一种均温半导体致冷件的制作方法

[0001]
本实用新型涉及半导体致冷件技术领域。


背景技术：

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半导体致冷件的工作原理是基于帕尔帖原理，该效应是在1834年由j.a.c帕尔帖首先发现的，即利用当两种不同的半导体a和b组成的电路且通有直流电时，在其中一个接头处会释放出某种其它的热量（热侧），而另一个接头处则吸收热量（冷侧），且帕尔帖效应所引起的这种现象是可逆的，改变电流方向时，放热和吸热的接头也随之改变。
[0003]
半导体致冷件没有机械传动部分，工作中无噪音，无液、气工作介质，因而不污染环境，制冷参数不受空间方向以及重力影响，在大的机械过载条件下，能够正常地工作；通过调节工作电流的大小，可方便调节制冷速率 ；通过切换电流方向，可使致冷器从制冷状态转变为制热工作状态 ；作用速度快，使用寿命长，且易于控制，因此半导体致冷器被广泛地应用于现在的日常生活中。
[0004]
所述的半导体致冷件包括多个金属块、多个n 型半导体晶体、p 型半导体晶体和两块陶瓷绝缘板，多个n 型半导体晶体和 p 型半导体晶体阵列于金属导体之间，在金属导体的外侧设有陶瓷绝缘板。
[0005]
在现有技术中，一块半导体致冷件上的每个半导体晶体大小都是一样的，这样，整个半导体致冷件由于侧边部散热快，例如在半导体致冷件的冷侧周围的温度高于中间的温度，在半导体致冷件的热侧周围的温度低于中间的温度，致使半导体致冷件侧边部位和中间部位有差异，不能满足一些使用的要求。


技术实现要素：

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本实用新型的目的就是针对上述缺点，提供一种可以使半导体致冷件侧边部位和中间部位温度更趋于一致、可以满足一些安装要求的半导体致冷件——一种均温半导体致冷件。
[0007]
本实用新型的技术方案是这样实现的：一种均温半导体致冷件，包括多个金属块、多个半导体晶粒和两块陶瓷绝缘板，所述的半导体晶粒包括n 型半导体晶粒和p 型半导体晶粒，半导体晶粒端部连接金属块形成制冷单元，多个制冷单元阵列设置在两块金属块之间；其特征是：所述的半导体晶粒具有在致冷件周围的晶粒相比在致冷件中间的晶粒横截面更大的结构。
[0008]
具体地，在致冷件周围的晶粒横截面的面积是在致冷件中间的晶粒横截面面积的1.1—1.2倍。
[0009]
进一步地讲，所述致冷件周围的晶粒是指在致冷件周围至少两排的晶粒。
[0010]
本实用新型的有益效果是：这样的半导体致冷件具有可以使半导体致冷件侧边部位和中间部位温度更趋于一致、可以满足一些安装要求的优点。
附图说明
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图1是本实用新型的结构示意图。
[0012]
图2是图1中的a—a、b—b方向（翻转90度）的剖面示意图。
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其中：1、金属块 2、半导体晶粒 3、陶瓷绝缘板。
具体实施方式
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下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
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如图1、2所示，一种均温半导体致冷件，包括多个金属块1、多个半导体晶粒2和两块陶瓷绝缘板3，所述的半导体晶粒包括n 型半导体晶粒和p 型半导体晶粒，半导体晶粒端部连接金属块形成制冷单元，多个制冷单元阵列设置在两块金属块之间；其特征是：所述的半导体晶粒具有在致冷件周围的晶粒相比在致冷件中间的晶粒横截面更大的结构。
[0016]
如图所示，也就是m的半导体晶粒相比其他的晶粒更大。
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这样设置，横截面面积大的晶粒具有致冷致热效率更高的效果，可以平衡半导体致冷件周边降温升温带来的致冷件各处温差的不一样，达到本实用新型的目的。
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具体地，在致冷件周围的晶粒横截面的面积是在致冷件中间的晶粒横截面的1.1—1.2倍。
[0019]
进一步地讲，所述致冷件周围的晶粒是指在致冷件周围至少两排的晶粒。
[0020]
以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本实用新型的说明书的范围当中。