显示基板及其制备方法、显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术：

目前，传统的集成天线的显示屏通常将天线设置在显示屏的显示面一侧，例如，将天线集成在触控层中。

由于天线设置在显示屏的显示面一侧，为防止天线对显示屏的显示造成影响，需要使天线设置在非显示区，或者将天线设置在显示区，但使其具有网格结构，网格结构的天线具有多个网孔，每个网孔可以将显示屏中位于该网孔下方的显示单元露出，从而避免天线对显示屏的显示造成干扰。但是，无论将天线设置在非显示区，还是将天线设置成网格结构，天线的结构均受到较大限制，导致天线的电阻较大，天线性能受到较大影响。

技术实现要素：

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种显示基板及其制备方法、显示装置。

为了实现上述目的，本发明提供一种显示基板，其中，包括：

柔性衬底；

设置在所述柔性衬底上的显示结构层，所述显示结构层朝向背离所述柔性衬底的方向出光；

其中，所述柔性衬底包括：第一柔性基底、设置在所述第一柔性基底靠近所述显示结构层一侧的第二柔性基底、以及设置在所述第一柔性基底与所述第二柔性基底之间的天线层；所述天线层配置为，发射或接收天线信号。

可选地，所述第一柔性基底与所述天线层之间设置有阻挡层。

可选地，所述天线层与所述第二柔性基底相接触。

可选地，所述天线层与所述第二柔性基底之间设置有：

第一绝缘层和/或与所述第二柔性基底相接触的半导体层。

可选地，所述显示结构层包括：

多个显示单元；

所述天线层在所述第一柔性基底上的正投影至少覆盖一个所述显示单元在所述第一柔性基底上的正投影。

可选地，每个所述显示单元包括：

像素电路以及与所述像素电路连接的发光单元；

所述发光单元设置在所述像素电路远离所述第二柔性基底的一侧。

可选地，所述天线层在所述第一柔性基底上的正投影为线圈、矩形、椭圆或圆形。

可选地，所述天线层包括非透光材料。

本发明还提供一种显示装置，其中，包括上述的显示基板。

本发明还一种显示基板的制备方法，其中，所述制备方法包括：

形成柔性衬底；

在所述柔性衬底上形成显示结构层，所述显示结构层朝向背离所述柔性衬底的方向出光；

其中，所述柔性衬底包括：第一柔性基底、设置在所述第一柔性基底靠近所述显示结构层一侧的第二柔性基底、以及设置在所述第一柔性基底与所述第二柔性基底之间的天线层；所述天线层配置为，发射或接收天线信号。

附图说明

附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1为本发明实施例提供的显示基板的结构示意图；

图2a至图2e为本发明实施例提供的显示基板的具体结构的示意图；

图3为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的显示基板的制备方法的流程图之一；

图5为本发明实施例提供的显示基板的制备方法的流程图之二。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。

除非另作定义，本发明实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

本发明实施例提供一种显示基板，图1为本发明实施例提供的显示基板的结构示意图，如图1所示，该显示基板包括：柔性衬底1和设置在柔性衬底1上的显示结构层2，显示结构层2朝向背离柔性衬底1的方向出光。其中，柔性衬底1包括：第一柔性基底11、设置在第一柔性基底11靠近显示结构层2一侧的第二柔性基底12、以及设置在第一柔性基底11与第二柔性基底12之间的天线层13。天线层13配置为，发射或接收天线信号。

在本发明实施例中，第一柔性基底11和第二柔性基底12均可以采用聚合物材料，聚合物材料可以包括：聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯(pa)、聚丙烯酸酯(par)、聚醚酰亚胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚烯丙基化物(polyallylate)、聚酰亚胺(pi)、聚碳酸酯(pc)、三乙酸纤维素(cat)和醋酸丙酸纤维素(cap)中的任一者，或者上述材料中至少二者的组合。天线层13的一端可以通过信号线与控制电路连接，控制电路可以向天线层13提供天线信号，或者接收从天线层13传输过来的天线信号。天线层13可以作为nfc天线、蓝牙天线或wifi天线等，其工作频率可以设置在13.56mhz或者1ghz至8ghz。

在本发明实施例中，天线层13设置在第一柔性基底11和第二柔性基底12之间，也即，天线层13设置在显示结构层2的背光侧，这样一来，天线层13不会对显示结构层2的出光造成影响，因此，天线层13的结构不受到显示结构层2出光的限制，从而使天线层3的结构可以根据实际需要确定，例如，天线层3可以为实心的多边形、圆形结构等，或者为金属线绕成的线圈，金属线为实心的金属线，相较于网状结构的天线层存在多个网孔而言，实心结构的天线层3不存在网孔，有利于提高天线层13的性能。

下面结合图1至图2e对本发明实施例的显示基板的具体结构进行详细说明。图2a至图2e为本发明实施例提供的显示基板的具体结构的示意图，如图2a所示，在一些具体实施例中，第一柔性基底11与天线层13之间设置有阻挡层14。

在本发明实施例中，阻挡层14的材料可以包括无机材料，例如，氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。通过设置阻挡层14，可以有效提高水氧阻隔效果，防止水氧入侵对天线层13产生影响。

如图2b所示，在一些具体实施例中，天线层13与第二柔性基底12之间设置有第一绝缘层15，第一绝缘层15的材料可以包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛中的一者，或者上述材料中的至少二者的组合。通过设置第一绝缘层15，可以有效阻隔来自显示结构层2的信号干扰。

如图2c所示，在一些具体实施例中，第一绝缘层15与第二柔性基底12之间还可以设置半导体层16，半导体层16的材料可以包括多晶硅(a-si)，从而可以提高第一绝缘层15(无机材料)与第二柔性基底12之间的粘附力。

如图2d所示，在另一些具体实施例中，天线层13与第二柔性基底12可以直接接触，从而可以减少制备过程所需的掩膜板，降低生产成本。在本发明实施例中，可以使第二柔性基底12的厚度大于或等于5μm，从而使第二柔性基底12可以有效阻隔来自显示结构层2的信号的干扰。

当然，如图2e所示，在本发明实施例中，也可以在天线层13与第二柔性基底12之间设置半导体层16，半导体层16的材料可以包括多晶硅(a-si)，从而可以提高天线层13(无机材料)与第二柔性基底12之间的粘附力。

在一些具体实施例中，显示结构层2包括：多个显示单元。天线层13在第一柔性基底11上的正投影至少覆盖一个显示单元在第一柔性基底11上的正投影。

在本发明实施例中，显示结构层2具有显示区，天线层13可以设置在柔性衬底1对应于显示区的部分中。例如，天线层13的至少一部分在第一柔性基底11上的正投影可以位于显示区在第一柔性基底11的正投影的范围之内。当然，在本发明实施例中，还可以是整个天线层13在第一柔性基底11上的正投影均位于显示区在第一柔性基底11的正投影的范围之内。天线层13在第一柔性基底11上的正投影可以覆盖一个或多个显示单元，从而使天线层13的位置设置更加灵活。

结合图1至图2e所示，在一些具体实施例中，每个显示单元包括：像素电路以及与像素电路连接的发光单元l。发光单元l设置在像素电路远离第二柔性基底12的一侧。

在本发明实施例中，发光单元l可以为有机发光二极管oled(organiclight-emittingdiode)，有机发光二极管oled可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。发光器件包括有机发光层，空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层等。在本发明实施例中，发光单元l靠近第一柔性基底11的一侧设置有第一电极21，发光单元l远离第一柔性基底11的一侧设置有第二电极22，第一电极21和第二电极22中的一者为阴极，另一者为阳极。其中，第二电极22可以为透光电极，例如，第二电极22的材料可以为氧化铟锡(indiumtinoxide，ito)材料，从而使发光单元l发出的光线可以从第二电极22出射，进而实现显示。

在本发明实施例中，像素电路包括与每个发光单元l连接的薄膜晶体管，薄膜晶体管可以包括栅极23、栅极绝缘层24、有源层25、源极26、漏极27、第二绝缘层28a、第一信号线29a、第二信号线29b和第三绝缘层28b。薄膜晶体管2可以为顶栅结构或底栅结构，在此不作限制。以顶栅结构为例，第二柔性基底12远离第一柔性基底11的一侧设置有平坦化层20，薄膜晶体管2的源极26、漏极27以及有源层25设置在平坦化层20远离第二柔性基底12的一侧。有源层25包括沟道部和位于该沟道部两侧的源极连接部和漏极连接部，源极连接部与薄膜晶体管的源极26连接，漏极连接部与薄膜晶体管的漏极27连接。源极连接部和漏极连接部均可以掺杂有比沟道部的杂质浓度高的杂质(例如，n型杂质或p型杂质)。沟道部与栅极23正对，当栅极23加载的电压信号达到一定值时，沟道部中形成载流子通路，使源极26和漏极27导通。第二绝缘层28a覆盖在源极26、漏极27以及有源层25上。栅极23设置在第二绝缘层28a远离第二柔性基底12的一侧，栅极绝缘层24覆盖在栅极23上。栅极绝缘层24和第二绝缘层28a上均设置有第一过孔，第一信号线29a通过栅极绝缘层24和第二绝缘层28a上的第一过孔与源极26连接，第二信号线29b通过栅极绝缘层24和第二绝缘层28a上的第一过孔与漏极27连接。第三绝缘层28b覆盖在第一信号线29a和第二信号线29b上，第三绝缘层28b上设置有第二过孔，第一电极21设置在第三绝缘层28b背离第二柔性基底12的一侧，且通过第三绝缘层28b上的第二过孔与第二信号线29b连接。

在本发明实施例中，显示基板还包括多条数据线和多条栅线，多条数据线和多条栅线交叉以限定出多个上述的显示单元。薄膜晶体管的栅极23可以与栅线连接，薄膜晶体管的源极26可以与数据线连接。显示基板上的多个薄膜晶体管可以呈阵列分布，多条数据线沿多个薄膜晶体管的行方向排列，多条栅线沿多个薄膜晶体管的列方向排列，与同一条栅线连接的薄膜晶体管位于同一行，与同一条数据线连接的薄膜晶体管位于同一列。薄膜晶体管可以为p型薄膜晶体管，也可以为n型薄膜晶体管，在此不作限制。当薄膜晶体管为p型薄膜晶体管时，用于控制薄膜晶体管的源极26和漏极27导通的有效电平信号为低电平信号；当薄膜晶体管为n型薄膜晶体管时，用于控制薄膜晶体管的源极26和漏极27导通的有效电平信号为高电平信号。

在一些具体实施例中，天线层13在第一柔性基底11上的正投影为线圈、矩形、椭圆或圆形。

在一些具体实施例中，天线层13包括非透光材料。具体地，天线层13的材料可以包括金属，例如钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)和铜(cu)中的一者，或者上述材料中至少二者的组合。

本发明实施例还提供一种显示装置，该显示装置可以为：电子纸、显示面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。图3为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图，如图3所示，该显示装置包括上述的显示基板，具体结构前文已有介绍，在此不再赘述。

在本发明实施例中，显示基板为有机电致发光(oled)显示基板，可以采用薄膜封装(tfe)层对显示基板进行封装，薄膜封装层包括沿远离显示基板的方向依次设置的第一无机薄膜封装层31、有机薄膜封装层32、和第二无机薄膜封装层33。第一无机薄膜封装层31和第二无机薄膜封装层33的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝等无机绝缘材料。有机薄膜封装层32的材料可以为聚丙烯酸树脂、聚环氧丙烯酸树脂、感光性聚酰亚胺树脂、聚酯丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯树脂、酚醛环氧压克力树脂等有机绝缘材料。上述的薄膜封装层具有材质轻薄、柔性等优势，同时，水氧阻隔性好，可以防止水氧入侵对显示基板中的有机发光材料造成影响。

采用本发明实施例的显示装置，其中的天线层13设置在显示结构层的背光侧，这样一来，天线层13的结构不受到显示结构层出光的限制，有利于提高天线层13的性能。

本发明实施例还提供一种显示基板的制备方法，图4为本发明实施例提供的显示基板的制备方法的流程图之一，如图4所示，该制备方法包括：

s1、形成柔性衬底。其中，柔性衬底包括：第一柔性基底、设置在第一柔性基底靠近显示结构层一侧的第二柔性基底、以及设置在第一柔性基底与第二柔性基底之间的天线层。天线层配置为，发射或接收天线信号。

s2、在柔性衬底上形成显示结构层，显示结构层朝向背离柔性衬底的方向出光。

采用本发明实施例的制备方法，天线层设置在显示结构层的背光侧，因此，天线层的结构不受到显示结构层出光的限制，有利于提高天线层的性能。

图5为本发明实施例提供的显示基板的制备方法的流程图之二，如图5所示，在一些具体实施例中，该制备方法还可以包括以下步骤：

s11、提供一刚性载体，在刚性载体上形成第一柔性基底；

具体地，刚性载体可以为玻璃基板或石英基板。在刚性载体上涂覆pi形成第一柔性基底。

s12、在第一柔性基底上形成阻挡层；

具体地，可以采用等离子体增强化学气相沉积(pecvd)方法在第一柔性基底上沉积阻挡层，阻挡层的材料可以包括无机材料，例如，氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。

s13、在阻挡层上形成天线层；

具体地，可以采用溅射或热蒸发的方法在阻挡层上沉积金属层，金属层可以是钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)和铜(cu)等，金属层可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如cu\mo，ti\cu\ti，mo\al\mo等。在金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于天线层的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的金属层，剥离剩余的光刻胶后，即得到天线层。

s14、在天线层上形成第一绝缘层；

具体地，可以采用等离子体增强化学气相沉积方法在天线层上沉积第一绝缘层，第一绝缘层的材料可以包括无机材料，例如，氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。

s15、在第一绝缘层上形成半导体层；

具体地，可以采用等离子体增强化学气相沉积方法在第一绝缘层上沉积半导体层，半导体层的材料可以包括多晶硅(a-si)，通过半导体层可以增强无机材料与柔性材料之间的粘附力，从而提高第一绝缘层与之后形成的第二柔性基底之间的粘附力。

s16、在半导体层上形成第二柔性基底；

可以在半导体层上涂覆pi形成第二柔性基底。

s17、在第二柔性基底上制备显示结构层，且使显示结构层朝向背离第二柔性基底的方向出光；

其中，制备显示结构层的技术与现有技术一致，在此不再赘述。

经过上述步骤s11至s17即可得到本发明实施例的显示基板。另外，在形成显示基板后，还可以将显示基板从刚性载体上分离下来。本发明实施例的显示基板中的天线层的结构不受到显示结构层出光的限制，有利于提高天线层的性能。

在一些具体实施例中，步骤s12、步骤s14和步骤s15中的一步或多步可以省去，从而可以减少制备工艺步骤，降低生产成本。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。