技术特征：
1.一种大功率电桥结构，其特征在于，所述大功率电桥结构包括：上中心导体，所述上中心导体的两端分别设置有弯折部，所述上中心导体的棱边均呈导圆角过渡；所述上中心导体的中部设置有第一通孔；下中心导体，结构与所述上中心导体相同，所述下中心导体的中部设置有第二通孔；第一支撑介质，所述第一支撑介质的上下端分别插入到所述第一通孔和所述第二通孔内，所述第一支撑介质的中部设置有隔离片，所述隔离片使所述上中心导体和所述下中心导体之间的间距大于1mm。2.根据权利要求1所述的大功率电桥结构，其特征在于，所述第一支撑介质包括一体成型的：上支撑柱，所述上支撑柱插入所述第一通孔内；隔离片，所述隔离片为环形片，所述隔离片的厚度大于1mm；下支撑柱，所述下支撑柱插入所述第二通孔内。3.根据权利要求1所述的大功率电桥结构，其特征在于，所述第一支撑介质的材料为聚四氟乙烯。4.根据权利要求1所述的大功率电桥结构，其特征在于，所述大功率电桥结构还包括连接器内导体，所述连接器内导体与所述弯折部连接，所述连接器内导体与上/下中心导体螺纹连接部分呈导圆角过渡。5.根据权利要求1所述的大功率电桥结构，其特征在于，所述大功率电桥的电桥腔体内部导圆角过渡。
技术总结
本实用新型提供一种大功率电桥结构，其能够解决装配难度大、输入端尖端放电和耦合金属间距较窄的问题，该大功率电桥结构包括上中心导体、下中心导体和第一支撑介质，上中心导体的两端分别设置有弯折部，上中心导体的棱边均呈导圆角过渡；上中心导体的中部设置有第一通孔；下中心导体的结构与上中心导体相同，下中心导体的中部设置有第二通孔；第一支撑介质的上下端分别插入到第一通孔和第二通孔内，第一支撑介质的中部设置有隔离片，隔离片使上中心导体和下中心导体之间的间距大于1mm。导体和下中心导体之间的间距大于1mm。导体和下中心导体之间的间距大于1mm。
技术研发人员：王杰
受保护的技术使用者：成都齐联微波科技有限公司
技术研发日：2022.11.11
技术公布日：2023/2/3