1.一种蚀刻方法，其包括：
工序(a)，该工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板，其中，该基板包括含硅膜及设置于该含硅膜上的掩模，该掩模含有碳；及
工序(b)，该工序(b)通过来自在所述腔室内由处理气体生成的等离子体的化学物种来对所述含硅膜进行蚀刻，其中，所述处理气体包含卤素元素及磷，
在所述(b)中，在所述掩模的表面上形成碳与磷的键合。
2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述含硅膜包括硅氧化膜。
3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其中，所述含硅膜还包括硅氮化膜、多晶硅膜、含碳硅膜及低介电常数膜中的至少一个。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的蚀刻方法，其中，所述掩模包括在所述含硅膜上该掩模相对于由该掩模划分的开口所占的比例高的部分和该比例低的部分。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的蚀刻方法，其中，所述掩模具有线和空间图案。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的蚀刻方法，其还包括工序(c)，该工序(c)在对所述(b)中通过蚀刻而形成的开口进行划分的侧壁面上形成保护膜，
所述保护膜包含所述处理气体中所包含的磷。
7.根据权利要求6所述的蚀刻方法，其中，所述(b)和所述(c)同时进行。
8.根据权利要求6或7所述的蚀刻方法，其中，所述保护膜包含磷与氧的键合和/或磷与硅的键合。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的蚀刻方法，其中，所述处理气体包含含氟气体及含磷气体。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的蚀刻方法，其中，所述处理气体包含pf3、pcl3、pf5，pcl5，pocl3、ph3、pbr3及pbr5中的至少一个作为包含所述磷的分子。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的蚀刻方法，其中，所述处理气体还包含烃、氢氟碳化物或氟碳化物。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的蚀刻方法，其中，在所述(b)中，包括电偏置的脉冲的脉冲波被周期性地施加至支撑所述基板的基板支撑器内的下部电极。
13.根据权利要求12所述的蚀刻方法，其中，对所述脉冲波的周期进行限定的频率为1hz以上且100khz以下。
14.根据权利要求12或13所述的蚀刻方法，其中，在所述脉冲波的周期的时间长度中，将所述电偏置的所述脉冲施加至所述下部电极的时间长度所占的比例为50％以上且99％以下。
15.根据权利要求12至14中任一项所述的蚀刻方法，其中，所述电偏置为高频功率，且所述电偏置的所述脉冲中的该高频功率的电平为2kw以上。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的蚀刻方法，其中，在开始所述(b)时，将所述基板的温度设定为0℃以下的温度。
17.一种等离子体处理装置，其具备：
腔室；
基板支撑器，该基板支撑器被构成为在所述腔室内支撑基板，其中，该基板包括含硅膜及设置于该含硅膜上的掩模，该掩模含有碳；
气体供给部，该气体供给部被构成为将用于对所述含硅膜进行蚀刻的处理气体供给至所述腔室内，其中，该处理气体包含卤素元素及磷；及
等离子体生成部，该等离子体生成部被构成为在所述腔室内由所述处理气体生成等离子体，以对所述含硅膜进行蚀刻并在所述掩模的表面上形成碳与磷的键合。
18.一种蚀刻方法，其包括：
工序(a)，该工序(a)准备基板，其中，该基板包括含硅膜及设置于该含硅膜上的掩模；
工序(b)，该工序(b)通过向所述基板供给磷化学物种来使在所述含硅膜中划分开口的侧壁面不活泼化；及
工序(c)，该工序(c)通过向所述基板供给卤素化学物种来对所述含硅膜进行蚀刻。