线圈组件的制作方法

本申请要求于2019年11月7日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0141730号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

本公开涉及一种线圈组件。

背景技术：

电感器(一种线圈组件)以及电阻器和电容器是在电子装置中使用的典型无源电子组件。

随着电子装置在小型化的同时变得越来越高性能，电子装置中使用的线圈组件的数量增加并且线圈组件变小。

此外，功率电感器可能被设计为使得磁通量在比覆盖部窄的芯部中以及在通路孔周围的线圈部的匝数更大的部分中集中。在这种情况下，可通过磁通量集中的部分的结构改善来优化磁通量的流动，从而进一步增加相同体积中的主体的电感容量。

技术实现要素：

本公开的一方面在于提供一种优化了磁通量的流动以减轻磁通量集中的线圈组件。

本公开的另一方面在于提供一种在相同体积中具有改善的主体的电感容量的线圈组件。

根据本公开的一方面，一种线圈组件可包括：主体；以及线圈部，嵌入所述主体内，并具有绕轴缠绕的多个匝。所述多个匝中的每个匝可包括与所述主体的拐角相邻的多个拐角部以及使所述多个拐角部中的相邻拐角部连接的至少一个连接部，并且对于所述多个匝中的最内匝和与所述最内匝相邻的匝之间的沿轴向测量的高度差，在所述拐角部中的高度差大于在所述连接部中的高度差。

根据本公开的另一方面，一种线圈组件可包括：支撑基板；主体，所述支撑基板嵌入所述主体中；以及线圈部，设置在所述支撑基板上并具有多个匝。所述线圈部具有第一区域和第二区域，所述第二区域的曲率半径大于所述第一区域的曲率半径，并且对于所述多个匝中的最内匝和与所述最内匝相邻的匝之间的高度差，在所述第一区域中的高度差大于在所述第二区域中的高度差。

根据本公开的另一方面，一种线圈组件可包括：主体；以及线圈部，嵌入所述主体中并具有多个匝，所述多个匝绕穿过所述线圈部的中心延伸的轴缠绕。所述主体包括第一边缘和第二边缘，所述第一边缘设置在所述线圈部与所述主体的第一外表面之间，所述第二边缘设置在所述线圈部与所述主体的第二外表面之间，所述第二外表面在与所述轴垂直的宽度方向上与所述第一外表面相对。在所述线圈部的所述中心与所述第一边缘部之间的所述线圈部的匝数大于在所述线圈部的所述中心与所述第二边缘部之间的所述线圈部的匝数，并且所述第一边缘部的在所述宽度方向上的宽度大于所述第二边缘部的在所述宽度方向上的宽度。

根据本公开的另一方面，一种线圈组件可包括：主体；以及线圈部，嵌入所述主体中并具有绕轴缠绕的多个匝。所述多个匝中的每个包括与所述主体的拐角相邻的多个拐角部以及使所述多个拐角部中的相邻拐角部连接的至少一个连接部，并且对于在所述多个匝中的一个匝的在轴向上测量的高度，在所述多个拐角部中的每个中的高度低于在所述连接部中的高度。

附图说明

通过下面结合附图的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：

图1是示意性地示出根据本公开的第一实施例的线圈组件的透视图。

图2是沿图1的线a-a'截取的示意性截面图。

图3是沿图2的线i-i'截取的示意性截面图。

图4是沿图2的线ii-ii'截取的示意性截面图。

图5是沿图2的线iii-iii'截取的示意性截面图。

图6是示意性地示出根据本公开的第二实施例的线圈组件的透视图。

图7是沿图6的线b-b'截取的示意性截面图。

图8是沿图7的线i-i'截取的示意性截面图。

图9是沿图7的线ii-ii'截取的示意性截面图。

图10是沿图7的线iii-iii'截取的示意性截面图。

具体实施方式

在本公开的描述中使用的术语用于描述具体实施例，并且不意在限制本公开。除非另外指出，否则单数术语可包括复数形式。本公开的描述中的术语“包括”、“包含”、“被构造为”等用于表示特征、数量、步骤、操作、元件、部件或它们的组合的存在，并且不排除组合或添加一个或更多个附加特征、数量、步骤、操作、元件、部件或它们的组合的可能性。另外，术语“设置在……上”、“放置在……上”等可表示元件放置在对象的上方或下方，并且不一定意为元件相对于重力方向放置在对象的上方。

术语“结合到”、“组合到”等不仅可表示元件彼此直接接触且物理地接触，而且包括其中另一组件介于这些元件之间使得这些元件也与所述另一组件接触的构造。

为了便于描述，将附图中示出的元件的尺寸和厚度表示为示例，并且本公开不限于此。

在附图中，x方向是第一方向或长度方向l，y方向是第二方向或宽度方向w，并且z方向是第三方向或厚度方向t。

在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的实施例的线圈组件。参照附图、相同或相应的组件可由相同的附图标记表示，并且将省略重复的描述。

在电子装置中，可使用各种类型的电子组件，并且可在电子组件之间使用各种类型的线圈组件以去除噪声或用于其他目的。

换句话说，在电子装置中，线圈组件可用作功率电感器、高频(hf)电感器、普通磁珠、高频(ghz)磁珠、共模滤波器等。

第一实施例

图1是示意性地示出根据本公开的第一实施例的线圈组件的透视图。图2是沿图1的线a-a'截取的示意性截面图。图3是沿图2的线i-i'截取的示意性截面图。图4是沿图2的线ii-ii'截取的示意性截面图。图5是沿图2的线iii-iii'截取的示意性截面图。

参照图1至图5，根据本公开的第一实施例的线圈组件1000可包括主体100、支撑基板200、线圈部310和320、引出部410和420以及外电极510和520。

主体100可形成根据本实施例的线圈组件1000的外部，并且可将线圈部310和320嵌入其中。

主体100可整体上形成为具有六面体形状。

参照图1和图2，主体100可包括在长度方向x上彼此相对的第一表面101和第二表面102、在宽度方向y上彼此相对的第三表面103和第四表面104以及在厚度方向z上彼此相对的第五表面105和第六表面106。在下文中，主体100的一个侧表面和另一侧表面可分别指主体的第一表面101和第二表面102，主体100的一个端表面和另一端表面可分别指主体的第三表面103和第四表面104。另外，主体100的一个表面和另一表面可分别指主体100的第六表面106和第五表面105。

主体100可形成为使得根据本实施例的形成有稍后将描述的外电极510和520的线圈组件1000的长度为1.0mm，宽度为0.5mm，且厚度为0.8mm，但不限于此。上述数值可以是不反映工艺误差等的仅用于设计的数值，并且其他数值应被认为落入就识别工艺误差的程度来说的本公开的范围内。

主体100可包括穿过线圈部310和320以及支撑基板200(将在后面进行描述)的芯部120。可通过用磁性复合片填充线圈部310和320的通孔(未示出)来形成芯部120，但是不限于此。

在本实施例中，主体100可包括其中设置有稍后将描述的线圈部310和320的有效部a以及设置在有效部a上的覆盖部c1或c2。参照图3和图5，有效部a可指其中线圈部310和320的多个匝中的最内匝3101基于主体100的厚度方向z设置的区域。例如，有效部a可对应于其中将支撑基板200的厚度和设置在支撑基板200的两个表面上的最内匝3101的厚度加在一起的区域。参照图4，有效部a可指其中线圈部310和320的多个匝中的中间匝3102基于主体100的厚度方向z设置的区域。参照图3至图5，覆盖部c1和c2可指基于主体100的厚度方向设置在有效部a上方或下方的区域。

参照图2至图5，主体100可包括在宽度方向y上彼此相对并且设置在主体100的外表面与线圈部310和320之间的第一边缘部ma和第二边缘部mb。

线圈部310和320的更大量的匝可以为线圈组件提供更大的饱和磁化值。此外，为了为由线圈部310和320的一侧上的相对大量的匝产生的磁通量提供磁路径，相对于流经第二边缘部mb(与相对少量的线圈匝相邻)的磁通量密度，在第一边缘部ma(与相对大量的线圈匝相邻)中的磁性主体的宽度或面积可增加，以尽可能均匀地形成总磁通量密度。参照图4，第一边缘部ma在宽度方向y上的宽度(a)可比第二边缘部mb在宽度方向y上的宽度(b)长。作为非限制性示例，第一边缘部ma在宽度方向y上的宽度(a)可以是第二边缘部mb在宽度方向y上的宽度(b)的大于或等于1.2倍且小于或等于2倍。当宽度(a)小于宽度(b)的1.2倍时，可能无法充分解决具有相对大量匝的区域中的磁通量集中现象。当宽度(a)大于宽度(b)的2倍时，在具有相对大量匝的区域中由磁性材料占据的区域可能过度扩大，并且线圈组件的总磁通密度可能不平衡。

第一边缘部ma和第二边缘部mb可在分别切割线圈组件1000之前在线圈组件的设计操作期间形成。例如，可改变与芯部120(例如，中央部分)对应的区域的位置，以进一步增大具有相对大量匝的第一边缘部ma的区域在宽度方向y上的宽度(a)。例如，在其中在芯部120的第一侧上的匝数大于芯部120的与第一侧相对的第二侧上的匝数的线圈中，芯部120的第一侧上的第一边缘部ma的宽度(a)可比第二侧上的第二边缘部mb的宽度(b)大。

主体100可包括磁性材料和树脂。结果，主体100可以是磁性的。可通过堆叠包括树脂和分散在树脂中的磁性材料的至少一个磁性复合片来形成主体100。主体100可具有除了磁性材料可分散在树脂中的结构以外的结构。例如，主体100可利用诸如铁氧体的磁性材料制成。

磁性材料可以是例如铁氧体粉末颗粒或磁性金属粉末颗粒。

铁氧体粉末颗粒的示例可包括尖晶石型铁氧体(诸如mg-zn基铁氧体、mn-zn基铁氧体、mn-mg基铁氧体、cu-zn基铁氧体、mg-mn-sr基铁氧体、ni-zn基铁氧体等)、六角形铁氧体(ba-zn基铁氧体、ba-mg基铁氧体、ba-ni基铁氧体、ba-co基铁氧体、ba-ni-co基铁氧体等)、石榴石型铁氧体(诸如y基铁氧体等)以及li基铁氧体中的至少一种。

磁性金属粉末颗粒可包括从由铁(fe)、硅(si)、铬(cr)、钴(co)、钼(mo)、铝(al)、铌(nb)、铜(cu)和镍(ni)组成的组中选择的一种或更多种。例如，磁性金属粉末颗粒可以是纯铁粉末、fe-si基合金粉末、fe-si-al基合金粉末、fe-ni基合金粉末、fe-ni-mo基合金粉末、fe-ni-mo-cu基合金粉末、fe-co基合金粉末、fe-ni-co基合金粉末、fe-cr基合金粉末、fe-cr-si基合金粉末、fe-si-cu-nb基合金粉末、fe-ni-cr基合金粉末和fe-cr-al基合金粉末中的至少一种。

金属磁性材料可以是非晶的或结晶的。例如，磁性金属粉末颗粒可以是fe-si-b-cr基非晶合金粉末，但不限于此。

铁氧体粉末和磁性金属粉末颗粒可分别具有约0.1μm至约30μm的平均直径，但不限于此。

主体100可包括分散在树脂中的两种或更多种类型的磁性材料。在这种情况下，术语“不同类型的磁性材料”是指分散在树脂中的磁性材料通过平均直径、组成、结晶度和形状彼此区分开。

树脂可以以单一形式或组合形式包括环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物等，但不限于此。

支撑基板200可嵌入在主体100中以支撑稍后将描述的线圈部310和320。支撑基板200可利用包括热固性绝缘树脂(诸如环氧树脂)、热塑性绝缘树脂(诸如聚酰亚胺)或感光绝缘树脂的绝缘材料形成，或者可利用其中用这样的绝缘树脂浸渍诸如玻璃纤维或无机填料的增强材料的绝缘材料形成。例如，支撑基板200可利用诸如半固化片、味之素堆积膜(abf，ajinomotobuild-upfilm)、fr-4、双马来酰亚胺三嗪(bt)树脂、感光电介质(pid)、覆铜层压板(ccl)等的绝缘材料形成，但不限于此。

可使用从由二氧化硅(sio2)、氧化铝(al2o3)、碳化硅(sic)、硫酸钡(baso4)、滑石、泥土、云母粉末、氢氧化铝(al(oh)3)、氢氧化镁(mg(oh)2)、碳酸钙(caco3)、碳酸镁(mgco3)、氧化镁(mgo)、氮化硼(bn)、硼酸铝(albo3)、钛酸钡(batio3)和锆酸钙(cazro3)组成的组中选择的至少一种作为无机填料。

当支撑基板200利用包括增强材料的绝缘材料形成时，支撑基板200可提供更好的刚度。当支撑基板200利用不包含玻璃纤维的绝缘材料形成时，支撑基板200可更厚并且因此可总体上减小线圈部310和320的厚度，以减小根据本实施例的线圈组件1000的厚度。

线圈部310和320可嵌入主体100中，并且可设置在支撑基板200的一个表面和与所述一个表面相对的另一表面上，以显示线圈组件的特性。例如，当本实施例的线圈组件1000用作功率电感器时，线圈部310和320可通过存储电场作为磁场并保持输出电压来用于使电子装置的电源稳定。

在本实施例中，线圈部310和320可包括设置在支撑基板200的相应相对表面上的第一线圈部310和第二线圈部320。第一线圈部310可设置在支撑基板200的一个表面上，以与设置在支撑基板200的与所述一个表面相对的另一表面上的第二线圈部320相对。第一线圈部310和第二线圈部320可通过穿过支撑基板200的通路孔110彼此电连接。第一线圈部310和第二线圈部320中的每个可具有其中围绕芯部120形成至少一匝的平面螺旋形状。例如，第一线圈部310可在支撑基板200的一个表面上围绕芯部120的轴形成至少一匝。

参照图2至图5，线圈部310和320可各自具有多个匝，所述多个匝包括与主体100的外表面相邻的最外匝3103、与主体100的中央部分相邻的最内匝3101以及设置在最内匝3101和最外匝3103之间的一个或更多个中间匝3102。参照图2，多个匝中的每个匝可包括：多个拐角部3111、3112、3113和3114，布置成分别面对主体100的拐角(例如，均与主体的相应拐角相邻布置)；以及连接部3121、3122、3123和3124，用于使多个拐角部中的相邻拐角部3111、3112、3113和3114连接。详细地，线圈部310和320可被划分为四个拐角部3111、3112、3113和3114以及四个连接部3121、3122、3123和3124，四个拐角部3111、3112、3113和3114对应于主体100的拐角并且分别面对主体100的拐角(或与主体100的拐角相邻)，并且四个连接部3121、3122、3123和3124用于使多个拐角部中的相邻拐角部3111、3112、3113和3114之间的空间连接。参照图2，由于线圈部310和320具有平面螺旋形状，因此线圈部310和320可被划分为第一区域3111、3112、3122、3113、3114和3124以及第二区域3121和3123，第二区域3121和3123的曲率半径分别大于第一区域3111、3112、3122、3113、3114和3124中的每个的曲率半径。

参照图2和图3，在拐角部3111、3112、3113和3114中的多个匝中的最内匝3101和与最内匝3101相邻的匝3102之间的高度差(h1)(例如，如图3和图5中所示)可大于在连接部3121、3122、3123和3124中的多个匝中的最内匝3101和与最内匝3101相邻的匝3102之间的高度差(例如，如图4中所示)。具体地，参照图3和图5，拐角部3111、3112、3113和3114中的每个中的中间匝3102的高度可高于拐角部3111、3112、3113和3114中的每个中的最内匝3101的高度。参照图2和图4，在连接部3121、3122、3123和3124中，最内匝3101的高度可等于与最内匝3101相邻的中间匝3102的高度。参照图1和图2，第一区域3111、3112、3122、3113、3114和3124可被划分为被布置为面对主体100的拐角的区域3111、3112、3113和3114以及被布置为与主体100的两个侧表面101和102相邻的区域3122和3124。在这种情况下，在第一区域3111、3112、3122、3113、3114和3124中，被布置为面对主体100的拐角的区域3111、3112、3113和3114中的最内匝3101和与最内匝3101相邻的匝3102之间的高度差(h1)可能特别大。

结果，参照图2至图5，主体100的设置在拐角部3111、3112、3113和3114上的覆盖部c1的部分的厚度可厚于主体100的设置在连接部3121、3122、3123和3124上的覆盖部c2的部分的厚度。例如，覆盖部c1的与布置为面对主体100的角部的区域(例如3111、3112、3113和3114)对应的部分的厚度可以厚于与除了布置为面对主体100的角部的区域之外的区域(例如，3121、3122、3123和3124)对应的部分的厚度。例如，与图4中所示的覆盖部c2的厚度相比，图3和图5中所示的覆盖部c1的厚度可通过最内匝3101和中间匝3102之间的高度差(h1)来增大。

可以是线圈组件1000的主要特性之一的直流(dc)电阻(rdc)特性可随着线圈部310和320的高度增加而降低。此外，随着主体100中的磁通量穿过的磁性主体的面积(例如，有效磁性主体面积)增加，电感可增大。因此，能够通过增加磁性材料所占据的有效磁性主体面积同时增加线圈部310和320的高度来降低dc电阻rdc并改善电感。

通常，在从线圈部310和320产生的磁通量的流动中，磁通量集中现象被示出为特别容易发生在与最内匝3101相邻的芯部120附近。随着线圈组件1000的尺寸变小并且线圈组件1000的厚度变薄，磁通量集中现象可能增加。

由于线圈部310和320具有螺旋形状，因此可在主体100的拐角周围相对增大磁通量穿过的磁性主体面积。结果，可能出现主体100的芯部120和主体100的拐角之间的磁通量密度的差，从而导致线圈组件1000中的总磁通量不平衡。

在本实施例中，可降低在线圈部310和320中面对主体100的拐角布置的最内匝3101的高度，以在不增加线圈组件1000的尺寸的情况下优化磁通量并改善电感特性。

引出部410和420可分别连接到线圈部320和310的一个端部和另一端部，并且可分别从主体100的第一表面101和第二表面102暴露。引出部410和420可包括设置在支撑基板200的另一表面上的第一引出部410和设置在支撑基板200的一个表面上的第二引出部420。

参照图1，形成在支撑基板200的一个表面上的第一线圈部310的端部可延伸以形成第二引出部420，并且第二引出部420可从主体100的第二表面102暴露。另外，第二线圈部320的端部可在支撑基板200的与支撑基板200的一个表面相对的另一表面上延伸，以形成第一引出部410，并且第一引出部410可从主体100的第一表面101暴露。

引出部410和420可包括分别设置在支撑基板200的另一表面和一个表面上的多个连接导体，以分别使引出部410和420以及线圈部320和310连接。多个连接导体可形成为彼此间隔开。由于主体100填充在彼此间隔开的连接导体之间的内部空间中，因此可进一步改善主体100与整个线圈部310和320之间的结合力，并且可提高电感容量。

第一线圈部310和第二引出部420可整体地形成，使得在它们之间不形成边界，但仅是示例性的。因此，在不同阶段形成边界的情况下，上述构造不排除在本公开的范围之外。在本实施例中，为了方便起见，描述了第一线圈部310和第二引出部420，但是相同的描述可应用于第二线圈部320和第一引出部410。

第一线圈部310、第二引出部420和通路孔110中的至少一个可包括至少一个导电层。

例如，当通过镀覆工艺在支撑基板200的一个表面上形成第一线圈部310、第二引出部420和通路孔110时，第一线圈部310、第二引出部420和通路孔110中的每个可包括种子层和电镀层。可通过无电镀工艺或通过诸如溅射工艺的气相沉积工艺来形成种子层。种子层通常可沿着第一线圈部310的形状形成。种子层的厚度不受限制，但是可比电镀层薄。接下来，可将电镀层设置在种子层上。作为非限制性示例，可使用电镀工艺来形成电镀层。种子层和电镀层可具有单层结构或多层结构。多层结构的电镀层可形成为其中一个电镀层可被另一电镀层覆盖的共形膜结构，并且可仅形成为其中另一电镀层堆叠在任意一个电镀层的一个表面上的结构。

第一线圈部310的种子层和通路孔110的种子层可整体地形成以便在它们之间不形成边界，但是不限于此。

第一线圈部310、第二引出部420和通路孔110中的每个的种子层和镀层可利用诸如铜(cu)、铝(al)、银(ag)、锡(sn)、金(au)、镍(ni)、铅(pb)、钛(ti)、钼(mo)或它们的合金的导电材料形成，但不限于此。

参照图2至图5，绝缘体600可设置在线圈部310和320中的每个与主体100之间。在本实施例中，由于主体100包括磁性金属粉末，因此绝缘体600可设置在线圈部310与320和主体100之间以使线圈部310和320绝缘。

作为示例，为了实现具有相对高的高宽比的线圈部310和320，绝缘体600可用作镀覆生长引导物，以调节线圈部310和320的形状并改善dc电阻特性rdc。

在将上述种子层附着到支撑基板200之后，可将绝缘体600设置在支撑基板200上以具有壁形状。此后，可使用种子层通过电镀工艺形成具有镀层的线圈部310和320。绝缘体600可利用包括环氧基树脂的树脂制成，并且可使用一种或更多种环氧类树脂。

作为另一示例，但不限于此，绝缘体600可利用可在去除感光树脂之后填充的绝缘材料制成。具体地，在形成第一线圈部310之后，可通过剥离剂去除形成在第一线圈部310之间(例如，第一线圈部310的绕组之间)的感光树脂，并且可在已经去除了第一线圈部310之间的感光树脂的空间中填充绝缘材料。另外，第一线圈部310可利用这种绝缘材料围绕。因此，覆盖第一线圈部310的绝缘材料和第一线圈部310的绕组之间的绝缘材料可整体地形成。绝缘体600可利用例如相对薄的聚对二甲苯膜形成，但是本公开不限于此，并且也可通过使用树脂的喷涂工艺来形成。

外电极510和520可分别覆盖引出部410和420。当根据本实施例的线圈组件1000安装在印刷电路板上时，线圈组件1000可电连接到印刷电路板。例如，根据本实施例的线圈组件1000可被安装为使得主体100的第六表面106面对印刷电路板的上表面。由于外电极510和520被安装在主体100的第六表面106上或延伸到主体100的第六表面106以彼此间隔开，因此可电连接印刷电路板的连接部。

外电极510和520可包括导电树脂层和电镀层中的至少一种。可通过在主体100的表面上印刷导电膏并使导电膏固化来形成导电树脂层。导电膏可包括从由铜(cu)、镍(ni)和银(ag)组成的组中选择的任何一种或更多种导电金属以及热固性树脂。电镀层可包括从由镍(ni)、铜(cu)和锡(sn)组成的组中选择的任何一种或更多种。在本实施例中，外电极510和520中的每个可包括：第一层(未示出)，形成在主体100的表面上以直接接触引出部410和420；以及第二层(未示出)，设置在第一层(未示出)上。例如，第一层(未示出)可以是镍(ni)镀层，并且第二层(未示出)可以是锡(sn)镀层，但不限于此。

第二实施例

图6是示意性地示出根据本公开的第二实施例的线圈组件的透视图。图7是沿图6的线b-b'截取的示意性截面图。图8是沿图7的线i-i'截取的示意性截面图。图9是沿图7的线ii-ii'截取的示意性截面图。图10是沿图7的线iii-iii'截取的示意性截面图。

当分别比较图1和图6、图2和图7、图3和图8、图4和图9以及图5和10时，例如，当将根据第一实施例的线圈组件1000与根据本实施例的线圈组件2000进行比较时，最外匝3103的拐角部3111、3112、3113和3114的高度不同。因此，将相对于本实施例仅描述可与本公开的第一实施例不同的最外匝3103的拐角部3111、3112、3113和3114的高度。本实施例的其余构造可按照本公开的第一实施例中的原样应用。

参照图8和图10，最外匝3103的拐角部3111、3112、3113和3114中的每个的高度可高于中间匝3102的拐角部3111、3112、3113和3114中的每个的高度。如上所述，当更靠近最内匝3101时，可能产生相对大量的磁通量集中现象。在本实施例中，可形成最内匝3101、中间匝3102和最外匝3103，以便具有增加的高度以增大线圈部310和320通过的磁通量面积。因此，可减轻磁通量集中现象。

此外，具有从最内匝3101朝向中间匝3102和最外匝3103依次增加的高度的线圈部310和320可仅布置在拐角部3111、3112、3113和3114处。结果，可进一步减轻芯部120的外围区域和主体100的拐角之间的磁通量密度偏差。另外，拐角部3111、3112、3113和3114中的中间匝3102的高度可等于连接部3121、3122、3123和3124中的中间匝3102的高度。

本公开不由上述实施例和附图限制。因此，本领域技术人员可在不脱离权利要求中描述的本公开的技术精神的情况下进行各种形式的替换、修改和变更，这也可在本公开的范围内。

在本公开中使用的表述“实施例”并不意味着相同的实施例，而是可被提供以分别强调不同的独特特征。然而，以上实施例的描述不排除包括各个示例之间的特征的组合的实施方式。例如，除非存在与另一实施例中的描述矛盾的描述，否则即使可能在另一实施例中未描述在一个特定实施例中描述的内容，也可将其理解为与另一实施例相关的描述。

此外，这里使用的术语仅出于描述实施例的目的，并且可不意在限制本公开。除非上下文另外明确指出，否则如这里所使用的，单数形式包括复数形式。

根据本公开，可提供一种能够在相同体积中减轻磁通量集中并改善电感特性的线圈组件。

尽管上面已经示出和描述了示例实施例，但是对于本领域技术人员将明显的是，可在不脱离本公开的由所附权利要求限定的范围的情况下进行修改和改变。