1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件的外延片上设有耗尽型区域和增强型区域，所述耗尽型区域为采用耗尽型工艺集成的区域，所述增强型区域为采用增强型工艺集成的区域；
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述耗尽型区域的肖特基层和所述增强型区域的肖特基层并排设置；和/或，所述耗尽型区域的肖特基层和所述增强型区域的肖特基层的高度相同。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述耗尽型区域中δ掺杂施主层的掺杂浓度不同于所述增强型区域中δ掺杂施主层的掺杂浓度。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述耗尽型区域中隔离层的目标化学组分含量不同于所述增强型区域中隔离层的目标化学组分含量。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述耗尽型区域中肖特基层的目标化学组分含量不同于所述增强型区域中肖特基层的目标化学组分含量。
6.如权利要求1-5中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括射频开关，位于所述耗尽型区域，所述射频开关包括发射通道和接收通道；
7.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括位于所述耗尽型区域的第一器件、位于所述增强型区域的第二器件以及位于所述耗尽型区域和所述增强型区域的第三器件；
8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，
9.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件为如权利要求1-8中任一项所述的半导体器件；所述制备方法包括以下步骤：
10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一项所述的半导体器件。