专利名称:有机薄膜晶体管及包含其的有机发光显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种具有设计来避免对下方形成的电极布线层损伤的形成图案的有机半导体层的有机薄膜晶体管(OTFT)，以及包含该OTFT的有机发光显示装置。
背景技术：
有源矩阵(AM)有机发光显示装置包括用于每个像素的像素电路。像素电路电连接到扫描线、数据线和电源线，并包括薄膜晶体管(TFT)和存储电容。有机薄膜晶体管(OTFT)使用有机层作为半导体层代替使用硅层。OTFT可以在低温操作并可以用作驱动装置，从而被作为柔性有机发光显示装置可能的开关元件被积极研究。
使用OTFT作为开关装置的有机发光显示装置包括有机半导体层和多个电极布线层。当对有机半导体层形成图案时，有时可能损伤下方的电极布线层。特别是，当形成图案时，有时可能损伤OTFT的源和漏电极。
OTFT包括形成在源和漏电极上的有机半导体层。在OTFT中，有机半导体层覆盖部分源和漏电极，这是因为对有机半导体层形成图案从而只形成沟道，并不完全覆盖源和漏电极。从而，当对OTFT的有机半导体层形成图案时，有机半导体层是毯覆式(blanket)形成，接着使用激光等移除有机半导体层不会成为部分沟道的部分。由于在对有机半导体层的这一移除当中源和漏电极以及其它电极布线层有可能损伤，OTFT可能有缺陷。因此，需要一种不会导致损伤电极层的OTFT的设计以及使用其的显示器的设计。
发明内容因此本发明的目的在于提供一种不会导致损伤电极布线层的OTFT的设计以及使用其的显示器的设计。
本发明的另一目的在于提供一种允许在不损伤下方电极布线层的情况下对有机半导体层形成图案的OTFT的设计以及使用其的显示器的设计。
本发明进一步的目的在于提供一种具有用来保护在有机半导体层形成图案前形成的电极布线层的形成图案有机半导体层的有机薄膜晶体管(OTFT)，以及包含该OTFT的有机发光显示装置。
按照本发明的一方面，提供一种有机薄膜晶体管，包括栅电极、与栅电极绝缘的源电极和漏电极，以及与栅电极绝缘并与源和漏电极接触的有机半导体层，其中有机半导体层覆盖源和漏电极中的每一个。
可以通过栅绝缘层将源和漏电极与栅电极绝缘。有机半导体层可以完全覆盖源电极和漏电极中的每一个。该有机薄膜晶体管还可以包括与源和漏电极连接的布线层。该布线层也可以被有机半导体层完全覆盖。该有机半导体层可以包括选自由以下项构成组的材料并五苯、并四苯、蒽、萘、α-6-噻吩、苝及其衍生物、红荧烯及其衍生物、晕苯及其衍生物、苝四甲酰二亚胺及其衍生物、苝四甲酸二酐及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚对亚苯基亚乙烯基及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚噻吩乙烯及其衍生物、聚对亚苯基及其衍生物、聚噻吩杂环芳香共聚物及其衍生物、萘的oligoacene及其衍生物、α-5-噻吩的低聚噻吩及其衍生物、包含金属或不含金属的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四甲酰二亚胺及其衍生物、苝四甲酸二酐及其衍生物、萘四甲酰二亚胺及其衍生物、萘四甲酸二酐及其衍生物。
按照本发明的另一方面，提供一种有机发光显示装置，包括衬底、排列在衬底上的电导体、覆盖在电导体上的有机半导体层，以及电连接到电导体的有机发光元件。
有机发光显示装置还可以包括电连接到有机发光元件的像素电路，其中电导体是像素电路的至少一个电极布线。像素电路可以包括有机薄膜晶体管(TFT)、电容、数据布线层、扫描布线层和驱动布线层。有机薄膜晶体管可以包括栅电极、以及与栅电极绝缘的源和漏电极。有机半导体层可以完全覆盖电导体。
有机半导体层可以包括选自由以下项构成组的材料并五苯、并四苯、蒽、萘、α-6-噻吩、苝及其衍生物、红荧烯及其衍生物、晕苯及其衍生物、苝四甲酰二亚胺及其衍生物、苝四甲酸二酐及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚对亚苯基亚乙烯基及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚噻吩乙烯及其衍生物、聚对亚苯基及其衍生物、聚噻吩杂环芳香共聚物及其衍生物、萘的oligoacene及其衍生物、α-5-噻吩的低聚噻吩及其衍生物、包含金属或不含金属的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四甲酰二亚胺及其衍生物、苝四甲酸二酐及其衍生物、萘四甲酰二亚胺及其衍生物、萘四甲酸二酐及其衍生物。
通过结合附图参考下列详细描述将更清楚更容易理解本发明的全貌及其优势，其中相同或相似的元件使用相似的附图标记，其中图1是在按照本发明实施例的有机发光显示装置中使用的像素电路(PC)的电路图；图2是图1中的PC的电路图的详图；图3是按照本发明实施例的底栅型有机发光显示装置的电极布线层的图；图4是形成在图3中的底栅型有机发光显示装置的电极布线层上的形成图案的有机半导体层的图；图5是图3中的底栅型有机发光显示装置沿着V-V线的截面图；图6是图3中的底栅型有机发光显示装置沿着VI-VI线的截面图；以及图7是按照本发明另一实施例的顶栅型有机发光显示装置的示意性截面图。
具体实施方式现在参考附图，图1是按照本发明实施例的有机发光显示装置中使用的像素电路(PC)的电路图。如图1所示，有机发光显示装置的多个像素中的每一个都包括数据线DATA、扫描线SCAN、以及有机发光元件和向OLED提供电源的电源线Vdd。每个像素的PC电连接到数据线DATA、扫描线SCAN和电源线Vdd并控制OLED的发光。
现在参考图2，图2是按照本发明实施例的图1中的PC的电路图的详图。PC包括驱动TFT M1、开关TFT M2以及单个存储电容Cst。参考图2，按照本发明的本实施例的有机发光显示装置的每个像素包括至少两个薄膜晶体管，即开关TFT M2和驱动TFT M1，存储电容Cst和OLED。
开关TFT M2是由扫描线SCAN接收的扫描信号接通或关断，并将数据信号从数据线DATA传递到存储电容Cst以及驱动TFT M1。本发明并不限于如图2所示的开关TFT M2是单个TFT的情况。可选地，开关器件可以包括多个TFT和电容。图2中的像素可以进一步包括补偿驱动TFT M1的Vth值的电路或者补偿电源线Vdd中的压降的电路。
驱动TFT M1根据通过开关TFT M2接收的数据信号决定流入OLED的电流量。存储电容Cst存储通过开关TFT M2接收的一帧数据信号。
尽管在图2中驱动TFT M1和开关TFT M2显示为PMOS TFT，但本发明不限于此。驱动TFT M1和开关TFT M2中的至少一个可被实现为NMOS TFT。另外，TFT的数量和电容的数量也不限于图2中所示。换句话说，可以包括比图2中显示的更多的TFT和更多的电容。
现在参考图3到图6，图3是按照本发明实施例的底栅型有机发光显示装置100的电极布线层的图，图4是在图3中的底栅型有机发光显示装置100的电极布线层上形成的形成图案的有机半导体层的图，图5是图3中的底栅型有机发光显示装置100沿着V-V线的截面图，以及图6是图3中的底栅型有机发光显示装置100沿着VI-VI线的截面图。
现在参考图3，驱动TFT M1包括第一源电极111、第一漏电极112和第一栅电极113。开关TFT M2包括第二源电极121、第二漏电极122和第二栅电极123。构成数据线DATA的数据布线层130电连接到第二源电极121。构成扫描线SCAN的扫描布线层140电连接到第二栅电极123。构成电源线Vdd的驱动布线层150电连接到第一源电极111。像素电极160电连接到第一漏电极112。另外，存储电容Cst中包含的第一电容层171通过接触孔(未示出)连接到第二漏电极122。配置第二电容层172使得电连接到驱动布线层150。
此处，第一源电极111、第一漏电极112、第二源电极121、第二漏电极122、数据布线层130、驱动电极150和第二电容层172形成在栅绝缘层193之上。第一栅电极113、第二栅电极123、扫描布线层140和第一电容层171形成在缓冲层192之上。第一源电极111、第一漏电极112、第二源电极121、第二漏电极122、数据布线层130、驱动电极150、第二电容层172、第一栅电极113、第二栅电极123、扫描布线层140和第一电容层171都是电导体。
在每个电极形成之后，在栅绝缘层193上形成有机半导体层。在形成有机半导体层之后，使用激光烧蚀(LAT)法对有机半导体层形成图案。
当对有机半导体层进行形成图案时，有机半导体层被移除的部分在图4中由阴影区域(P)表示。由此，没有暴露出金属，因此没有移除覆盖着电极布线层的任何有机半导体层。特别地，形成在栅绝缘层193上的第一源电极111、第一漏电极112、第二源电极121、第二漏电极122、数据布线层130、驱动布线层150、第二电容层172仍然由有机半导体层完全覆盖，即使是在对有机半导体层进行形成图案之后。
应注意，在对有机半导体层形成图案的LAT处理当中可能损伤下方的电极布线层，尤其当有机半导体层移离下方的电极布线层。从而，本发明通过只移除不在电极布线层顶部的有机半导体层部分而避免对电极布线层的这种损伤。
现在参考图5和6，图5和6分别显示了按照本发明实施例的包含按上述方法形成图案后的有机半导体层180的底栅型有机发光显示装置100的截面图。参考图5，缓冲层192形成在衬底191上。第一栅电极113形成在缓冲层192上。在形成第一栅电极113之后，形成栅绝缘层193以覆盖第一栅电极113。
此处，衬底191可以是玻璃衬底、塑料衬底或金属衬底。金属衬底可以由金属箔形成，例如，不锈钢、Ti、Mo、因瓦合金、因康乃尔合金、科伐合金或类似物。塑料衬底可以包括由下列之一制造的塑料膜聚醚砜(PES)、聚丙稀环酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇脂(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物(polyallylate)、聚酰亚胺、聚碳酸脂(PC)、三乙酸纤维素(TAC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)。
缓冲层192是由有机化合物和/或无机化合物形成，优选地为SiOx(x≥1)或SiNx(x≥1)。栅绝缘层193可以是有机绝缘层、无机绝缘层或有机-无机混合层并可以形成为单层或多层结构。
同时，在形成栅绝缘层193之后，在栅绝缘层193上形成第一源电极111和第一漏电极112。使用上述形成图案方法形成有机半导体层180。此处，有机半导体层180完全覆盖第一源电极111和第一漏电极112。
第一源电极111、第一漏电极112和第一栅电极113是由具有良好导电性的材料形成的，例如金属如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其化合物等。
有机半导体层180可以由下列至少一种形成并五苯、并四苯、蒽、萘、α-6-噻吩、苝及其衍生物、红荧烯及其衍生物、晕苯及其衍生物、苝四甲酰二亚胺及其衍生物、苝四甲酸二酐及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚对亚苯基亚乙烯基及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚噻吩乙烯及其衍生物、聚对亚苯基及其衍生物、聚噻吩杂环芳香共聚物及其衍生物、萘的oligoacene及其衍生物、α-5-噻吩的低聚噻吩及其衍生物、包含金属或不含金属的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四甲酰二亚胺及其衍生物、苝四甲酸二酐及其衍生物、萘四甲酰二亚胺及其衍生物、萘四甲酸二酐及其衍生物。
现在参考图6，第二电容层172形成在栅绝缘层193之上，其中有机半导体层180是以上述形成图案方法形成以完全覆盖第二电容层172。进一步形成平坦绝缘层194以覆盖有机半导体层180。像素电极160形成在平坦绝缘层194之上，同时通过接触孔194a电连接到第一漏电极112。接触孔194a可以使用激光蚀刻方法、光刻方法等形成。
在形成像素电极160之后，形成像素限定层195以覆盖像素电极160。在像素限定层195上形成预定开口195a。像素限定层195可以是有机绝缘层、无机绝缘层或有机-无机混合层，并可形成为单层或多层结构。
有机绝缘层可以由聚合物材料形成，例如，常规用途的化合物(PMMA，PS)、包含苯酚基的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳醚基、酰氨基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物、其共混物、或类似物。无机绝缘层可以是SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST、PZT或类似物。
像素限定层195可以使用喷墨印刷法形成。首先，对像素电极160的某些部分进行表面处理。在未处理衬底表面与油墨之间的粘合力良好的情况下，使用氟基等离子体来制造对应于开口195a防水的衬底表面部分。此处，在用氟基等离子体进行表面处理中使用CF4或C3F8这样的氟基气体。接着通过从喷墨头释放包含用于像素限定层195的绝缘材料的溶液来形成像素限定层195。在像素电极160的表面处理部分形成穿过像素限定层195暴露出像素电极160的开口195a。
在未处理衬底表面与油墨之间的粘合力较差的情况下，也就是说，衬底表面是防水的，像素限定层195可以通过以Ar和O2等离子体对衬底表面不对应于开口195a的部分进行表面处理形成。即，通过使用Ar和O2等离子体将除了对应于开口195a的像素电极160之外的衬底表面部分进行表面处理，衬底表面被亲水化以增加粘合力。接着，当在衬底表面上释放了包含用于形成像素限定层195的绝缘材料的油墨，像素限定层195仅仅在具有增强粘合力的被表面处理的部分被涂敷。从而，不在没用等离子体进行表面处理的像素电极160的表面上形成像素限定层195。同时，在暴露出来的像素电极160上按顺序叠加有机发光层196和相对电极197。此处，形成相对电极197是为了覆盖所有像素，但是相对电极197的结构不限于此。也就是说，可以对相对电极197形成图案。
当像素电极160是阳极时，相对电极197是阴极，反之亦然。在本发明的当前实施例中，像素电极160是阳极。
当有机发光显示装置100是底发射型有机发光显示装置时，像素电极160可以是透明电极，而相对电极197可以是反射电极。此处，透明电极具有高的功函数，并可以由透明的ITO、IZO、In2O3、ZnO等形成。构成相对电极197的反射电极是由金属构成，例如具有低功函数的Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其化合物。
当有机发光显示装置100是顶发射型有机发光显示装置时，像素电极160可以是反射电极，而相对电极197可以是透明电极。此处，构成像素电极160的反射电极可以通过用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、其化合物等形成反射层，并在反射层上形成具有高功函数的ITO、IZO、In2O3、ZnO等而形成。构成相对电极197的透明电极是通过沉积具有低功函数的Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、其化合物等、并在其上用例如ITO、IZO、ZnO、In2O3等的透明材料形成辅助电极层或总线而形成的。
当有机发光显示装置100是双发射型有机发光显示装置时，像素电极160和相对电极197都可以是透明电极。
形成像素电极160和相对电极197的材料可以不限于上述材料，也就是说，像素电极160和相对电极197可以由导电材料、包含导电颗粒例如Ag、Mg、Cu等的导电胶形成。当像素电极160和相对电极197是由导电胶形成时，导电胶可以使用喷墨法印刷。在印刷之后，将导电胶烧结以形成像素电极160和相对电极197。
有机发光层196可以是小分子量的有机层或聚合物有机层。当有机发光层196是小分子量的有机层时，可以将空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等相叠以具有单层或多层结构。有机发光层196可以由有机材料形成，例如铜酞菁(CuPc)、N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基-联苯胺(NPB)、三(8-喹啉酚根)合铝(Alq3)、或类似物，但是用于形成有机发光层196的材料不限于此。可以使用气相沉积法形成小分子量有机层。
聚合物有机层通常可以包括HTL和EML。此处，HTL可以由PEDOT形成。EML可以使用丝网印刷法、喷墨法等由聚合物有机材料形成，例如聚亚苯基亚乙烯基(PPV)材料、聚芴基材料等。
在形成底栅型有机发光显示装置100之后，将其上部密封，以避免接触空气。
按照本发明的当前实施例，通过对有机半导体层180形成图案从而完全覆盖形成在栅绝缘层193上的电极布线层，也就是第一源电极111、第一漏电极112、第二源电极121、第二漏电极122、数据布线层130、驱动布线层150以及第二电容层172，这些电极布线层在对有机半导体层180进行形成图案的过程中不会受到损伤。
现在参考图7，图7是按照本发明另一实施例的有机发光显示装置200的示意性截面图。有机发光显示装置200是顶栅型有机发光显示装置。下面参考图7介绍该顶栅型有机发光显示装置200的结构。
首先，在衬底291上形成缓冲层292。在缓冲层292上形成第一源电极211和第一漏电极212。虽然未在图7中显示，在缓冲层292上还可以形成第二源电极、第二漏电极、数据布线层、驱动布线层以及第二电容层。
在形成类似于底栅型有机发光显示装置100中的有机层180的有机半导体层280之后，使用LAT法对有机半导体层280进行形成图案。对有机半导体层280形成图案使得形成图案的有机半导体层完全覆盖第一源电极211和第一漏电极212中的每一个。尽管未在图7中显示，对有机半导体层280形成图案使得完全覆盖缓冲层292上的其它电极布线层，例如第二源电极、第二漏电极、数据布线层、驱动布线层以及第二电容层。
当使用LAT法对顶栅型有机发光显示装置200进行形成图案之后，因为有机半导体层280和在有机半导体层280下方的电极的某些部分可能受到损伤，将要移除的有机半导体层的部分是未覆盖形成在缓冲层292上的电极布线层的有机半导体层部分。
接着，进一步形成栅绝缘层293，从而覆盖有机半导体层280，并在栅绝缘层293上形成第一栅电极213和像素电极260。尽管在图7中未示出，在栅绝缘层293上还可以形成第二栅电极、扫描布线层、第一电容层。
在形成第一栅电极213、像素电极260等之后，在栅绝缘层293上形成像素限定层295，穿过其形成开口295a。在栅绝缘层293和有机半导体层280上形成另外的接触孔293a以电连接像素电极260和第一漏电极212。
随后在暴露出的像素电极260上相叠有机发光层296和相对电极297。在形成顶栅型有机发光显示装置200之后，将有机发光显示装置200的顶部密封以避免接触空气。
图7中所显示的第一源电极211、第一漏电极212、第一栅电极213、像素电极260、有机半导体层280、衬底291、缓冲层292、栅绝缘层293、像素限定层295、有机发光层296以及相对电极297的结构，分别相当于有机发光显示装置100中的第一源电极111、第一漏电极112、第一栅电极113、像素电极160、有机半导体层180、衬底191、缓冲层192、栅绝缘层193、像素限定层195、有机发光层1296以及相对电极197，从而省略对它们的详细描述。
按照本发明的当前实施例，通过对有机半导体层280形成图案从而完全覆盖所有形成在缓冲层292上的电极布线层，也就是第一源电极211、第一漏电极212、第二源电极、第二漏电极、数据布线层、驱动布线层以及第二电容层，在对有机半导体层280形成图案的过程中不会损伤这些电极布线层。
由于有机发光显示装置200在此处没有描述的结构、操作和效果与图1到6中显示的有机发光显示装置100的结构、操作和效果类似，从而省略对它们的详细描述。
尽管本发明是应用于有机发光显示装置，但本发明还可以应用于各种类型的平板显示装置，例如液晶显示装置等，其中可以使用有机半导体层。如上所述，通过对有机半导体层进行形成图案以保护在对有机半导体层形成图案前形成的电极布线层，可以保护电极布线层，并可以改善产品质量。
虽然本发明按照其具体实施例进行了详细的描述，但本领域技术人员应了解，可以在其中进行形式和细节上的各种改变，并不脱离本发明权利要求
书所限定的范围。
权利要求
1.一种有机薄膜晶体管(OTFT)，包括栅电极；与所述栅电极绝缘的源电极和漏电极；以及与所述栅电极绝缘并连接到所述源和漏电极的有机半导体层，其中所述有机半导体层覆盖所述源和漏电极中的每一个。
2.如权利要求
1所述的有机薄膜晶体管，其中所述源和漏电极通过栅绝缘层与所述栅电极绝缘。
3.如权利要求
1所述的有机薄膜晶体管，其中所述有机半导体层包括选自下组中的材料并五苯、并四苯、蒽、萘、α-6-噻吩、苝及其衍生物、红荧烯及其衍生物、晕苯及其衍生物、苝四甲酰二亚胺及其衍生物、苝四甲酸二酐及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚对亚苯基亚乙烯基及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚噻吩乙烯及其衍生物、聚对亚苯基及其衍生物、聚噻吩杂环芳香共聚物及其衍生物、萘的oligoacene及其衍生物、α-5-噻吩的低聚噻吩及其衍生物、包含金属或不含金属的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四甲酰二亚胺及其衍生物、苝四甲酸二酐及其衍生物、萘四甲酰二亚胺及其衍生物、萘四甲酸二酐及其衍生物。
4.如权利要求
1所述的有机薄膜晶体管，其中所述有机半导体层完全覆盖所述源电极和漏电极中的每一个。
5.一种有机发光显示装置，包括衬底；布置在所述衬底上的电导体；覆盖所述电导体的有机半导体层；以及电连接到所述电导体的有机发光元件。
6.如权利要求
5所述的有机发光显示装置，进一步包括电连接到所述有机发光元件的像素电路，其中所述电导体是所述像素电路的至少一个电极布线。
7.如权利要求
6所述的有机发光显示装置，其中所述像素电路包括有机薄膜晶体管(TFT)、电容、数据布线层、扫描布线层和驱动布线层。
8.如权利要求
7所述的有机发光显示装置，其中所述有机薄膜晶体管包括栅电极、以及与所述栅电极绝缘的源和漏电极。
9.如权利要求
5所述的有机发光显示装置，其中所述有机半导体层包括选自下组中的材料并五苯、并四苯、蒽、萘、α-6-噻吩、苝及其衍生物、红荧烯及其衍生物、晕苯及其衍生物、苝四甲酰二亚胺及其衍生物、苝四甲酸二酐及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚对亚苯基亚乙烯基及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚噻吩乙烯及其衍生物、聚对亚苯基及其衍生物、聚噻吩杂环芳香共聚物及其衍生物、萘的oligoacene及其衍生物、α-5-噻吩的低聚噻吩及其衍生物、包含金属或不含金属的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物、均苯四甲酰二亚胺及其衍生物、苝四甲酸二酐及其衍生物、萘四甲酰二亚胺及其衍生物、萘四甲酸二酐及其衍生物。
10.如权利要求
5所述的有机发光显示装置，其中所述有机半导体层完全覆盖所述电导体。
11.如权利要求
1所述的有机薄膜晶体管，进一步包括连接到所述源和漏电极的布线层。
12.如权利要求
11所述的有机薄膜晶体管，其中所述有机半导体层完全覆盖所述布线层。
专利摘要
本发明涉及一种在电极布线层的顶部具有形成图案的有机半导体层的有机薄膜晶体管(OTFT)。为了避免对下方电极布线层的损伤，对有机半导体层形成图案使得在电极布线层上的有机半导体层不被移除。形成图案的有机半导体层完全覆盖所有的下方的电极布线层。该OTFT包括栅电极、与栅电极绝缘的源和漏电极，以及与栅电极绝缘并连接到源和漏电极的有机半导体层，其中有机半导体层完全覆盖源和漏电极。此外，还涉及一种有机发光显示装置，包括不止一个OTFT，以及电连接到电导体的有机发光元件。
文档编号H01L27/32GK1996637SQ200710001861
公开日2007年7月11日 申请日期2007年1月2日
发明者姜泰旻, 安泽, 徐旼彻 申请人:三星Sdi株式会社导出引文BiBTeX, EndNote, RefMan