显示基板及其制备方法和显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法和显示装置。

背景技术：

相关技术中，有机电致发光显示装置包括顶发光结构和底发光结构。其中，顶发光结构需要透明阴极或者半透明阴极。然而，对于大尺寸(例如14英寸以上)显示装置而言，会因透明阴极的高电阻或半透明阴极的低厚度均一性问题，出现电压降(irdrop)，导致显示均匀性较差。为了解决上述问题，相关技术中采用辅助阴极与阴极电连接，以降低阴极的电阻。但是，如何减小辅助阴极与阴极的接触电阻是需要解决的一个技术问题。

技术实现要素：

本发明提供一种显示基板及其制备方法和显示装置，以解决相关技术中的不足。

根据本发明实施例的第一方面，提供一种显示基板，包括至少一个像素，所述显示基板还包括：

衬底；

第一辅助电极，位于所述衬底上；

第二辅助电极，位于所述第一辅助电极上，且与所述第一辅助电极连接，所述第二辅助电极包括第一导电层、第二导电层与隔断层，所述第一导电层位于所述第一辅助电极远离所述衬底的一侧，所述第二导电层位于所述第一导电层远离所述衬底的一侧，所述隔断层位于所述第二导电层远离所述衬底的一侧，所述第二导电层在所述衬底上的投影位于所述第一导电层在所述衬底上的投影内，且位于所述隔断层在所述衬底上的投影内；

第一电极，与所述第二辅助电极连接，所述第一电极包括第一导电部与第二导电部，所述第二导电部与所述第一导电部连接，所述第一导电部位于所述第一导电层上，且沿所述第一导电层远离所述衬底的表面延伸，所述第二导电部与所述第二导电层的侧面接触，且沿所述第二导电层的侧面延伸，所述第一电极为所述像素的阴极。

在一个实施例中，所述第二辅助电极还包括：有机层，所述有机层位于所述第二导电层与所述隔断层之间，所述有机层在所述衬底上的投影位于所述第一导电层在所述衬底上的投影内，且位于所述隔断层在所述衬底上的投影内。

在一个实施例中，所述第二导电层的厚度与所述有机层的厚度之和大于1微米。

在一个实施例中，所述有机层的厚度为1微米～2微米。

在一个实施例中，所述隔断层在所述衬底上的投影的外缘与所述有机层在所述衬底上的投影的外缘之间的间距为0.5微米～0.6微米。

在一个实施例中，所述的显示基板，还包括：绝缘层，所述绝缘层位于所述第一辅助电极远离所述衬底的一侧；所述第二辅助电极位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧，且通过贯穿所述绝缘层的第一过孔与所述第一辅助电极连接。

在一个实施例中，所述的显示基板还包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述衬底与所述绝缘层之间。

在一个实施例中，所述的显示基板还包括：第二电极，所述第二电极位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧，且通过贯穿所述绝缘层的第二过孔与所述薄膜晶体管连接，所述第二电极为所述像素的阳极。

在一个实施例中，所述第二电极包括第四导电层、第五导电层与第六导电层。所述第四导电层位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧；所述第五导电层位于所述第四导电层远离所述衬底的一侧；所述第六导电层位于所述第五导电层远离所述衬底的一侧，所述第五导电层在所述衬底上的投影位于所述第四导电层在所述衬底上的投影内，且位于所述第六导电层在所述衬底上的投影内。

在一个实施例中，所述第四导电层与所述第一导电层同层，且所述第四导电层的材料与所述第一导电层的材料相同；所述第五导电层与所述第二导电层同层，且所述第五导电层的材料与所述第二导电层的材料相同；所述隔断层的材料与所述第六导电层的材料相同。

在一个实施例中，所述第二导电层的材料为铝钕合金或钼，所述第二导电层的厚度为3000埃米～6000埃米；所述第六导电层的材料为氧化铟锡，所述第六导电层的厚度为120埃米～700埃米。

在一个实施例中，所述的显示基板，还包括像素界定层与有机发光材料层，像素界定层位于所述第一导电层与所述第四导电层上；所述像素界定层上包括第一开口与第二开口，所述第一开口用于暴露所述第二辅助电极，所述第二开口用于暴露所述第二电极；有机发光材料层包括第一有机发光部、第二有机发光部与第三有机发光部，所述第一有机发光部位于所述第一开口中靠近所述像素界定层的一侧，所述第二有机发光部位于所述第二开口中，且位于所述第二电极上，所述第三有机发光部位于所述像素界定层远离所述衬底的一侧。

在一个实施例中，所述第一电极还包括：第三导电部，所述第三导电部位于所述第三有机发光部远离所述衬底的一侧，第三导电部与第一导电部连接。

在一个实施例中，所述第一电极的材料为氧化铟锌或镁银合金。

根据本发明实施例的第二方面，提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括至少一个像素，所述方法，包括：

形成第一辅助电极，所述第一辅助电极位于衬底上；

形成第二辅助电极，所述第二辅助电极位于所述第一辅助电极上，且与所述第一辅助电极连接，所述第二辅助电极包括第一导电层、第二导电层与隔断层，所述第一导电层位于所述第一辅助电极远离所述衬底的一侧，所述第二导电层位于所述第一导电层远离所述衬底的一侧，所述隔断层位于所述第二导电层远离所述衬底的一侧，所述第二导电层在所述衬底上的投影位于所述第一导电层在所述衬底上的投影内，且位于所述隔断层在所述衬底上的投影内；

形成第一电极，所述第一电极与所述第二辅助电极连接，所述第一电极包括第一导电部与第二导电部，所述第二导电部与所述第一导电部连接，所述第一导电部位于所述第一导电层上，且沿所述第一导电层远离所述衬底的表面延伸，所述第二导电部与所述第二导电层的侧面接触，且沿所述第二导电层的侧面延伸，所述第一电极为所述像素的阴极。

在一个实施例中，所述第二辅助电极还包括：有机层，所述有机层位于所述第二导电层与所述隔断层之间，所述有机层在所述衬底上的投影位于所述第一导电层在所述衬底上的投影内，且位于所述隔断层在所述衬底上的投影内。

在一个实施例中，所述形成第二辅助电极之前，还包括：

形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述衬底上；

形成绝缘层，所述绝缘层位于所述第一辅助电极远离所述衬底的一侧，且覆盖所述薄膜晶体管；所述第二辅助电极位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧，且通过贯穿所述绝缘层的第一过孔与所述第一辅助电极连接。

在一个实施例中，所述形成绝缘层之后，还包括：

形成第二电极，所述第二电极位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧，且通过贯穿所述绝缘层的第二过孔与所述薄膜晶体管连接，所述第二电极为所述像素的阳极；

所述第二电极包括第四导电层、第五导电层与第六导电层，所述第四导电层位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧；所述第五导电层位于所述第四导电层远离所述衬底的一侧，所述第六导电层位于所述第五导电层远离所述衬底的一侧，所述第五导电层在所述衬底上的投影位于所述第四导电层在所述衬底上的投影内，且位于所述第六导电层在所述衬底上的投影内。

在一个实施例中，所述第四导电层与所述第一导电层同层，且通过同一工艺步骤制备，所述第四导电层的材料与所述第一导电层的材料相同，和/或，

所述第五导电层与所述第二导电层同层，且通过同一工艺步骤制备，所述第五导电层的材料与所述第二导电层的材料相同，和/或，

所述隔断层与所述第六导电层通过同一工艺步骤制备，所述隔断层的材料与所述第六导电层的材料相同。

根据本发明实施例的第三方面，提供一种显示装置，包括上述的显示基板。

根据上述实施例可知，由于第二辅助电极与第一辅助电极连接，第一电极与第二辅助电极连接，且第二辅助电极包括第一导电层与第二导电层，第一导电层位于第一辅助电极远离衬底的一侧，第二导电层位于第一导电层远离衬底的一侧，第一电极包括第一导电部与第二导电部，第二导电部与第一导电部连接，第一导电部位于第一导电层上，且沿第一导电层远离衬底的表面延伸，即第一电极与第二辅助电极在平行于衬底的方向上相接触，第二导电部与第二导电层的侧面接触，且沿第二导电层的侧面延伸，即第一电极与第二辅助电极在沿第二导电层的侧面方向上也相接触，这样，可以增加第一电极与第二辅助电极的接触面积，进而增加第一电极与第一辅助电极的接触面积，减小第一电极与第一辅助电极的接触电阻。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。

图1是根据本发明实施例示出的一种显示基板的结构示意图；

图2是根据本发明实施例示出的一种显示基板的制备方法的流程图；

图3是根据本发明实施例示出的另一种显示基板的制备方法的流程图；

图4～11是根据本发明实施例示出的制备显示基板的过程中得到的中间结构的示意图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本发明的一些方面相一致的装置和方法的例子。

相关技术中，顶发光结构的有机电致发光显示装置，如果采用透明阴极(例如氧化铟锌(izo))，且显示装置的尺寸较大，为了满足显示装置的显示效果，阴极需要做得很厚，否则阴极电阻不够小，将会出现irdrop问题，导致显示均匀性较差。但是，对于大尺寸的显示装置，阴极做厚在制备工艺上带来的一定的难度及良率较低等问题，所以需要采用辅助阴极。但是，如何减小辅助阴极与阴极的接触电阻是需要解决的一个技术问题。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种显示基板及其制备方法和显示装置，可以增加阴极与辅助阴极之间的接触面积，减小接触电阻。

本发明实施例提供一种显示基板。该显示基板包括至少一个像素，如图1所示，显示基板还包括：衬底31、第一辅助电极32、第二辅助电极33以及第一电极34。

如图1所示，第一辅助电极32位于衬底31上。第二辅助电极33位于第一辅助电极31上，且与第一辅助电极31连接。第二辅助电极33包括第一导电层331、第二导电层332与隔断层333，第一导电层331位于第一辅助电极32远离衬底31的一侧，第二导电层332位于第一导电层331远离衬底31的一侧，隔断层333位于第二导电层332远离衬底31的一侧，第二导电层332在衬底31上的投影位于第一导电层331在衬底31上的投影内，且位于隔断层333在衬底31上的投影内。

如图1所示，第一电极34与第二辅助电极33连接，第一电极34包括第一导电部341与第二导电部342，第二导电部342与第一导电部341连接，第一导电部341位于第一导电层331上，且沿第一导电层331远离衬底31的表面延伸，第二导电部342与第二导电层332接触，且沿第二导电层332的侧面延伸，第一电极34为像素的阴极。

在本实施例中，由于第二辅助电极33与第一辅助电极32连接，第一电极34与第二辅助电极33连接，且第二辅助电极33包括第一导电层331与第二导电层332，第一导电层331位于第一辅助电极32远离衬底31的一侧，第二导电层332位于第一导电层331远离衬底31的一侧，第一电极34包括第一导电部341与第二导电部342，第二导电部342与第一导电部341连接，第一导电部341位于第一导电层331上，且沿第一导电层331远离衬底31的表面延伸，即第一电极34与第二辅助电极33在平行于衬底31的方向上相接触，第二导电部342与第二导电层332的侧面接触，且沿第二导电层332的侧面延伸，即第一电极34与第二辅助电极33在沿第二导电层332的侧面方向上也相接触，这样，可以增加第一电极34与第二辅助电极33的接触面积，进而增加第一电极34与第一辅助电极32的接触面积，减小第一电极34与第一辅助电极32的接触电阻。

上面对本发明实施例提供的显示基板进行了简要的介绍，下面对本发明实施例提供的显示基板进行详细的介绍。

本发明实施例提供一种显示基板。该显示基板包括至少一个像素，其中，至少部分像素可以阵列排布，但不限于此。每个像素可以是oled(organiclight-emittingdiode，有机发光二极管)像素。

在本实施例中，每个像素可以包括至少两个子像素，每个子像素可以包括第一电极34、有机发光材料层39以及第二电极37，其中，第一电极34为阴极，第二电极37为阳极，有机发光材料层39位于第一电极34与第二电极37之间。部分子像素的阴极可形成一个面电极。

在本实施例中，同一个像素中的子像素的发光颜色可以相同，也可以不相同。在一个实施例中，每个像素可以包括三个发白光的子像素，且每个子像素远离衬底31的一侧可设置滤光片，例如，一个子像素远离衬底31的一侧可设置红色滤光片，一个子像素远离衬底31的一侧可设置绿色滤光片，一个子像素远离衬底31的一侧可设置蓝色滤光片。在另一个实施例中，每个像素可以包括三个发光颜色不同的子像素，例如，一个子像素发红光，一个子像素发蓝光，一个子像素发绿光。

在本实施例中，如图1所示，显示基板还包括：衬底31、第一辅助电极32、第二辅助电极33、第一电极34、薄膜晶体管35、绝缘层36、第二电极37、像素界定层38以及有机发光材料层39。

如图1所示，第一辅助电极32位于衬底31上。在本实施例中，第一辅助电极32可以位于衬底31与绝缘层36之间的任意一层，例如，第一辅助电极32可以与薄膜晶体管35中的任意一个金属层同层，也可以与位于薄膜晶体管35与衬底31之间的遮光金属层同层。第一辅助电极32可以是图形化的金属层，第一辅助电极32的面积可以比较大，第一辅助电极32的厚度可以比较厚，这样，可以大程度降低像素的阴极的电阻。

如图1所示，薄膜晶体管35位于衬底31与绝缘层36之间。图1中所示的是驱动晶体管。衬底31与绝缘层36之间还可以设有像素的像素电路中的其他晶体管以及电学元件，例如电容。

在本实施例中，如图1所示，绝缘层36位于第一辅助电极32远离衬底31的一侧。绝缘层36可以是平坦化层，平坦化层的材料可以包括聚酰胺、聚氨酯、酚醛树脂、聚硅氧烷中的任意一种或任意组合，但不限于此。

在本实施例中，如图1所示，第二辅助电极33位于绝缘层36远离衬底31的一侧，且通过贯穿绝缘层36的第一过孔310与第一辅助电极32连接。这样，实现了第二辅助电极33与第一辅助电极32电连接。

在本实施例中，如图1所示，第二辅助电极33包括第一导电层331、第二导电层332、有机层334与隔断层333。

在本实施例中，如图1所示，第一导电层331位于绝缘层36远离衬底31的一侧。第一导电层331的材料可以是氧化铟锡(ito)，但不限于此。

在本实施例中，如图1所示，第二导电层332位于第一导电层331远离衬底31的一侧。第二导电层332在衬底31上的投影位于第一导电层331在衬底31上的投影内，且位于隔断层333在衬底31上的投影内。

在本实施例中，第二导电层332的材料为铝(al)钕(nd)合金，第二导电层332的厚度范围为3000埃米～6000埃米，例如，第二导电层332的厚度可以为3000埃米、4000埃米、5000埃米或6000埃米。优选地，第二导电层332的厚度为6000埃米。另外，第二导电层332的材料也可为钼(mo)。

在本实施例中，如图1所示，有机层334位于第二导电层332与隔断层333之间，有机层334在衬底31上的投影位于第一导电层331在衬底31上的投影内，且位于隔断层333在衬底31上的投影内。

在本实施例中，第二导电层332的厚度与有机层334的厚度之和大于1微米。这样，可以使第二导电层332与有机层334足够高，以便蒸镀有机发光材料层39后，第二导电层332与像素界定层38之间还存在充足的空间，以沉积第一电极34。

在本实施例中，有机层334的厚度范围为1微米～2微米。例如，有机层334的厚度为1微米、1.5微米或2微米。优选地，有机层334的厚度为1.5微米。

在本实施例中，有机层334的材料可以与平坦化层的材料相同，也可以与像素界定层38的材料相同。例如，有机层334的材料可以包括聚酰胺、聚氨酯、酚醛树脂、聚硅氧烷、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、氟化聚酰亚胺、氟化聚甲基丙烯酸甲酯中的任意一种或任意组合，但不限于此。

在本实施例中，如图1所示，隔断层333位于有机层334远离衬底31的一侧，用于隔断有机发光材料层39。隔断层333在衬底31上的投影的外缘与有机层334在衬底31上的投影的外缘之间的间距范围为0.5微米～0.6微米。例如，隔断层333在衬底31上的投影的外缘与有机层334在衬底31上的投影的外缘之间的间距可为0.5微米、0.55微米或0.6微米。优选地，隔断层333在衬底31上的投影的外缘与有机层334在衬底31上的投影的外缘之间的间距为0.5微米。

在本实施例中，隔断层333的材料可以是氧化铟锡(ito)，但不限于此。

在本实施例中，如图1所示，第二导电层332在衬底31上的投影的外缘与有机层334在衬底31上的投影的外缘重合，但不限于此。

在本实施例中，如图1所示，第二电极37位于绝缘层36远离衬底31的一侧，且通过贯穿绝缘层36的第二过孔311与薄膜晶体管35连接，第二电极37为像素的阳极。

在本实施例中，如图1所示，第二电极37包括第四导电层371、第五导电层372与第六导电层373。其中，第四导电层371位于绝缘层36远离衬底31的一侧，第五导电层372位于第四导电层371远离衬底31的一侧，第六导电层373位于第五导电层372远离衬底31的一侧，第五导电层372在衬底31上的投影位于第四导电层371在衬底31上的投影内，且位于第六导电层373在衬底31上的投影内。

在本实施例中，如图1所示，第四导电层371与第一导电层331同层，而且，第四导电层371的材料与第一导电层331的材料相同。

在本实施例中，如图1所示，第五导电层372与第二导电层332同层，而且，第五导电层372的材料与第二导电层332的材料相同。第五导电层372的材料可以采用反射率高、刻蚀cd((criticaldimension，特征尺寸)bias(偏差)较大的金属材料，例如，铝钕合金。

在本实施例中，第六导电层373的材料与隔断层333的材料相同，为氧化铟锡。

在本实施例中，第六导电层373的厚度可根据发光要求而定。第六导电层373的厚度范围为120埃米～700埃米，例如，第六导电层373的厚度为120埃米、200埃米、300埃米、400埃米、500埃米、600埃米或700埃米，但不限于此。

在本实施例中，如图1所示，像素界定层38位于第一导电层331与第四导电层371上，像素界定层38上包括第一开口312与第二开口313，第一开口312用于暴露第二辅助电极33，第二开口313用于暴露第二电极37，并限定出像素的发光面积。像素界定层38还完全包覆第二电极37的边缘，以避免有机发光材料层39、第一电极34与第二电极37相接触出现短路。

在本实施例中，如图1所示，有机发光材料层39包括第一有机发光部391、第二有机发光部392与第三有机发光部393，第一有机发光部391位于第一开口312中靠近像素界定层38的一侧，第二有机发光部392位于第二开口313中，且位于第二电极37上，第三有机发光部393位于像素界定层38远离衬底31的一侧。其中，第二有机发光部392与第一电极34、第二电极37可组成一个子像素。

在本实施例中，如图1所示，第一电极34与第二辅助电极33连接。第一电极34包括第一导电部341、第二导电部342与第三导电部343，第二导电部342与第一导电部341连接，第三导电部343与第一导电部341连接。第一导电部341位于第一导电层331上，且沿第一导电层331远离衬底31的表面延伸，第二导电部342与第二导电层332接触，且沿第二导电层332的侧面延伸，第三导电部343位于第三有机发光部393远离衬底31的一侧。第一电极34为像素的阴极。

在本实施例中，第一电极34的材料为透明导电材料，例如，氧化铟锌(izo)，第一电极34的材料还可为镁银合金。

在本实施例中，第一电极34通过第二辅助电极33与第一辅助电极32电连接，由于第一电极34的第一导电部341位于第二辅助电极33的第一导电层331上，且沿第一导电层331远离衬底31的表面延伸，也就是，第一电极34与第二辅助电极33在平行于衬底31的方向上相接触，又由于第一电极34的第二导电部342与第二辅助电极33的第二导电层332的侧面接触，且沿第二导电层332的侧面延伸，即第一电极34与第二辅助电极33在沿第二导电层332的侧面方向上也相接触。这样，可以增加第一电极34与第二辅助电极33的接触面积，进而增加第一电极34与第一辅助电极32的接触面积，减小第一电极34与第一辅助电极32的接触电阻。

在本实施例中，第二导电层332的侧面垂直于第一导电层331远离衬底31的表面。假设平行于第一导电层331远离衬底31的表面的方向为横向，平行于第二导电层332的侧面的方向为纵向。又由于第一电极34为阴极，第二辅助电极33与第一辅助电极32共同构成辅助阴极，因此，阴极与辅助阴极不仅在横向上存在接触面，在纵向上也存在接触面，增加了阴极与辅助阴极的接触面积，可以减小阴极与辅助阴极的接触电阻。

本发明的实施例还提出了一种显示基板的制备方法，用于制备上述的显示基板。该显示基板包括至少一个像素。如图2所示，该显示基板的制备方法，包括以下步骤201～203：

在步骤201中，形成第一辅助电极32，第一辅助电极32位于衬底31上。

在步骤202中，形成第二辅助电极33，第二辅助电极33位于第一辅助电极32上，且与第一辅助电极32连接，第二辅助电极33包括第一导电层331、第二导电层332与隔断层，第一导电层331位于第一辅助电极32远离衬底31的一侧，第二导电层332位于第一导电层331远离衬底31的一侧，隔断层位于第二导电层332远离衬底31的一侧，第二导电层332在衬底31上的投影位于第一导电层331在衬底31上的投影内，且位于隔断层在衬底31上的投影内。

在步骤203中，形成第一电极34，第一电极34与第二辅助电极33连接，第一电极34包括第一导电部341与第二导电部342，第二导电部342与第一导电部341连接，第一导电部341位于第一导电层331上，且沿第一导电层331远离衬底31的表面延伸，第二导电部342与第二导电层332的侧面接触，且沿第二导电层332的侧面延伸，第一电极34为像素的阴极。

在本实施例中，由于第二辅助电极33与第一辅助电极32连接，第一电极34与第二辅助电极33连接，且第二辅助电极33包括第一导电层331与第二导电层332，第一导电层331位于第一辅助电极32远离衬底31的一侧，第二导电层332位于第一导电层331远离衬底31的一侧，第一电极34包括第一导电部341与第二导电部342，第二导电部342与第一导电部341连接，第一导电部341位于第一导电层331上，且沿第一导电层331远离衬底31的表面延伸，即第一电极34与第二辅助电极33在平行于衬底31的方向上相接触，第二导电部342与第二导电层332的侧面接触，且沿第二导电层332的侧面延伸，即第一电极34与第二辅助电极33在沿第二导电层332的侧面方向上也相接触，这样，可以增加第一电极34与第二辅助电极33的接触面积，进而增加第一电极34与第一辅助电极32的接触面积，减小第一电极34与第一辅助电极32的接触电阻。而且，制备工艺的难度不高，有利于提高良率，也不需要借助特殊材料以及引入新的设备，采用制备显示基板的常规工艺即可实现。

上面简单介绍了本发明实施例提供的显示基板的制备方法，下面对本发明实施例提供的显示基板的制备方法进行详细的介绍。

本发明的实施例还提出了一种显示基板的制备方法，用于制备上述的显示基板。如图3所示，该显示基板的制备方法，包括以下步骤301～306：

在步骤301中，形成第一辅助电极32与薄膜晶体管35，第一辅助电极32与薄膜晶体管35位于衬底31上。

在本步骤中，在衬底31上形成第一辅助电极32与薄膜晶体管35后，得到如图4所示的中间结构。

需要说明的是，形成第一辅助电极32的步骤可以位于形成薄膜晶体管35的步骤之前，也可以位于形成薄膜晶体管35的步骤之后，薄膜晶体管35可包括至少两个金属层，第一辅助电极32还可以与薄膜晶体管35中任意一个金属层在同一工艺步骤中形成。

在步骤302中，形成绝缘层36，绝缘层36位于第一辅助电极32远离衬底31的一侧，且覆盖薄膜晶体管35。

在本步骤中，形成绝缘层36后，得到如图5所示的中间结构。

在步骤303中，形成第二辅助电极33与第二电极37。

在步骤303中，可以包括如下步骤：

首先，在绝缘层36上形成第一导电层331与第四导电层371。在绝缘层36上形成第一导电层331与第四导电层371后，得到如图6所示的中间结构。具体可先在绝缘层36上形成两个贯穿孔，一个贯穿孔位于第一辅助电极32上，另一个贯穿孔位于薄膜晶体管35上。然后，在绝缘层36上沉积氧化铟锡得到第一金属氧化物层，对第一金属氧化物层进行图形化得到第一过孔310、第二过孔311、第一导电层331与第四导电层371。即第四导电层371与第一导电层331通过同一工艺步骤制备，第四导电层371的材料与第一导电层331的材料相同。

接着，在第一导电层331与第四导电层371上形成第一金属层91，并在第一金属层91上形成有机层334。形成有机层334后得到如图7所示的中间结构。其中，第一金属层91的材料与第二导电层332的材料相同。

接着，形成隔断层333与第六导电层373。形成隔断层333与第六导电层373后得到如图8所示的中间结构。具体地，可以在第一金属层91与有机层334上沉积氧化铟锡，得到第二金属氧化物层，然后对第二金属氧化物层进行图形化，得到隔断层333与第六导电层373。即隔断层333与第六导电层373通过同一工艺步骤制备，隔断层333的材料与第六导电层373的材料相同。

接着，对第一金属层91进行刻蚀，形成第二导电层332与第五导电层372。在形成第二导电层332与第五导电层372后得到如图9所示的中间结构。形成第二导电层332与第五导电层372后，并得到第二辅助电极33与第二电极37。第二导电层332与第五导电层372通过同一工艺步骤制备，第五导电层372的材料与第二导电层332的材料相同。

在步骤304中，形成像素界定层38。形成像素界定层38后得到如图10所示的中间结构。像素界定层38上开设有第一开口312与第二开口313，第一开口312用于暴露第二辅助电极33，第二开口313用于暴露第二电极37，并限定出像素的发光面积。

在步骤305中，形成有机发光材料层39。在形成有机发光材料层39后，得到如图11所示的中间结构。

在步骤306中，形成第一电极34。在形成第一电极34后，得到如图1所示的显示基板的结构。

在本实施例中，显示基板的制备工艺的难度不高，工艺复杂度与相关技术中的工艺复杂度相当，也不需要借助特殊材料以及引入新的设备，采用制备显示基板的常规工艺即可实现。

本发明的实施例还提出了一种显示装置，包括显示模组，还包括上述任一实施例所述的显示基板。

需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

其中，上述流程所采用的形成工艺例如可包括：沉积、溅射等成膜工艺和刻蚀等构图工艺。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

在本发明中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本发明的其它实施方案。本发明旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。