1.一种晶圆基板电源完整性的优化方法，其特征在于：所述晶圆基板包括多个单元结构，每个所述单元结构包括多层金属层，所述多层金属层包括位于顶层的微凸点阵列、位于底层的微焊盘阵列、以及位于所述顶层与所述底层之间的一层或多层中间层，所述微凸点阵列通过所述一层或多层中间层与所述微焊盘阵列按照预定关系对应连接以形成所述晶圆基板的多个分立的网络，所述多个分立的网络至少包括电源网络、地网络、信号网络及功能配置网络，所述电源网络包括位于所述多层金属层的其中一层或多层上的电源平面，所述优化方法包括：
2.如权利要求1所述的优化方法，其特征在于：在所述多层金属层中寻找可布线的空余空间包括：
3.如权利要求2所述的优化方法，其特征在于：在与待优化的所述电源平面所在层的不同层中寻找可布线的空余空间包括：
4.如权利要求1所述的优化方法，其特征在于：在所述可布线的空余空间内对待优化的所述电源平面进行加密布局包括：
5.如权利要求4所述的优化方法，其特征在于：所述密集金属走线包括网格状金属走线。
6.如权利要求1所述的优化方法，其特征在于：在所述多层金属层中的相邻金属层之间通过过孔层连接。
7.如权利要求6所述的优化方法，其特征在于：所述过孔层包括独立的过孔或过孔阵列。
8.如权利要求1所述的优化方法，其特征在于：在所述多层金属层中，所述中间层通过硅通孔层连接到底层的所述微焊盘阵列。
9.如权利要求1所述的优化方法，其特征在于：所述电源网络包括多电压域电源网络。
10.如权利要求1所述的优化方法，其特征在于：所述多层金属层中至少包括信号层和接地层，在所述信号层的相邻上层和相邻下层中的至少一层包括所述接地层。
11.一种晶圆基板，其特征在于，包括多个单元结构，每个所述单元结构包括多层金属层，所述多层金属层包括位于顶层的微凸点阵列、位于底层的微焊盘阵列、以及位于所述顶层与所述底层之间的一层或多层中间层，所述微凸点阵列通过所述一层或多层中间层与所述微焊盘阵列按照预定关系对应连接以形成所述晶圆基板的多个分立的网络，所述多个分立的网络至少包括各电压域电源网络、地网络、信号网络及功能配置网络，所述各电压域电源网络中的至少一个电压域电源网络包括位于一金属层上的电源平面，所述电源平面具有被其他网络隔开的至少两块区域，所述至少一个电压域电源网络还包括布置在与所述电源平面所在层的不同层上的密集金属走线，所述密集金属走线通过过孔层将隔开的所述至少两块区域连接成整体。
12.如权利要求11所述的晶圆基板，其特征在于：所述密集金属走线位于所述电源平面所在层的相邻上层或相邻下层。
13.如权利要求11所述的晶圆基板，其特征在于：所述密集金属走线包括网格状金属走线。
14.如权利要求11所述的晶圆基板，其特征在于：在所述多层金属层中的相邻金属层之间通过过孔层连接。
15.如权利要求14所述的晶圆基板，其特征在于：所述过孔层包括独立的过孔或过孔阵列。
16.如权利要求11所述的晶圆基板，其特征在于：在所述多层金属层中，所述中间层通过硅通孔层连接到底层的所述微焊盘阵列。
17.如权利要求11所述的晶圆基板，其特征在于：所述多层金属层中至少包括信号层和接地层，在所述信号层的相邻上层和相邻下层中的至少一层包括所述接地层。
18.一种晶上系统，其特征在于：包括芯粒、如权利要求11至17中任一项所述的晶圆基板、以及驱动电路板，所述芯粒连接到所述晶圆基板顶层的所述微凸点阵列，所述驱动电路板连接所述晶圆基板底层的所述微焊盘阵列。
19.如权利要求18所述的晶上系统，其特征在于：所述芯粒包括同质同构芯粒，所述同质同构芯粒与所述微凸点阵列直接相连接。
20.如权利要求18所述的晶上系统，其特征在于：所述芯粒包括异质异构芯粒，所述晶圆基板还包括转接板，所述异质异构芯粒通过所述转接板与所述微凸点阵列相连接。