1.一种半导体器件(10)，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件(10)，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件(10)，其特征在于，
4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件(10)，其特征在于，
5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件(10)，其特征在于，
6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件(10)，其特征在于，
7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体器件(10)，其特征在于，
8.根据权利要求5和7所述的半导体器件(10)，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的半导体器件(10)，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的半导体器件(10)，其特征在于，
11.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件(10)，其特征在于，
12.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件(10)，其特征在于，
13.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件(10)，其特征在于，
14.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件(10)，其特征在于，
15.根据权利要求5至14中任一项所述的半导体器件(10)，其特征在于，
16.根据权利要求5至15中任一项所述的半导体器件(10)，其特征在于，
17.根据权利要求1至16中任一项所述的器件，其特征在于，
18.一种用于制造半导体器件(10)的方法(20)，其特征在于，所述方法包括：