一种模块化滤波电容电路及其版图结构的制作方法

文档序号:26080488发布日期:2021-07-30 13:30阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种模块化滤波电容电路,包括mim电容模块、mos电容模块、第一信号线、第二信号线,其特征在于,

所述模块化滤波电容电路,包括金属-绝缘体-金属电容模块、金属氧化物-半导体电容模块、第一信号线、第二信号线;mim电容模块与mos电容模块通过第一信号线和第二信号线实现电气连接;

所述mim电容模块包括滤波电容,mos电容模块包括第一pmos管、第二pmos管,第一nmos管和第二nmos管;

第二pmos管的s端和d端均连接第一信号线,第一nmos管的s端和d端均连接第二信号线,第一pmos管的s端连接第一信号线,第二nmos管的s端连接第二信号线;第一poms管的g端和第二pmos管的g端均连接第二nmos管的d端,第一nmos管的g端和第二nmos管的g端均连接第一pmos管的d端;

滤波电容的一端连接第一信号线,另一端连接第二信号线。

2.根据权利要求1所述的一种模块化滤波电容电路,其特征在于,

所述第二信号线接地。

3.利用权利要求1或2所述的一种模块化滤波电容电路实现的一种模块化滤波电容的版图结构,其特征在于,

所述模块化滤波电容的版图结构包括:第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层和有源层;

第一金属层与有源层形成mos电容占用的层次;mos电容的上极板通过通孔与第六金属层连通,mos电容的下极板通过通孔与第四金属层连通;

第二金属层与第三金属层之间存在多个通孔实现连接;第三金属层与第四金属层连接;第四金属层形成第二信号线的通路;

第四金属层形成mim电容下极板占用的层次;

第五金属层形成mim电容上极板占用的层次;

第六金属层与第五金属层之间存在多个通孔实现连接;

第六金属层形成第一信号线的通路。

4.根据权利要求3所述的一种模块化滤波电容的版图结构,其特征在于,

第二金属层、第三金属层与第四金属层共同形成第二信号线的通路;

第五金属层与第六金属层共同形成第一信号线的通路。

5.根据权利要求3所述的一种模块化滤波电容的版图结构,其特征在于,

多个模块化滤波电容的版图结构进行连接时,不同版图结构中的各金属层之间对应连接;

不同版图结构中的第二金属层之间对应连接、第三金属层之间对应连接,并且与对应连接的第四金属层,共同形成第二信号线的通路;

不同版图结构中的第五金属层之间对应连接、第六金属层之间对应连接,共同形成第一信号线的通路。


技术总结
本实用新型公开了一种模块化滤波电容电路及其版图结构,属于电子设计技术领域。模块化滤波电容电路及版图结构将MIM电容模块与MOS电容模块通过第一信号线和第二信号线实现电气连接,实现了MIM电容模块和MOS电容模块完全叠加,在相同的版图面积下,电容的容值大幅提升,提高了芯片的集成度;由于MOS电容模块对中频噪声的抑制作用较明显,MIM电容模块对高频噪声的抑制作用较明显,两者叠加后,在兼容两者的优点之上进一步提升了滤波能力;设计版图模块化可无缝拼接,便于多个单元快速拼接。

技术研发人员:崔露霞;边亚磊;刘新宇;刘芮;朱影
受保护的技术使用者:思诺威科技(无锡)有限公司
技术研发日:2020.12.09
技术公布日:2021.07.30
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