技术特征：
1.摄像元件，其包括光电转换单元，所述光电转换单元包括：第一电极，光电转换层，第二电极，绝缘层，所述绝缘层包括n个绝缘层段，其中n大于或等于2，以及电荷存储电极，所述电荷存储电极与所述第一电极间隔开，并且所述电荷存储电极被设置成使得所述绝缘层位于所述电荷存储电极和所述光电转换层之间，其中，所述光电转换单元包括n个光电转换单元段，第n个光电转换单元段包括所述电荷存储电极、第n个绝缘层段和所述光电转换层，其中n＝1,2,3...,n，随着n值增大，所述第n个光电转换单元段离所述第一电极越远，并且第1个光电转换单元段中的所述绝缘层段的厚度不同于第n个光电转换单元段中的所述绝缘层段的厚度。2.摄像装置，其包括多个如权利要求1所述的摄像元件。3.层叠型摄像元件，其包括至少一个如权利要求1所述的摄像元件。4.摄像装置，其包括多个如权利要求3所述的层叠型摄像元件。5.摄像元件，其包括光电转换单元，所述光电转换单元包括：第一电极，光电转换层，所述光电转换层包括n个光电转换单元段，其中n大于或等于2，第二电极，绝缘层，以及电荷存储电极，所述电荷存储电极与所述第一电极间隔开，并且所述电荷存储电极被设置成使得所述绝缘层位于所述电荷存储电极和所述光电转换层之间，其中，所述光电转换单元包括n个光电转换单元段，第n个光电转换单元段由所述电荷存储电极、第n个光电转换层段和所述绝缘层形成，其中n＝1,2,3...,n，随着n值增大，所述第n个光电转换单元段离所述第一电极越远，并且第1个光电转换单元段中的所述光电转换层段的厚度不同于第n个光电转换单元段中的所述光电转换层段的厚度。6.摄像元件，其包括光电转换单元，所述光电转换单元包括：第一电极，光电转换层，第二电极，绝缘层，所述绝缘层包括n个绝缘层段，其中n大于或等于2，以及电荷存储电极，所述电荷存储电极与所述第一电极间隔开，并且所述电荷存储电极被设置成使得所述绝缘层位于所述电荷存储电极和所述光电转换层之间，其中，所述光电转换单元包括n个光电转换单元段，
第n个光电转换单元段由所述电荷存储电极、第n个绝缘层段和所述光电转换层段形成，其中n＝1,2,3...,n，随着n值增大，所述第n个光电转换单元段离所述第一电极越远，并且在相邻的光电转换单元段中，形成所述绝缘层段的材料是不同的。7.摄像元件，其包括光电转换单元，所述光电转换单元包括：第一电极，光电转换层，第二电极，绝缘层，以及电荷存储电极，所述电荷存储电极与所述第一电极间隔开，并且所述电荷存储电极被设置成使得所述绝缘层位于所述电荷存储电极和所述光电转换层之间，其中，所述电荷存储电极包括n个彼此间隔开的电荷存储段，n大于或等于2，所述光电转换单元包括n个光电转换单元段，第n个光电转换单元段由第n个电荷存储电极段、所述绝缘层和所述光电转换层段形成，其中n＝1,2,3...,n，随着n值增大，所述第n个光电转换单元段离所述第一电极越远，并且在相邻的光电转换单元段中，形成所述电荷存储电极段的材料是不同的。8.摄像元件，其包括光电转换单元，所述光电转换单元包括：第一电极，光电转换层，第二电极，绝缘层，以及电荷存储电极，所述电荷存储电极与所述第一电极间隔开，并且所述电荷存储电极被设置成使得所述绝缘层位于所述电荷存储电极和所述光电转换层之间，其中，所述电荷存储电极包括n个电荷存储段，n大于或等于2，所述光电转换单元包括n个光电转换单元段，第n个光电转换单元段由第n个电荷存储电极段、所述绝缘层和所述光电转换层形成，其中n＝1,2,3...,n，随着n值增大，所述第n个光电转换单元段离所述第一电极越远，并且第1个光电转换单元段中的所述电荷存储电极段的面积不同于第n个光电转换单元段中的所述电荷存储电极段的面积。9.如权利要求8所述的摄像元件，其中，在平面图中，所述第1个光电转换单元段中的所述电荷存储电极段的所述面积大于所述第n个光电转换单元段中的所述电荷存储电极段的所述面积。10.如权利要求9所述的摄像元件，其中，在平面图中，所述第1个光电转换单元段中的
所述电荷存储电极段在第一方向上的第一尺寸大于所述第n个光电转换单元段中的所述电荷存储电极段在所述第一方向上的第一尺寸，并且其中，在所述平面图中，所述第1个光电转换单元段中的所述电荷存储电极段在第二方向上的第二尺寸小于所述第n个光电转换单元段中的所述电荷存储电极段在所述第二方向上的第二尺寸。11.如权利要求8所述的摄像元件，其中，在平面图中，所述第1个光电转换单元段中的所述电荷存储段的至少三个边缘与所述第n个光电转换单元段中的所述电荷存储电极段的对应边缘相邻。12.如权利要求8所述的摄像元件，其中，所述电荷存储电极包括公用部分，并且其中，至少一个光电转换单元段包括在与n增大的方向垂直的方向上彼此间隔开的多个电荷存储电极部。13.摄像元件，其包括光电转换单元，所述光电转换单元包括：第一电极，光电转换层，第二电极，绝缘层，以及电荷存储电极，所述电荷存储电极与所述第一电极间隔开，并且所述电荷存储电极被设置成使得所述绝缘层位于所述电荷存储电极和所述光电转换层过孔之间，其中，在将所述电荷存储电极、所述绝缘层和所述光电转换层的层叠方向定义为z方向并且将远离所述第一电极的方向定义为x方向的情况下，包括所述电荷存储电极、所述绝缘层和所述光电转换层的层叠部分在yz虚拟平面内的横截面积基于与所述第一电极之间的距离而改变。14.摄像装置，其包括光电转换单元，所述光电转换单元包括：第一电极，光电转换层，第二电极，绝缘层，以及多个摄像元件，所述多个摄像元件中的每个摄像元件包括电荷存储电极，所述电荷存储电极与所述第一电极间隔开，并且所述电荷存储电极被设置成使得所述绝缘层位于所述电荷存储电极和所述光电转换层之间，其中，摄像元件块包括多个所述摄像元件，并且所述第一电极由所述摄像元件块中的多个所述摄像元件共用。15.如权利要求14所述的摄像装置，其中，所述多个摄像元件中的每个摄像元件包括光电转换单元，所述光电转换单元包括：第一电极，光电转换层，第二电极，绝缘层，所述绝缘层包括n个绝缘层段，其中n大于或等于2，以及
电荷存储电极，所述电荷存储电极与所述第一电极间隔开，并且所述电荷存储电极被设置成使得所述绝缘层位于所述电荷存储电极和所述光电转换层之间，其中，所述光电转换单元包括n个光电转换单元段，第n个光电转换单元段包括所述电荷存储电极、第n个绝缘层段和所述光电转换层，其中n＝1,2,3...,n，随着n值增大，所述第n个光电转换单元段离所述第一电极越远，并且第1个光电转换单元段中的所述绝缘层段的厚度不同于第n个光电转换单元段中的所述绝缘层段的厚度。16.如权利要求14所述的摄像装置，其中，在形成所述摄像元件块的多个所述摄像元件之间设置有传输控制电极。17.如权利要求14所述的摄像装置，其中，在一个摄像元件上方设置有一个片上微透镜。18.如权利要求14所述的摄像装置，其中，所述摄像元件块由两个摄像元件形成，且在所述摄像元件块上方设置有一个片上微透镜。19.如权利要求14所述的摄像装置，其还包括：多个所述摄像元件块中的第一摄像元件块；以及多个所述摄像元件块中的第二摄像元件块，其中，在平面图中，所述第一摄像元件块中的第一摄像元件与所述第二摄像元件块中的第一摄像元件相邻。20.如权利要求14所述的摄像装置，其还包括：多个所述摄像元件块中的第一摄像元件块；多个所述摄像元件块中的第二摄像元件块；以及设置在所述第一摄像元件块和所述第二摄像元件块之间的传输控制电极。21.如权利要求14所述的摄像装置，其还包括：多个所述摄像元件块中的第一摄像元件块；以及多个所述摄像元件块中的第二摄像元件块，其中，在平面图中，所述第一摄像元件块中的第一摄像元件与所述第一摄像元件块中的第二摄像元件相邻，在所述平面图中，所述第二摄像元件块中的第一摄像元件与所述第二摄像元件块中的第二摄像元件相邻，并且所述第一摄像元件块中的所述第二摄像元件与所述第二摄像元件块中的所述第一摄像元件相邻。22.如权利要求21所述的摄像装置，其中，在所述平面图中，所述第一电极对角地位于所述第一摄像元件块中的所述第一摄像元件和所述第一摄像元件块中的第三摄像元件之间。23.如权利要求21所述的摄像装置，其还包括：传输控制电极，所述传输控制电极设置在所述第一摄像元件块中的所述第二摄像元件和所述第二摄像元件块中的所述第一摄像元件之间。
技术总结
本发明涉及摄像元件、层叠型摄像元件和摄像装置。摄像元件包括具有第一电极、光电转换层、第二电极、绝缘层和电荷存储电极的光电转换单元。所述绝缘层包括N个绝缘层段，其中N大于或等于2。所述电荷存储电极与所述第一电极间隔开，并且被设置成使得所述绝缘层位于所述电荷存储电极和所述光电转换层之间。所述光电转换单元包括N个光电转换单元段，第n个光电转换单元段包括所述电荷存储电极、第n个绝缘层段和所述光电转换层，其中n＝1,2,3...,N，随着n值增大，所述第n个光电转换单元段离所述第一电极越远，并且第1个光电转换单元段中的所述绝缘层段的厚度不同于第N个光电转换单元段中的所述绝缘层段的厚度。的所述绝缘层段的厚度。的所述绝缘层段的厚度。
技术研发人员：古川明 安藤良洋 富樫秀晃 古闲史彦
受保护的技术使用者：索尼公司
技术研发日：2017.11.14
技术公布日：2023/3/31