较佳地为0.02～0.25wt％或者0.08～0.2wt％，例如0.07wt％，wt％为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比；
和/或，当所述m包括zn时，所述zn的含量范围为0～0.25wt％，较佳地为0.01～0.21wt％，例如0.13wt％，wt％为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比；
和/或，当所述m包括bi时，所述bi的含量范围为0～0.25wt％，例如0.15wt％或0.22wt％，wt％为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比；
和/或，所述钕铁硼磁体材料中还含有al；所述al的含量范围较佳地为0.03wt％以下、且不为0wt％，例如0.01wt％，wt％为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比；当所述m包括ga，且ga为0.01wt％以下时，al+ga+cu较佳地为0.15wt％以下、且不为0wt％，例如0.12wt％；更佳地，al+ga+cu为0.11wt％以下、且不为0wt％，例如0.07wt％，wt％为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比；
和/或，所述r85.5～88fe1.5～2.3cu0.9～1.3m8.8～11物相在所述二颗粒晶界中的面积占比为0.25～1.7％，例如1.54％、0.28％、0.33％、0.66％、1.36％、0.75％、0.84％和0.57％。
7.一种钕铁硼磁体材料的制备方法，其特征在于，其采用如权利要求1～3任意一项所述的原料组合物进行，所述制备方法为扩散制法，所述r1元素在熔炼步骤中添加，所述r2元素在晶界扩散步骤中添加。
8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：将所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中除r2以外的元素经熔炼、制粉、成型、烧结得烧结体，再将所述的烧结体与所述r2的混合物经晶界扩散即可；
所述熔炼的温度较佳地为1300～1700℃，更佳地为1450～1550℃，例如1500℃；
所述制粉较佳地包括氢破制粉和/或气流磨制粉，所述气流磨制粉较佳地在0.1～2mpa，更佳地在0.5～0.7mpa的条件下进行气流磨制粉；
当所述r2还包含pr时，较佳地，pr以prcu合金的形式添加；
当所述r2包含pr且pr以prcu合金的形式参与晶界扩散时，较佳地，所述cu的添加方式为熔炼和/或晶界扩散时添加。
9.一种如权利要求7或8的制备方法制得的钕铁硼磁体材料。
10.一种如权利要求4～6和9任意一项所述的钕铁硼磁体材料在制备磁钢中的应用；所述磁钢较佳地为54sh和/或52uh高性能磁钢。