技术特征：
1.一种晶圆用高温药液清洗蚀刻设备，其特征在于，包括：密闭腔室，所述密闭腔室的两侧具有排气口朝上设置的排气通道；晶圆放置台，设于所述密闭腔室内，且，所述晶圆放置台上设有用于夹持晶圆的卡爪；背面高温药液喷嘴，从所述晶圆放置台下方往上伸出至所述卡爪上的晶圆背面的下方，用于对晶圆的背面进行高温药液喷洗；表面保温件，可上下升降的设置在晶圆的上方，用于对晶圆的上方进行保温，所述表面保温件上设有多个用于正面高温药液喷嘴进入的入口；背部保温件，可升降的设置在所述晶圆放置台上并位于晶圆的下方，用于对晶圆的背面进行保温；至少一个正面高温药液喷嘴，可移动的设置在所述晶圆放置台的四周，所述正面高温药液喷嘴用于移动至入口处后将高温药液喷至晶圆的上表面；至少一个清洗喷嘴，设置在所述表面保温件内并指向晶圆。2.如权利要求1所述的晶圆用高温药液清洗蚀刻设备，其特征在于，还包括一个用于引导气流方向的导流组件，所述导流组件包括：移动密封块，可升降的设置在所述排气通道上方的出气口处；上引流罩，可上下升降的设置在表面保温件和承载台之间，且上引流罩可将晶圆的周向包围，其中，当上引流罩抵触在所述表面保温件上时将气流引导至排气通道的出气口处；下引流罩，可上下升降的抵触在所述上引流罩的下方，且，所述下引流罩将晶圆的周向包围。3.如权利要求1所述的晶圆用高温药液清洗蚀刻设备，其特征在于：所述正面高温药液喷嘴为三个，且三个所述正面高温药液喷嘴通过多个入口进入晶圆的不同区域。4.如权利要求1所述的晶圆用高温药液清洗蚀刻设备，其特征在于：所述背部保温件和表面保温件均为内置加热组件的保温板。5.一种如权利要求1所述的晶圆用高温药液清洗蚀刻设备的清洗蚀刻方法，其特征在于，包括如下步骤：s1上引流罩和下引流罩位于晶圆的下方，气流从上保温件和上引流罩之间流过后从排气通道排出，同时三个正面高温药液喷嘴开始预喷液；s2上引流罩上升，引导气流从上引流罩和下引流罩之间流过后从排气通道排出，同时清洗喷嘴对晶圆上表面进行湿润处理；s3上引流罩上升和下引流罩同步上升，移动块上移打开出气口，引导气流从上引流罩的上方引导至排气口排出，最后由气通道的上方排出，此时上引流罩和下引流罩将晶圆的四周包围住，并且背面保温件上升后靠近晶圆，然后背面高温药液喷嘴开始喷药液处理；s4三个正面高温药液喷嘴移至三个入口处对晶圆进行上表面的药液清洗；s5三个正面高温药液喷嘴和背面保温件回到初始位置，上引流罩和下引流罩回到原位，从而将气流正常排出。
技术总结
本发明公开了一种晶圆用高温药液清洗蚀刻设备，包括密闭腔室，密闭腔室的两侧具有排气通道；晶圆放置台设于密闭腔室内，晶圆放置台上设有卡爪；背面高温药液喷嘴从晶圆放置台下方往上伸出至晶圆背面的下方；表面保温件可升降的设置在晶圆的上方，表面保温件上设有入口；背部保温件可升降的设置在晶圆的下方；正面高温药液喷嘴可移动的设置在晶圆放置台的四周；清洗喷嘴设置在表面保温件内并指向晶圆，本发明还公开了一种晶圆用高温药液清洗蚀刻设备的清洗蚀刻方法，本发明通过可升降设置在晶圆上方和下方的表面保温件和背面保温件以及三个正面高温药液喷嘴并利用导流组件对气流导向，确保药液处于高温范围内，提升晶圆上表面内的蚀刻率均匀性。上表面内的蚀刻率均匀性。上表面内的蚀刻率均匀性。
技术研发人员：余涛 庞金元
受保护的技术使用者：若名芯半导体科技（苏州）有限公司
技术研发日：2022.10.18
技术公布日：2022/12/23