专利名称：光接收部件及其生产工艺，电子照相装置与电子照相方法
技术领域：
本发明涉及用于生产光接收部件的工艺，由该方法所生产的光接收部件，具有这种光接收部件的电子照相装置，以及应用该光接收部件的电子照相方法。本发明特别涉及用于生产具有超高清洁性能并可在任何环境中获得高质量图象而不会有不清晰的图象和模糊图象的光接收部件的工艺，具有该光接收部件的电子照相装置，以及应用该光接收部件的电图方法。
作为用于电子照相感光元件中地光接收部件的材料，提出了诸如硒，硫化镉，氧化锌和无晶形硅(以下称为“a-Si”)以及各种有机材料。这些材料中，已经提出了以a-Si为典型代表的含有硅原子作为主要成分的非单晶淀积膜作为用于具有高性能和高耐久性以及无环境污染的感光元件材料，其例子是含有氢和/或卤素诸如氟或者氯的a-Si无晶形淀积膜(例如，氢或者卤素补偿悬空键)。它们中的一些已经付诸实用。
U.S.Patent No.4,2 65,991透露了涉及包含主要由a-Si形成的光电导层的电子照相感光元件的一种技术。
以a-Si为代表的a-Si型感光元件具有以下优点它们具有高的表面硬度，表现出对于半导体激光长波长光(770nm到800nm)等的高感光性，以及不会由于反复使用而磨损。因而，它们被广泛用于诸如以高速复印机和LBPs(激光打印机)为代表的电子照相装置的感光元件。
作为用于形成硅型非单晶淀积膜的工艺，在本技术领域中已经获知了数种工艺方法，其例子有溅射方法，通过加热(热CVD)分解材料气体的工艺，通过光(光学CVD)分解材料气体的工艺，以及通过等离子体(等离子体辅助CVD)分解材料气体的工艺。特别地，等离子体辅助CVD，即通过使用直流电、高频(RF或者VHF)或者微波产生的辉光放电等分解材料气体，以便在任何所需要的材质诸如玻璃、石英、耐热性合成树脂膜、不锈钢或铝上形成淀积膜，这种工艺正在广泛实用于不仅是在用来形成用于电子照相技术中的非晶形硅淀积膜的工艺中，而且在用来形成其它用途的淀积膜的工艺中。用于这些工艺的各种装置也被提出。
近年来，由于涉及在电子照相感光元件中的应用，努力探索改进膜质量和加工性能，并为此研究了各种措施。
特别地，广泛应用了使用高频电功率的等离子体辅助工艺，因为这种工艺具有诸多的优点，诸如它具有高的放电稳定性并能够用来形成诸如氧化膜或者氮化膜等绝缘材料。
顺便来说，近年来例如在Plamsa Chemistry以及PlamsaProcessing，Vol.7，No.3(1987)，pp.267-273中所报道的，应用平行平板型等离子体辅助CVD装置在20MHz或者以上高频进行的等离子体辅助CVD已经引起注意，该装置表明有可能在不降低淀积膜性能的情形下通过使得放电频率高于以往所应用13.56MHz而改进淀积速率。就溅射而言这样使得放电频率较高也有报道，并在近年被广泛研究。
现在，作为包含a-Si光接收部件的各种类型普通的光接收部件充电和消电(charge-eliminating)装置，使用了电晕组件(电晕器(corotron)，次电晕器(scorotron))，该组件几乎在任何情形下都包含一导线电极(例如，一个金属导线电极诸如50到100μm直径的敷金钨导线)以及一个屏蔽板。具体而言，使得通过向电晕组件的导线电极施加高压(大约4到8kV)所产生的电晕电流作用于光接收部件表面而使得光接收部件表面充电并从该表面消电。电晕组件的优点在于能够均匀充电和消电。
然而，电晕放电伴随产生了相当大量的臭氧。所产生的臭氧氧化了空气中的氮而产生了氮的氧化物(NOx)。这样产生的氮氧化物进一步与空气中的水反应而产生硝酸等。由电晕放电所产生的诸如氮氧化物和硝酸等产物(以下称为“电晕放电产物”)可能附着在并淀积到光接收部件及其周围的机件上而污染其表面。这种电晕放电产物具有很强的吸湿性以致吸附了这些产物的光接收部件表面由于已经附着在其上的电晕放电产物的吸湿性而变得具有低电阻，使得在整体上或者局部上的电荷保持能力显著降低而导致诸如不清晰的和模糊的图象等劣质图象(一种状态，即其中光接收部件表面的电荷在表面方向上泄漏而引起静电潜象图形的变形或者不成形)。
已经附着在电晕组件屏蔽板的内表面上的电晕放电产物不仅在电子照相装置被驱动时而且在该装置不用时，例如夜晚，也会蒸发和自由释放。已经这样蒸发和释放的电晕放电产物附着到对应于电晕组件放电开口的部分的光接收部件的表面而引起进一步的吸湿。因而光接收部件的表面会变得具有低电阻。于是，当装置在装置闲置了之后再驱动时开始输出的第一张复制件，或者其后顺序的几张复制件，会具有在对应于在该装置闲置时电晕组件所停止在的开口的区域之处出现的不清晰的和模糊的图象。在电晕组件为AC电晕组件时这特别会发生。而且，在光接收部件为a-Si型光接收部件的情形，由于电晕放电产物所造成的不清晰的图象和模糊的图象可能变得问题很大。
特别是，a-Si型光接收部件比其他的光接收部件具有较低的充电和消电效率(由于前者为了获得所需要的充电和消电电位需要较大的电晕充电电流)，因而通过施加到a-Si型光接收部件的电晕放电的充电和消电是在通过向电晕组件施加比其它光接收部件的情形较高的电压而大大增加充电电流量时进行的。
a-Si型光接收部件大部分用于高速电子照相装置。这种情形下，例如充电电流量可能达到2,000μA。
由于电晕充电电流量正比于所产生的臭氧数量，故当光接收部件为a-Si型光接收部件并且充电和消电是通过电晕放电进行的时，则臭氧可能特别大量地产生，因而因为电晕放电产物所造成的不清晰的图象和模糊的图象可能变得问题很大。
此外，在a-Si型光接收部件的情形，比其它的感光元件它们具有很高的表面硬度，因而在清除步骤等任何淀积物以及光接收部件可能难于蚀刻和清除，从而使得已经附着在光接收部件表面上的电晕放电产物可能永远保留。
于是，在普通的情形下，在光接收部件的内部装设了用于加热光接收部件的加热器或者借助于热空气鼓风机向光接收部件吹送热空气，于是光接收部件的表面被加热(到30℃到50℃)以保持光接收部件表面干燥，使得已经附着在光接收部件表面的电晕放电产物能够防止吸湿并防止使得光接收部件表面具有低电阻，从而防止不清晰的图象和模糊的图象的现象。这种措施已经在一些情形下采用。特别是在a-Si型光接收部件的情形，这种加热和干燥的装置装入了电子照相装置之中作为某些情形的重要装置。
这种电子照相装置的显象组件具有旋转的圆柱形显象剂传送件，例如内装可移动的磁铁。在该传送件上形成一薄层显象剂，即调色剂或者调色剂与载体的混合物，然后该显象剂由静电转印到其上已经形成静电潜象的光接收部件上面。这一系统被广泛应用。Japanese Patent Application Laid-open No.54-43037，No.58-144865，No.60-7451等透露了这种系统的一个例子。作为显象剂，包含磁性颗粒的显象剂，即调色剂与载体的混合物或者在调色剂中包含磁铁矿等的显象剂以及不包含载体的显象剂都可使用。
这种系统中，由于来自光接收部件的热，旋转圆柱形显象剂传送件面向该光接收部件的部分要膨胀，于是旋转圆柱形显象剂传送件光接收部件之间的距离在用于使得显象剂显象的部分可能会变短。这造成它们之间的电场变得更强而使得显象剂比通常更容易转印。这还影响了与该部分相对的部分使之在它们之间具有较长的距离，从而电场变得较小而使得显象剂在一些情形下比通常难于转印。结果，图象浓度可能在旋转的圆柱形显象剂传送件的旋转周期中部分变得高或者低。这种现象的出现可能引起对于电子照相装置输出图象的质量很大的损害。于是，已经在寻求提供一种即使不加热光接收部件也不会引起不清晰图象或模糊图象的光接收部件。
此外，在电子照相装置中相继重复以下步骤充电，曝光，显象，转印，分离，以及借助于叶片进行刮削清除的清除步骤，这种重复的操作可能会引起光接收部件表面摩擦阻力逐渐增加。摩擦阻力增加的结果是对于清除残余显象剂(或者调色剂)的清洁性能的大大降低。如果复印的各个步骤以那样的状态重复，则显象剂或者包含在显象剂中的外部添加剂诸如钛酸锶和硅石可能会散布而附着到电晕组件的导线电极上(以下称为“电晕组件导线”)引起放电的不均匀性。一旦由充电组件的导线污染引起了充电不均匀性，则可能出现线条中的空白区域，散布在整个图象上的鳞状(或者波纹状)模糊，非周期性地局部出现的黑色斑点(直径0.1到0.3mm)等等。而且，电晕导线污染一旦出现，就会引起污染部分与光接收部件之间的非正常放电，于是光接收部件的表面可能开裂而引起劣质图象。
本发明的目的在于解决以上讨论的问题。于是本发明的目的是为了提供具有低摩擦阻力，能够防止调色剂散布并不会引起顺序重复充电、曝光、显象、转印、分离、以及借助于叶片进行刮削清理的清除步骤的电子照相装置中电晕组件导线的污染的光接收部件，是为了提供基本上不会附着由电晕放电所引起的电晕放电产物的光接收部件，是为了提供不论环境条件如何以及不必装设任何用于加热光接收部件的装置而可获得没有模糊图象与不清晰图象的高质量图象的一种光接收部件，以及是为了提供包括这样的一种光接收部件电子照相装置和用以产生这样一种光接收部件的工艺过程。
本发明的另一目的是提供一个用以产生一个光接收部件的工艺过程，该工艺过程包括重复多次交替形成包含碳原子、氧原子与氮原子至少之一的非单晶材料层并在一个能够减小其内部压力的反应器中的一个衬底上蚀刻该层以形成一表面层；由这种工艺过程所生产的光接收部件；包含该光接收部件的电子照相装置；以及使用这种光接收部件的方法。
本发明的另一目的是提供用于一种光接收部件的工艺过程，该工艺过程包括步骤在一衬底上进行蚀刻，形成包含碳原子、氧原子与氮原子至少之一的非单晶材料层，对该层进行刻蚀；由该工艺过程所生产的光接收部件；包含该光接收部件的电子照相装置；以及应用该光接收部件的电子照相方法。
图1是表示根据本发明的光接收部件表面层结构的一较佳例子的简略剖面。
图2是一简略视图表示由适用于本发明用于通过VHF-PCVD(甚高频)-(等离子体辅助化学蒸汽淀积)生产光接收部件的淀积装置的结构的一个例子。
图33A与3B是简略剖视图表示根据本发明的光接收部件的结构的例子。
图4是简略剖视图表示一电子照相装置的一个例子。
图5是简略剖视图表示由适用于本发明用于通过VHF-PCVD生产光接收部件的淀积装置的结构的另外一个例子。
图6是图5中所示的淀积装置的一个简略横截剖视图。
图7是一简略视图表示图5所示的淀积装置的整体结构。
本发明的提供了用于生产包含由包含碳原子、氧原子与氮原子至少之一种的非单晶材料所组成的一表层的一种光接收部件的工艺过程，该工艺过程包括在一反应器中反复交替地进行膜形成和多次蚀刻；由这样的工艺过程所生产的光接收部件；包含该光接收部件的电子照相装置；以及应用该光接收部件的电子照相方法。
本发明中，膜形成和/或蚀刻最好应用具有放电频率50MHz到450MHz的高频电功率进行。该表层还包括硅原子和/或碳原子。
本发明中，氟原子最好能够包含在表层的厚度方向上的整个区域中。
在蚀刻时，最好使用氟类型气体作为蚀刻气体，并最好以20埃或者更高，并更好是以50埃或者更高的深度进行蚀刻。
氟类型气体最好能够是CF4，CHF3或者CLF3。
对于由进行一次的膜形成和蚀刻所形成的表层，最好具有层厚从10埃到2,000埃，并更好是从40埃到1,000埃。
该表层可设置在衬底上所形成的光接收层之上。该光接收层可具有光电导性，并且该光接收层可包括一个光电导层。该光电导层可以是单层型或者可以是功能分开型。而且，碳原子最好包含在该表层之中。
本发明中，氟原子可通过上述方法被结合到表层之中，使得能够改进该表层的防水性，从而有效地防止电晕放电产物附着。
为了达到其较高的防水性，本发明者对于包含硅原子、碳原子与氢原子的表层进行了研究。结果发现，当存在于表层中的碳原子的悬挂键或者C-H键由C-F键代替并同时存在于最表层中的Si的悬挂键被氟化(即使其与氟结合)时，可获得具有高防水性和耐久性的表层。
比较这一防水性是通过基于在纯水滴放在评价样品上时所测量的接触角的评价而进行的。较大的接触角被评价为具有较高的防水性。
同时，当只有表层的最外层被氟化时发现，顺序地重复充电，曝光，显象，转印，分离和用于借助于叶片进行刮削清除的清除步骤的该电子照相装置中，光接收部件的最外层被调色剂擦伤并发现在调色剂中有磨削等，于是由于这样重复操作的结果防水性变得不那么有效。还企图使用氟型气体使得氟原子被有效地结合到表层之中。然而，在应用使用高频电功率的等离子体装置时，不容易如所希望那样将氟原子结合到膜中。即使如果能够将所希望含量的氟原子结合到膜中，该膜也不具有足够的机械强度，而且这种淀积要进行很长时间。于是要些方面要进一步改进。
本发明人对于以上问题进行了各种研究。结果发现，通过如上述重复膜形成和蚀刻多次，氟原子可以好的效率以及所希望的含量和改进的淀积速率结合到表层之中。
它们还发现，即使当表层的形成是通过使用不包含氟型气体的起动气体，通过事先以氟原子涂镀在其上形成淀积膜的表面进行的，在成膜过程中在该表面发生了氟原子与碳原子之间的反应而完全形成了氟原子作为终端剂被结合到其中的碳原子的三维网络。结果，可将氟原子结合到同时具有充分的机械强度和高的防水性的膜之中。这种方法中的淀积速率与该表面不涂镀氟原子的情形相同，并能够以对于实用而言充分大的速率成膜。
而且，在顺序地重复充电，曝光，显象，转印，分离和用于借助于叶片进行刮削清除的清除步骤的该电子照相装置中，即使光接收部件上面的表层的最外层已经被调色剂磨损并且在调色剂中含有磨削等，那么能够获得总是要含氟的具有高防水性的表层的表面，同时保持作为防护性表层所需的硬度和原来的摩擦阻力。根据本发明，氟原子通过特别施加具有50MHz到450MHz的放电频率的高频电功率之下形成表层还可以将氟原子以好的效率以及高的浓度结合到表层之中，因而本发明具有的效果是，表层能够有效地达到高超的清洁性能而不会引起调色剂的散布并防止了导线的污染。在包含氧原子或者氮原子的情形也发现了这种效果。
以下将参照附图详细说明本发明。
图1是一个简略的剖面，表示设有通过根据本发明的反复成膜和蚀刻，包括分别扩散到其中的氟原子以及与其结合的氟原子多个交替的区域的一个表层。图1中，标号101表示氟原子已经通过蚀刻和成膜而被含入其中的区域，102表示氟原子通过成膜之后的蚀刻以结合的状态出现的区域，以及100表示用于产生表层或者包含光电导层的光接收层所形成的一层。在这里所提供的图中所示的例子中，表层104是由八层组成的。该表层可由任意层数组成，只要它是由多层组成即可，通常层数最好可在4到50层的范围之内。至于最外层，它最好是特别经过蚀刻膜。通过一次所进行的成膜所淀积的膜的厚度可按照需要确定，并最好在30到2,500埃，并更好是从60到1,000埃。而且各个层可相应地在对于所有的层固定的条件下或者变化的条件下形成。例如，各个层可在向表面碳含量增加的方式下形成。
氟原子可按照以下方式结合到表层之中如同在形成通常的光接收层那样，淀积一薄层非晶形碳化硅(以下称为“a-SiC”)，然后引入氟型气体使得其表面受到蚀刻而引起氟原子该表面的结合。然后，在其上又淀积一薄层a-SiC，应用下淀积层的表面上的氟原子与上淀积层的反应而形成含有氟原子的a-SiC层。然后其表面受到如同前面一样的蚀刻。这一操作反复进行直至表层达到所需要的厚度，从而可形成分别在其中含有氟原子的以及与其结合的多个交替的区域。于是可获得具有高硬度和高防水性的表层。
包含在表层中的氟原子在层厚方向上是不均匀分布的。具体而言，该表层具有氟原子大的含量区域以及氟原子小的含量区域。例如，表层具有氟原子大的含量区域，以及插入其间的小的含量区域。该表层在氟原子大的含量区域与小的含量区域之间可能具有基本上不含氟原子的区域。
由蚀刻去除的层可能最好在大约20到2,000埃的深度，并更好是在50到500埃。
氟原子与其结合的区域可能最好为1到500埃的厚度中，并更好是在10到50埃的厚度。
作为用于蚀刻的氟型气体诸如最好可使用CF4，CHF3，CH2F2，CH3F，C2F6，以及ClF3等氟型气体。
图2简略地表示出根据本发明用于通过使用高频电源的等离子体辅助CVD生产光接收部件的淀积装置的一例。
简而言之，这一装置是由淀积系统2100，起动气体供给系统2200以及用于减小反应器2110的内部压力的抽空系统(未示出)构成的。在淀积系统2100中的反应器2110之中，装有在其上形成一个膜并接地的圆柱形衬底2112，一个用于加热圆柱形衬底2112的加热器2113，以及起动气体供给管路2114。高频电源通过高频匹配盒2115也连接到反应器。
起动气体供给系统2200的构成包括用于诸如SiH4，H2，CH4，NO，B2H6以及CF4等起动气体和蚀刻气体的汽缸2221到2226，阀门2231到2236，2241到2246以及2251到2256，及流量控制器2211到2216。用于各个成分气体的汽缸通过阀门2260连接到反应器2110中的气体供给管路2114。
用于形成本发明中的表层的高频电源最好在放电频率在50MHz到450MHz的范围使用。如果使用高于450MHz的放电频率，则放电的稳定性与均匀性可能变得不满意，而且放电可能被局部化，使得所淀积的膜可能具有不均匀的层厚。电源的输出功率最好在10W到5,000W的范围内，并且输出功率的范围没有特别的限制，只要能够产生适合于所使用的装置的电功率即可。至于输出可变的程度，对其数值也没有特别的限制，只要能够形成所需要的膜即可。
圆柱形衬底2112放置在导电底座2123之上，在此它与地连接。阴极2111由导电材料组成并以绝缘材料2121绝缘。作为用于导电基座2123中的导电材料，可使用铜、铝、金、银、铂、铅、镍、钴、铁、铬、钼、钛、不锈钢，这些材料的两种或多种合成材料。
作为用于阴极2111的绝缘材料，可使用诸如陶瓷、特氟隆、云母、玻璃、石英、硅橡胶、聚乙烯、以及聚丙烯类的绝缘材料。
作为高频匹配盒2115，具有任何结构的匹配盒均可使用，只要能够在高频电源2120与负载之间形成匹配即可。作为匹配的方法，最好可以是自动控制的，或者可以是人工控制但对于本发明不会造成不良效果。
作为要施加高频电功率的阴极2111，可以使用铜、铝、金、银、铂、铅、镍、钴、铁、铬、钼、钛、不锈钢，这些材料的两种或多种合成材料。该阴极最好能具有圆柱形，并可以选择具有椭圆形或者多角形。
阴极2111可选择地装设冷却装置。作为具体的冷却装置，阴极可以使用水、液氮、珀尔帖(Peltier)装置等冷却，这可根据情况的需要选择。图2中，示出一例，绝缘屏蔽板装设在反应器2110周围。
圆柱形衬底2112可以根据其使用由任何材料制成并具有任意形状。例如，就其形状而言，当生产电子照相感光部件时它最好能够是圆柱形的，或者可以选择扁平形状或其它形状。至于其材料，可以使用铜、铝、金、银、铂、铅、镍、钴、铁、铬、钼、钛、不锈钢，这些材料的两种或多种合成材料，以及外包导电材料的绝缘材料诸如聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯、乙酸纤维素、聚丙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、玻璃、石英、陶瓷、以及纸。
现参照图2中所示的装置说明形成光接收部件的过程一例。
圆柱形衬底2112置于反应器2110之中，反应器2110内借助于抽空装置(未示出；例如真空泵)被抽真空。然后，借助于用于加热圆柱形衬底的加热器2113控制圆柱形衬底2112的温度在所希望的温度，例如20℃到500℃。然后，在用于形成光接收部件的材料气体流入反应器2110之前，对于汽缸阀门2231到2236以及反应器的漏气阀门2117进行检查以确保它们关闭，并检查流入阀门2241到2246，流出阀门2251到2256以及辅助阀门2260以确保它们关闭。然后，打开主阀门2118抽空反应器2110的内部和供气管2116。
然后，在真空计2119读数指示大约5×10-6乇时，辅助阀门2260和流出阀门2251到2256关闭。然后，汽缸阀门2231到2236打开，使得气体分别从汽缸2221到2226导入，每一种气体控制通过操作压力控制器2261到2266具有2kg/cm2的压力。然后，流入阀门2241到246逐渐打开使得气体分别导入流量控制器2211到2116。
通过以上过程准备开始成膜之后，首先在圆柱形衬底2112上形成一个光电导层。
具体而言，在圆柱形衬底2112具有所需的温度时，阀门2251到2256之中的某些需要的流出阀门以及辅助阀门2260逐渐打开，使得所需的起动气体从汽缸2221到2226通过供气管2114供入反应器2110。然后，操作流量控制器2211到2216使得每一种起动气体被调节而以所希望的速率流动。在该过程中，观察真空计2119，调节主阀门2118的分流，使得反应器2110内部的压力成为不高于1乇的所需的压力。在内部压力变为稳定时，设置高频电源2120在所需的电功率，并通过高频匹配盒2115向阴极2111提供频率为1MHz到450MHz的高频电能以产生高频辉光放电。馈入反应器2110的起动气体被这样产生的放电能量分解，使得主要由硅原子组成的所需的光电导层在圆柱形衬底2112上淀积。带有所需厚度的膜形成之后，停止供给高频电能，关闭流出阀门2251到2256停止起动气体流入反应器2110。这样就完成了光电导层的形成。
包括光电导层的光接收层的组成和厚度可按通常那样选择。
包括光电导层与电荷注入阻挡层的光接收层可由非单晶材料形成。具体来说，可使用非晶形材料(它也包含微晶体)，多晶材料及其复合体。这些材料最好包含硅原子或者锗原子。如果必要，它们可包含能够控制电导类型的元素，诸如硼、砷和磷，以及碳、氧或氮中的至少一种元素。这些元素可由均匀分布或者不均匀分布，并且这些元素的分布和含量根据所希望的特性而定。
表层最好包含碳，例如它可由a-SixC1-x(0≤x＜1)表示。
当表层在光电导层上形成时，基本是重复以上的操作。即，成膜气体和蚀刻气体可以交替地供给。
具体而言，阀门2251到2256中的一些必要的流出阀门和辅助阀门2260被逐渐打开，使得对于表层所必须的起动气体从汽缸2221到2226通过供气管2114馈入反应器2110。
然后，操作流量控制器2211到2216使得每一种起动气体被调节而以所希望的速率流动。在该过程中，观察真空计2119，调节主阀门2118的分流，使得反应器2110内部的压力成为不高于1乇的所需的压力。在内部压力变为稳定时，设置高频电源2120在所需的电功率，并通过高频匹配盒2115向阴极2111提供频率为50MHz到450MHz范围的高频电能以产生高频辉光放电。馈入反应器2110的起动气体被这样产生的放电能量分解，使得形成一a-SiC淀积膜。带有所需厚度的膜形成之后，停止供给高频电能，关闭流出阀门2251到2256停止起动气体流入反应器2110。这样就完成了淀积膜的形成。
然后，阀门2251到2256中的一些必要的流出阀门和辅助阀门2260被逐渐打开，使得对于蚀刻所必须的氟型气体从汽缸2221到2226通过供气管2114馈入反应器2110。然后，操作流量控制器2211到2216使得氟型气体被调节而以所希望的速率流动。在该过程中，观察真空计2119，调节主阀门2118的分流，使得反应器2110内部的压力成为不高于1乇的所需的压力。在内部压力变为稳定时，设置高频电源2120为所需的电功率，并通过高频匹配盒2115向阴极2111提供频率为50MHz到450MHz范围的高频电能以产生高频辉光放电。馈入反应器2110的氟型气体被这样产生的放电能量分解并与以上所淀积的膜发生反应，使得进行淀积膜的蚀刻处理。在淀积膜以所需厚度蚀刻处理之后，停止供给高频电能，关闭流出阀门2251到2256停止氟型气体流入反应器2110。这样就完成了淀积膜的蚀刻处理。交替地重复前面的用于成膜的操作以及用于蚀刻的这一操作，直到获得所需的层厚。这样就形成了表层。
当成膜气体和氟型气体彼此交换时，每次可以清除保留在反应器2110内部的一种或者多种气体。从膜的附着性观点而言，最好是能够交替地控制流量控制器的流率而不清除反应器，至于放电也是如此，放电可以连续地进行而不要每次停止放电。
在进行成膜时，圆柱形衬底2112可由驱动装置(未示出)以所需的速度驱动旋转。
由该装置所形成的淀积膜是以a-Si型感光元件为示例的。典型的a-Si型感光元件的剖面简略表示在图3A与3B之中。
图3A表示包含由功能上不分开的单层所形成的光电导层303的单层型感光元件。图3B表示包含分为电荷产生层305与电荷传递层306的光电导层303的功能分开的感光元件的一例。
图3A所示的a-Si型光接收部件具有由铝等制成的导电的衬底301，及电荷注入阻挡层302，光电导层303以及表层304，这些层是以这一顺序在导电衬底301的表面上叠置形成的。这里，形成电荷注入阻挡层302是为了阻挡电荷从导电衬底301到光电导层303的注入，并可选择设置。光电导层303是由至少包含硅原子并表现出光电导性的非单晶材料形成的，最好是非晶形材料。而且，表层304至少包含碳原子、氢原子和氟原子，并由上述的工艺产生，并具有保持在电子照相装置中所形成的潜象的能力。在以下的说明中，电荷注入阻挡层302被认为是装设的，除非当效果取决于电荷注入阻挡层302是否装设而有所不同时的情形。电荷注入阻挡层302的功能可包含在光电导层303之中。
图3B所示的a-Si型光接收部件是功能分开型的，其中光电导层303是由按以下顺序形成的各层所构成的由至少包含硅原子和碳原子的非单晶材料最好是非晶形材料形成的电荷传递层306，以及由至少包含硅原子的非晶形材料所形成的电荷产生层305。当这一光接收部件暴露在光之中时，主要在电荷产生层305中所产生的载流子通过电荷传递层306到达导电衬底301。顺便而言，电荷产生层305和电荷传递层306可按照与图3B相反的方向顺序装设，即电荷产生层305可装设在导电衬底301的一侧。
图4简略示出电子照相装置一例，用于说明由电子照相装置所实施的成象方法的一例。光接收部件401借助于沿光接收部件401内侧所装设的表面加热器423被设置为可温控的，并沿所需的箭头x方向旋转。在光接收部件401的周围，按需要装设了以下装置主电晕组件402，静电潜象形成部分403，显象组件404，转印介质给进系统405，转印电晕组件406(a)，分离电晕组件406(b)，清洁器450，传递系统408，电荷消除光源409等等。
该成象方法的一个例子将更为具体地说明如下。光接收部件401借助于施加了+6到+8kV的高压的主电晕组件402均匀地充电。从灯泡410发出的光线由放置在原件玻璃板411上的原件412反射并通过反光镜413、414和415，通过透镜单元417的一个透镜418而形成一个图象，并然后作为携带信息的光线通过反光镜416被导向并投射到静电潜象形成部分，使得在光接收部件401上面形成一静电潜象。带有负极性的调色剂从显象组件404提供给该潜象。这一曝光可以不使用从原件所反射的光线进行，而是使用LED阵列，激光束，液晶曝光器阵列等进行，使得携带信息的光线被扫描而进行扫描曝光。
同时，诸如纸等一个转印介质(或者记录介质)P通过转印介质给进系统405并在光接收部件401的方向上给进，同时借助于对辊422调节其前导部分给进定时。具有与调色剂相反极性的正电场在施加了+6到+8kV高压转印电晕组件406(a)与光接收部件401的表面之间的间隙处在其背后加给转印介质P。结果，在光接收部件表面上所形成的负极性调色剂图象被转印到转印介质P上。然后，借助于施加了具有12至14VPP以及300到600Hz高压的AC电压的分离电晕组件406(b)，该图象从光接收部件401分离开。此后，转印介质P通过转印介质传递系统408到达定象组件424，在此调色剂图象被定象，而带有已定象的图象的转印介质P从该装置传送出。
残留在光接收部件401上的调色剂由装设在清洁器450中的由诸如硅橡胶或者尿烷人造橡胶等弹性材料制成的清洁辊407和清洁叶片421收集，而残留的静电潜象通过向来自电荷清除光源409的光线曝光被清除。
顺便来说，标号420表示装设的白曝光LED，以便选择地将光接收部件401对于光线曝光，使得在其超越转印介质P宽度延伸的部分的调色剂不会附着在光接收部件401的非图象区域。
图5，6和7是表示用于通过VHF等离子体辅助CVD生产具有不同于图2所示的装置的形式的光接收部件的装置的一例的简略图示。图7简略表示本装置的整体结构。图5简略表示其反应器部分的垂直剖面。图6则简略地表示在其反应器部分的横截剖面。
在图5到7中，标号5100表示一个淀积系统，该系统的构成使得它能够保持在降低了压力的气氛之中。标号5113表示一个开向反应器5111内部并在其另一端与一个抽真空系统(未示出)连接的抽气管。标号5130表示由多个圆柱形导电衬底5115围绕的放电空间。高频电源5119通过一高频匹配盒5112电连接到一阴极5118。圆柱形导电衬底5115每一个都围绕一个设置在一个支架5121上的转轴5114装设。起动气体供给系统5200具有分别封装有诸如SiH4，H2，CH4，N2，B2H6以及CF4等起动气体和蚀刻气体的汽缸5221到5226，阀门5231到5236，5241到5246以及5251到5256，和流量控制器5211到5216。用于各个起动气体的汽缸通过一个阀门5260连接到反应器5111中的供气管5117。
作为用于本发明的高频电源，任何电源都可以使用，只要能够输出具有作为至少用于形成表面层的放电频率的频率在50MHz到450MHz范围的电能即可。当然，为了形成其它层(或者区域)，最好能够控制该电源使得该电源能够输出具有不同于用于形成表层的频率的范围内的频率的电能，或者能够进而提供一个附加的电源使得该电源能够输出那样的电能。至于输出功率，具有任何输出功率的电源均可使用，只要它能够产生适合于供在从10W到5,000W范围内的输出功率使用的装置的输出功率即可。
至于输出可变性的等级，对其也没有特别的限制。
作为高频匹配盒5112，具有任何结构的匹配盒均可适用，只要它能够形成高频电源5119与负载之间的匹配即可。作为匹配的方法，最好是能够自动控制的，或者是能够人工控制而不会对于本发明产生任何不良效果。
作为用于被施加高频电能的阴极5118的材料，可使用铜、铝、金、银、铂、铅、镍、钴、铁、铬、钼、钛、不锈钢，和这些材料的两种或多种合成材料。该阴极最好能够具有圆柱形，并可选择椭圆形或者多角形。阴极5118可选择地装设冷却装置。作为一个具体的冷却装置，该电极可以使用水、液氮、珀尔帖(Peltier)装置等冷却，这可根据情况的要求选择。
圆柱形导电衬底5115可以根据其使用由任何材料制成并具有任意形状。例如，就其形状而言，当生产电子照相感光部件时它最好能够是圆柱形的，或者可以选择扁平形状或其它形状。至于其材料，可以使用铜、铝、金、银、铂、铅、镍、钴、铁、铬、钼、钛、不锈钢，这些材料的两种或多种合成材料，以及外包导电材料的绝缘材料诸如聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯、乙酸纤维素、聚丙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、玻璃、石英、陶瓷、以及纸。
以下将通过给出实验例子更为详细地说明本发明。但是无论如何本发明是不限于这些例子的。
实验例子1
使用如图2所示的等离子体辅助CVD装置在如表1所示的条件下生产了光接收部件。在重复成膜和蚀刻时通过一层在另一层之上叠置形成淀积膜而形成表层。这里，重复在表1所示的条件下形成具有膜厚为1,000埃的淀积膜并且在表2所示的条件下蚀刻处理具有膜厚1,000埃的用于蚀刻的淀积膜这500埃深度，从而形成包含氟原子并具有总的层厚为3,000埃的表层。作为氟源，分别使用了CF4，CHF3和ClF3生产了对应于此三种氟源的三个光接收部件。
为了评价以上三个光接收部件的防水性，应用了接触角计测量了它们的表面对于纯水的接触角。结果，所有的光接收部件表现出100度或者更大的接触角，已经达到高的防水性。然后，这三个光接收部件的每一个安装到一个复印机上，在30℃和80％RH的高温与高湿环境中进行1,000,000张A4-规格白纸的连续给进运行试验。在这一试验中，对于光接收部件没有使用任何加热装置，按顺序反复进行充电，曝光，显象，转印，分离与刮擦清除的步骤。
以上评价中所得结果示于表3之中。
正如从结果所见，在1,000,000张运行中，所有的三个光接收部件完全没有引起诸如模糊图象和斑迹等劣质图象。在1,000,000张运行之后，再次测量了接触角。结果，在所有的光接收部件中该接触角为100度或者更大，发现，关于用于蚀刻中的气体的种类，当使用任何氟型气体时可保持原有的防水性。对于运行之中的电晕组件导线的污染情况也进行了评价，这是基于不均匀的半色调图象浓度评价的。
(半色调评价)
以下将参照图4说明用于不均匀半色调图象浓度的评价方法。
控制主充电组件402的充电电流量，使得显象组件404位置的黑暗部位的电位为400V。基于反射浓度为0.3的一个原件置于原件玻璃板411上面，并控制卤灯410的灯光电压使得照明部分电位为200V，其中形成A3规格的半色调图象。应用这样形成的图象可观察到任何由于导线污染所引起的线条中的不均匀浓度。
以上评价所得结果示于表4之中。
在1,000,000张运行中，所有的光接收部件没有引起由于导线污染所形成的线条不均匀浓度。从这一结果发现，关于蚀刻中所用的气体种类，当使用任何氟型气体时可保持原有的防水性。
实验例子2
使用如图2所示的等离子体辅助CVD装置在如表1所示的条件下生产了光接收部件。在表层形成时，一次形成具有膜厚为3,500埃的淀积膜。这样形成的淀积膜在表2所示的条件下经受由氟仅对于其最外表面进行的蚀刻处理，并且该淀积膜被蚀刻达500埃深度，从而表层最后的厚度为3,000埃。
作为氟源，分别使用了CF4，CHF3和ClF3生产了对应于此三种氟源的三个光接收部件。
为了评价以上三个光接收部件的防水性，以实验例子1中相同的方式测量了它们的表面对于纯水的接触角。结果，所有的光接收部件表现出100度或者更大的接触角，已经达到高的防水性。
然后，对于这三个光接收部件按照实验例子1中相同的方式进行试验，即在30℃和80％RH的高温与高湿环境中进行1,000,000张A4-规格纸连续给进运行，以便对于模糊图象作出评价。在这一试验中，如同实验例子1中那样，对于光接收部件没有使用任何加热装置，按顺序反复进行充电，曝光，显象，转印，分离与刮擦清除的步骤。
以上评价中所得结果示于表3之中。
正如从结果所见，在1,000,000张运行中，所有的光接收部件在第500,000时及此后一些情形下引起模糊图象。
在1,000,000张运行之后再次测量了每一个光接收部件的接触角。结果，在所有的光接收部件中该接触角为50度或者更小的数值。
对于运行之中的电晕组件导线的污染情况也进行了评价，这是以类似于实验例子1中的方式基于不均匀的半色调图象浓度评价的。
以上评价所得结果示于表4之中。
正如从结果所见，在1,000,000张运行中，在所有的光接收部件中由导线污染所引起的线条不均匀浓度在实用中处于没有问题的水平。
表1生产光接收部件的条件
表2氟处理条件
表3
B某些情形下部分出现模糊图象。
C某些情形下整个区域上出现模糊图象。
表4
不均匀半色调图象浓度
AA很好，没有不均匀浓度。
A好，没有不均匀浓度。
B部分出现不均匀浓度(实用中没有问题)。
C一些情形下在图象的整个区域上出现线条不均匀浓度。
实验例子3
以实验例子1中类似的方式生产光接收部件，重复成膜和蚀刻以便形成总的层厚为3,000埃的表层，所不同之处在于，在形成表层时，淀积膜的厚度和通过蚀刻处理的蚀刻深度按如以下表5所示的五种方式变化。CF4用作为氟源。
表5
为了评价以上(A)到(B)五个光接收部件的防水性，以实验例子1中相同的方式测量了它们的表面对于纯水的接触角。结果，所有的光接收部件表现出100度或者更大的接触角，已经达到高的防水性。
然后，对于这五个光接收部件按照实验例子1中相同的方式进行试验，即在30℃和80％RH的高温与高湿环境中进行1,000,000张A4-规格纸连续给进运行，以便对于模糊图象作出评价。在这一试验中，如同实验例子1中那样，对于光接收部件没有使用任何加热装置，反复进行各个步骤。
以上评价中所得结果示于表6之中。
正如从结果所见，在1,000,000张运行中，所有的五个光接收部件完全没有引起诸如模糊图象和斑迹等劣质图象。在1,000,000张运行之后，再次测量了接触角。结果，在所有的光接收部件中该接触角为100度或者更大，发现只要每次蚀刻的深度至少在20埃，则可保持原有的防水性。
对于运行之中的电晕组件导线的污染情况也进行了评价，这是以类似于实验例子1中的方式基于不均匀的半色调图象浓度进行评价的。
以上评价所得结果示于表7之中。
在1,000,000张运行中，所有的光接收部件没有引起由于导线污染所形成的线条不均匀浓度。从这一结果发现，只要每次蚀刻的深度至少在20埃，则可保持原有的防水性。
实验例子4
使用如图2所示的等离子体辅助CVD装置在如表1所示的条件下生产了一个光接收部件。这里，表层是通过连续形成淀积膜而不插入蚀刻的步骤而形成的，使得具有膜厚为3,000埃。
为了评价以上光接收部件的防水性，以实验例子1中相同的方式测量了它的表面对于纯水的接触角。结果，该接触角为80度。
然后，对于这个光接收部件按照实验例子1中相同的方式进行试验，即在30℃和80％RH的高温与高湿环境中进行1,000,000张A4-规格纸连续给进运行，以便对于模糊图象作出评价。在这一试验中，如同实验例子1中那样，对于光接收部件没有使用任何加热装置，重复进行各个步骤。
以上评价中所得结果示于表6之中。
正如从结果所见，在1,000,000张运行中，该光接收部件在第1,000,000时及此后一些情形下引起模糊图象。在1,000,000张运行之后再次测量了该光接收部件的接触角。结果，该接触角为20度或者更小，断定对于不含氟原子的表层是不可能保持其原来的防水性的。
对于运行之中的电晕组件导线的污染情况也进行了评价，这是以类似于实验例子1中的方式基于不均匀的半色调图象浓度评价的。
以上评价所得结果示于表7之中。正如从结果所见，在1,000,000张运行中，在所有的光接收部件中由导线污染所引起的线条不均匀浓度在实用中处于没有问题的水平。
表6
A没有模糊图象。
B某些情形下部分出现模糊图象。
C某些情形下整个区域上出现模糊图象。
表7
不均匀半色调图象浓度
AA很好，没有不均匀浓度。
A好，没有不均匀浓度。
B部分出现不均匀浓度(实用中没有问题)。
C一些情形下在图象的整个区域上出现线条不均匀浓度。
实验例子5
以类似于实验例子1中的方式生产光接收部件，其中反复进行成膜和蚀刻以形成总的层厚为4,000埃的表层，所不同之处为，淀积膜厚度和蚀刻处理的蚀刻深度按以下表8所示的六种方式变化。CF4气体用作为氟源。
表8
为了评价以上(F)到(K)六个光接收部件的防水性，按实验例子1中类似的方式测量了它们的表面对于纯水的接触角。结果，所有的光接收部件表现出100度或者更大的接触角，已经达到高的防水性。
然后，以类似于实验例子1中类似的方式对于这六个光接收部件进行试验，在30℃和80％RH的高温与高湿环境中进行1,000,000张A4-规格的纸连续给进运行试验。在这一试验中，类似于试验例子1，对于光接收部件没有使用任何加热装置，重复进行各个步骤。
以上评价中所得结果示于表9之中。
正如从结果所见，在1,000,000张运行中，所有的光接收部件完全没有引起诸如模糊图象和斑迹等劣质图象。在1,000,000张运行之后，再次测量了接触角。结果，在除了(K)之外的光接收部件中该接触角为100度或者更大，发现可保持原有的防水性是可能的。可是关于光接收部件(K)，在500,000张运行之后接触角是75度。所有的光接收部件都没有引起诸如斑迹之类的劣质图象。
对于运行之中的电晕组件导线的污染情况也进行了评价，如同试验例子1中类似的方式那样，这是基于不均匀的半色调图象浓度评价的。
以上评价所得结果示于表10之中。
正如从结果中所见，在1,000,000张运行中，所有的光接收部件没有引起由于导线污染所形成的线条不均匀浓度。
从以上结果发现，在包含通过重复成膜与蚀刻而形成的淀积膜的表层的形成中，每一淀积膜的厚度最好不大于2,500埃。如果淀积膜的每一厚度小于30埃，则淀积膜可能不够均匀，或者由于蚀刻次数的增加，整个表层的形成需要较长的时间。
表9
A没有模糊图象。
B某些情形下部分出现模糊图象。
C某些情形下整个区域上出现模糊图象。
表10
不均匀半色调图象浓度
AA很好，没有不均匀浓度。
A好，没有不均匀浓度。
B部分出现不均匀浓度(实用中没有问题)。
C一些情形下在图象的整个区域上出现线条不均匀浓度。
实验例子6
以类似于实验例子1中的方式生产光接收部件，其中反复进行成膜和蚀刻以形成总的层厚为4,000埃的表层，所不同之处为，表层是应用13.5MHz的高频电能在以下表11所示的条件下形成的，并通过氟处理进行蚀刻，膜厚度和蚀刻处理的蚀刻深度按以下表12所示的六种方式变化。CF4气体用作为氟源。
表11
表12
为了评价以上(F′)到(K′)六个光接收部件的防水性，按实验例子1中类似的方式测量了它们的表面对于纯水的接触角。结果，所有的光接收部件表现出100度或者更大的接触角，已经达到高的防水性。
然后，以类似于实验例子1中类似的方式对于这六个光接收部件进行试验，在30℃和80％RH的高温与高湿环境中进行1,000,000张A4-规格的纸连续给进运行试验。在这一试验中，类似于试验例子1，对于光接收部件没有使用任何加热装置，重复进行各个步骤。
以上评价中所得结果示于表9之中。
正如从结果所见，在1,000,000张运行中，所有的光接收部件完全没有引起诸如模糊图象和斑迹等劣质图象。在1,000,000张运行之后，再次测量了接触角。结果，在除了(K′)之外的光接收部件中该接触角为75度或者更大，发现保持对于实用上耐久的防水性是可能的。而关于光接收部件(K′)，在1,000,000张运行之后接触角是50度。所有的光接收部件都没有引起诸如斑迹之类的劣质图象。
对于运行之中的电晕组件导线的污染情况也进行了评价，如同试验例子1中类似的方式那样，这是基于不均匀的半色调图象浓度评价的。
以上评价所得结果示于表10之中。
正如从表10所见，在1,000,000张运行中，由导线污染所引起的线条不均匀浓度处于在实用上没有问题的水平。然而，发现在1,000,000张运行结束时试验例子6的所有光接收部件已经部分地引起不均匀浓度
从上述结果已经发现，当用于形成表层的高频电源在50MHz到450MHz的频率使用时，可使得膜的结构更为紧密，氟原子能够以一种改进的性能被参入，并且清除性能比普通情形更有改进。
试验例子7
使用如图2所示的等离子体辅助CVD装置在如表1所示的条件下生产了光接收部件。在表层形成时，每次以膜厚为1,000埃形成淀积膜。这样形成的淀积膜在表2所示的条件下经受氟处理，这时以500埃的深度重复进行蚀刻，以形成包含氟原子的表层，包括每一具有如表13中所示的淀积膜。使用了CF4作为氟源。
表13
为了评价以上(L)到(O)四个光接收部件的防水性，按实验例子1中类似的方式测量了它们的表面对于纯水的接触角。结果，所有的光接收部件表现出100度或者更大的接触角，已经达到高的防水性。
然后，以类似于实验例子1中类似的方式对于这四个光接收部件进行试验，在30℃和80％RH的高温与高湿环境中进行1,000,000张A4-规格的纸连续给进运行试验。在这一试验中，类似于试验例子1，对于光接收部件没有使用任何加热装置，重复进行各个步骤。
以上评价中所得结果示于表14之中。
在1,000,000张运行中，所有的光接收部件完全没有引起诸如模糊图象与斑迹等劣质图象。从结果可见，在成膜和蚀刻处理这样一对重复进行至少两次时可获得本发明的效果。
对于运行之中的电晕组件导线的污染情况也进行了评价，这是以类似于实验例子1中的方式基于不均匀的半色调图象浓度评价的。
以上评价所得结果示于表15之中。正如从结果所见，在1,000,000张运行中，所有的光接收部件没有引起由导线污染所至的线条不均匀浓度。
表14
A没有模糊图象。
B某些情形下部分出现模糊图象。
C某些情形下整个区域上出现模糊图象。
表15
不均匀半色调图象浓度
AA很好，没有不均匀浓度。
A好，没有不均匀浓度。
B部分出现不均匀浓度(实用中没有问题)。
C一些情形下在图象的整个区域上出现线条不均匀浓度。
实验例子8
使用如图2所示的等离子体辅助CVD装置在如表16所示的条件下生产了光接收部件。在表层形成时，每次形成以膜厚为1,000埃的淀积膜。这样形成的淀积膜每次在表2所示的条件下经受氟处理，这时以500埃深度重复进行蚀刻，以便形成总厚度为3,000埃含氟原子的表层。
为了评价以上光接收部件的防水性，以实验例子1中相同的方式测量了它们的表面对于纯水的接触角。结果，该光接收部件表现出100度或者更大的接触角，已经达到高的防水性。
然后，对于这个光接收部件按照实验例子1中相同的方式进行试验，即在30℃和80％RH的高温与高湿环境中进行1,000,000张A4-规格纸连续给进运行，以便对于模糊图象作出评价。在这一试验中，如同实验例子1中那样，对于光接收部件没有使用任何加热装置，反复进行各个步骤。
以上评价中所得结果示于表17之中。正如从结果所见，在1,000,000张运行中，该光接收部件完全没有引起诸如模糊图象和斑迹等劣质图象。
对于运行之中的电晕组件导线的污染情况也进行了评价，这是以类似于实验例子1中的方式基于不均匀的半色调图象浓度进行评价的。
以上评价所得结果示于表18之中。正如从结果所见，在1,000,000张运行中，所有的光接收部件没有引起由于导线污染所形成的线条不均匀浓度。
从以上结果发现，表层没有受到其它层的层结构及放电频率的影响。
表16光接收部件的生产条件
表17
A没有模糊图象。
B某些情形下部分出现模糊图象。
C某些情形下整个区域上出现模糊图象。
表18
不均匀半色调图象浓度
AA很好，没有不均匀浓度。
A好，没有不均匀浓度。
B部分出现不均匀浓度(实用中没有问题)。
C一些情形下在图象的整个区域上出现线条不均匀浓度。
实验例子9
使用参照图5到7所示的等离子体辅助CVD装置在如表1所示的条件下生产了光接收部件。在表层形成时，重复进行一次形成以膜厚为1,000埃的淀积膜以及对于这样形成的淀积膜在表2所示的条件下的蚀刻达500埃深度的氟处理，以便形成总的层厚为3,000埃含氟原子的表层。
为了评价以上光接收部件的防水性，以实验例子1中相同的方式测量了它们的表面对于纯水的接触角。结果，该光接收部件表现出100度或者更大的接触角，已经达到高的防水性。
然后，对于这个光接收部件按照实验例子1中相同的方式进行试验，即在30℃和80％RH的高温与高湿环境中进行1,000,000张A4-规格纸连续给进运行，以便对于模糊图象作出评价。在这一情形中，也如同实验例子1中那样，运行是在没有使用任何对于光接收部件的加热装置情形下被试验的。
以上评价中所得结果示于表19之中。正如从结果所见，在1,000,000张运行中，该光接收部件完全没有引起诸如模糊图象以及斑迹之类的劣质图象。
对于运行之中的电晕组件导线的污染情况也进行了评价，这是以类似于实验例子1中的方式基于不均匀的半色调图象浓度评价的。
以上评价所得结果示于表20之中。正如从结果所见，在1,000,000张运行中，该光接收部件没有引起导线污染所至的线条不均匀浓度。
从以上结果发现，本发明的生产工艺不论成膜装置的结构如何都会带来好的结果。
表19
A没有模糊图象。
B某些情形下部分出现模糊图象。
C某些情形下整个区域上出现模糊图象。
表20
不均匀半色调图象浓度
AA很好，没有不均匀浓度。
A好，没有不均匀浓度。
B部分出现不均匀浓度(实用中没有问题)。
C一些情形下在图象的整个区域上出现线条不均匀浓度。
实验例子10
使用如图2所示的等离子体辅助CVD装置生产了光接收部件。在如表21所示的条件下形成下阻挡层，光电导层与表层。这里，构成表层的淀积膜是以膜厚1,000埃形成的。这样形成的1,000埃厚度的淀积膜在表22所示的条件下经受蚀刻以便蚀刻该膜达厚度500埃。然后在相同的条件下重复成膜和蚀刻处理以便形成含氟原子而总的层厚为3,000埃的表层。作为氟源，分别使用了CF4，CHF3和ClF3，从而生产了对应的三个光接收部件。
为了评价以上光接收部件的防水性，使用了接触角计测量了它们的表面对于纯水的接触角。结果，它们都表现出100度或者更大的接触角，已经达到高的防水性。
然后，对于这些光接收部件被安装在前述的复印机上，并在30℃和80％RH的高温与高湿环境中连续进纸1,000,000张A4-规格纸运行试验，以便对于模糊图象作出评价。在这一试验中，对于光接收部件没有使用任何加热装置，按顺序反复进行充电，曝光，显象，转印，分离与刮擦清除的步骤。
(关于模糊图象的评价)
作为关于模糊图象的评价，该评价是使用带有印刷在整个表面上的6号(point)或者更小的字符的测试图板进行的。考虑到近来逐渐增多使用的再生纸的纸尘的效果，或者低质量纸的使用，这次使用再生纸。这次所使用的纸包含大量的诸如滑石之类的涂料，众所周知它们对于模糊图象的特性是有很大影响的。
以上评价所得结果示于表23。在表23和相继类似的表中，字母符号表意如下
A清楚的图象。
B某些情形下部分出现模糊图象。
C某些情形下整个区域上出现模糊图象。
正如从结果所见，在1,000,000张运行中，所有的五个光接收部件完全没有引起诸如模糊图象和斑迹等劣质图象。在1,000,000张运行之后，再次测量了接触角。结果，在所有的光接收部件中该接触角为100度或者更大，发现可保持原有的防水性。
对于运行之中的电晕组件导线的污染情况也进行了评价，这是基于不均匀的半色调图象浓度进行评价的。
(半色调评价)
以下将参照图4说明用于不均匀半色调图象浓度的评价方法。
控制主电晕组件402的充电电流量，使得显象组件404位置的黑暗部位的电位为400V。带有反射浓度为0.3的一个原件置于原件玻璃板411上面，并控制卤灯410的灯光电压使得照明部分电位为200V，其中形成A3规格的半色调图象。应用这样形成的图象可观察到任何由于导线污染所引起的线条中的不均匀浓度。
以上评价所得结果示于表23之中。表23以及相继的类似的表中，字母符号的表意如下
AA很好，没有不均匀浓度。
A好，没有不均匀浓度。
B部分出现不均匀浓度(实用中没有问题)。
C一些情形下在图象的整个区域上出现线条不均匀浓度。
正如从结果所见，即使在1,000,000张运行中，所有的光接收部件没有引起由于导线污染所形成的线条不均匀浓度。从这一结果发现，关于蚀刻中所用的气体种类，当使用任何氟型气体时可保持原有的防水性。
表21光接收部件的生产条件
表22氟处理条件
表23
实验例子11
按照实验例子10类似的方式生产光接收部件，这时重复进行成膜与蚀刻处理以形成总层厚为3,000埃的表层，所不同之处在于，在表层形成时，分别按照以下表24中所示五种方式中的膜厚深度形成淀积膜以及通过氟处理进行蚀刻。CF4气体用作为氟源。
表24
为了评价以上(L)到(P)五个光接收部件的防水性，以实验例子10中相同的方式测量了它们的表面对于纯水的接触角。结果，所有的光接收部件表现出100度或者更大的接触角，已经达到高的防水性。
然后，对于这五个光接收部件按照实验例子10中相同的方式进行试验，这时按顺序类似地反复进行充电，曝光，显象，转印，分离与刮擦清除的步骤。
以上评价中所得结果示于表25之中。
正如从结果所见，在1,000,000张运行中，所有的五个光接收部件完全没有引起诸如模糊图象和斑迹等劣质图象。在1,000,000张运行之后，再次测量了接触角。结果，在所有的光接收部件中该接触角为100度或者更大，发现只要每次蚀刻的深度至少在20埃，则可保持原有的防水性。
对于运行之中的电晕组件导线的污染情况也进行了评价，这是以类似于实验例子10中的方式基于不均匀的半色调图象浓度进行评价的。这一评价所得结果示于表25之中。
在1,000,000张运行中，所有的光接收部件没有引起由于导线污染所形成的线条不均匀浓度。从这一结果发现，只要每次蚀刻的深度至少在20埃，则可保持原有的防水性。
表25
实验例子12
按照实验例子10类似的方式生产光接收部件，这时重复进行成膜与蚀刻处理以形成总层厚为4,000埃的表层，所不同之处在于，在表层形成时，分别按照以下表26中所示六种方式中的膜厚深度形成淀积膜以及通过氟处理进行蚀刻。CF4气体用作为氟源。
表26
为了评价以上(Q)到(V)六个光接收部件的防水性，以实验例子10中相同的方式测量了它们的表面对于纯水的接触角。结果，所有的光接收部件表现出100度或者更大的接触角，已经达到高的防水性。
然后，对于这六个光接收部件按照实验例子10中相同的方式进行试验，这时按顺序类似地反复进行充电，曝光，显象，转印，分离与刮擦清除的步骤。
以上评价中所得结果示于表27之中。
正如从结果所见，在1,000,000张运行中，所有的六个光接收部件完全没有引起诸如模糊图象和斑迹等劣质图象。在1,000,000张运行之后，再次测量了接触角。结果，在除了(V)之外所有的光接收部件中该接触角为100度或者更大，发现可保持原有的防水性。然而，对于光接收部件(V)在1,000,000张运行之后，接触角为50度。所有的光接收部件没有引起诸如斑迹等劣质图象。
对于运行之中的电晕组件导线的污染情况也进行了评价，这是以类似于实验例子10中的方式基于不均匀的半色调图象浓度进行评价的。这一评价所得结果示于表27之中。
正如从结果所见，在1,000,000张运行中，所有的光接收部件没有引起由于导线污染所形成的线条不均匀浓度。
从以上结果发现，重复成膜和蚀刻所形成的表层对于每一层淀积膜最好具有不大于2,000埃的厚度。还发现，如果厚度小于20埃，则可能出现困难，使得膜均匀性受到损害或者成膜需要很长时间。
表27实验例子13
以类似于实验例子10中的方式生产光接收部件，其间反复进行成膜和蚀刻以形成总的层厚为4,000埃的表层，所不同之处为，表层是应用13.56MHz的高频电能在以下表28所示的条件下形成的，并且分别按照以下表29所示的六种方式的膜厚度和深度形成表层的淀积膜，并通过氟处理进行蚀刻。CF4气体用作为氟源。
表28
表29
为了评价以上(Q′)到(V′)六个光接收部件的防水性，按实验例子10中类似的方式测量了它们的表面对于纯水的接触角。结果，所有的光接收部件表现出100度或者更大的接触角，已经达到高的防水性。
然后，以类似于实验例子10中类似的方式对于这六个光接收部件进行试验，这时按顺序类似地反复进行充电，曝光，显象，转印，分离与刮擦清除的步骤。
以上评价中所得结果示于表30之中。
正如从结果所见，在1,000,000张运行中，所有的光接收部件完全没有引起诸如模糊图象和斑迹等劣质图象。在1,000,000张运行之后，再次测量了接触角。结果，在除了(V′)之外的光接收部件中该接触角为100度或者更大，发现保持起始的防水性是可能的。而关于光接收部件(V′)，在1,000,000张运行之后接触角是50度。所有的光接收部件都没有引起诸如斑迹之类的劣质图象。
对于运行之中的电晕组件导线的污染情况也进行了评价，如同试验例子10中类似的方式那样，这是基于不均匀的半色调图象浓度评价的。这一评价所得结果示于表30之中。
正如从表10所见，在1,000,000张运行中，所有的光接收部件引起了由导线污染所至的线条不均匀浓度，但是处于在实用上没有问题的水平。
表30
实验例子14
应用图2所示的等离子体辅助CVD装置，按照实验例子10类似的方式生产光接收部件，形成含氟原子的表层，这时按照以下表31所示的六种方式中的条件进行成膜以及蚀刻处理，CF4气体用作为氟源。
表31
为了评价以上(X1)到(X4)四个光接收部件的防水性，按实验例子10中类似的方式测量了它们的表面对于纯水的接触角。结果，所有的光接收部件表现出100度或者更大的接触角，已经达到高的防水性。
然后，以类似于实验例子10中类似的方式对于这六个光接收部件进行试验，这时按顺序类似地反复进行充电，曝光，显象，转印，分离与刮擦清除的步骤。
以上评价中所得结果示于表32之中。
在1,000,000张运行中，所有的光接收部件完全没有引起诸如模糊图象和斑迹等劣质图象。正如从结果所见，当成膜和蚀刻处理的操作至少重复进行两次时，则可获得本发明的效果。
对于运行之中的电晕组件导线的污染情况也进行了评价，如同试验例子10中类似的方式那样，这是基于不均匀的半色调图象浓度评价的。这一评价所得结果示于表32之中。正如从结果所见，在1,000,000张运行中，所有的光接收部件没有引起由导线污染所至的线条不均匀浓度。
表32
试验例子15
使用如图2所示的等离子体辅助CVD装置在如表33所示的条件下生产了一个光接收部件。在表层形成时，每次以膜厚为1,000埃形成淀积膜。这样形成的淀积膜的每一个在表22所示的条件下经受氟处理，以500埃的深度进行蚀刻，从而形成包含氟原子具有总层厚为3,000埃的表层。
为了评价以上的光接收部件的防水性，以实验例子10中相同的方式测量了它们的表面对于纯水的接触角。结果，该光接收部件表现出100度或者更大的接触角，已经达到高的防水性。
然后，对于这个光接收部件按照实验例子10中相同的方式进行试验。
以上评价中所得结果示于表34之中。正如从结果所见，在1,000,000张运行中，该光接收部件完全没有引起诸如模糊图象和斑迹等劣质图象。
对于运行之中的电晕组件导线的污染情况也进行了评价，这是以类似于实验例子10中的方式基于不均匀的半色调图象浓度进行评价的。这一评价所得结果示于表34之中。正如从结果所见，在1,000,000张运行中，该光接收部件没有引起由于导线污染所形成的线条不均匀浓度。
从以上结果发现，本发明在除了表层中以外其它层为任何层结构和放电频率之下都能够是有效的。
表33光接收部件的生产条件
表34
试验例子16
使用如图5到7所示的等离子体辅助CVD装置在如表21所示的条件下生产了一个光接收部件。在表层形成时，每次以膜厚为1,000埃形成淀积膜。这样形成的淀积膜的每一个在表22所示的条件下经受氟处理，以500埃的深度进行蚀刻，从而形成包含氟原子具有总层厚为3,000埃的表层。
为了评价以上的光接收部件的防水性，以实验例子10中相同的方式测量了它们的表面对于纯水的接触角。结果，该光接收部件表现出100度或者更大的接触角，已经达到高的防水性。
然后，对于这个光接收部件按照实验例子10中相同的方式进行试验。
以上评价中所得结果示于表35之中。正如从结果所见，在1,000,000张运行中，该光接收部件完全没有引起诸如模糊图象和斑迹等劣质图象。
对于运行之中的电晕组件导线的污染情况也进行了评价，这是以类似于实验例子10中的方式基于不均匀的半色调图象浓度进行评价的。这一评价所得结果示于表34之中。正如从结果所见，在1,000,000张运行中，该光接收部件没有引起由于导线污染所形成的线条不均匀浓度。
从以上结果发现，本发明的生产工艺在光接收部件应用具有任何结构的装置生产时都能产生好的结果。
表35
试验例子17
使用如图2所示的等离子体辅助CVD装置生产了光接收部件。在如表36所示的条件下形成下阻挡层和光电导层。在直到完成了形成光电导层的各个膜时，其表面在表37中所示的条件下进行蚀刻，并然后在表38和37所示的条件下分别进行两次成膜和蚀刻以便形成表层。这样形成本发明的该表层。在形成这一表层时，淀积膜每次以1,000埃的厚度形成并且以200埃的深度进行蚀刻，于是总的层厚在1,600埃。
为了评价以上的光接收部件的防水性，以实验例子10中相同的方式测量了它们的表面对于纯水的接触角。结果，该光接收部件表现出100度或者更大的接触角，已经达到高的防水性。
然后，对于这个光接收部件按照实验例子10中相同的方式进行试验。
以上评价中所得结果示于表39之中。正如从结果所见，在1,000,000张运行中，该光接收部件完全没有引起诸如模糊图象和斑迹等劣质图象。
对于运行之中的电晕组件导线的污染情况也进行了评价，这是以类似于实验例子10中的方式基于不均匀的半色调图象浓度进行评价的。这一评价所得结果示于表39之中。正如从结果所见，在1,000,000张运行中，该光接收部件没有引起由于导线污染所形成的线条不均匀浓度。
表36生产光接收部件的条件
表37氟处理条件
表38表层形成条件
表39
试验例子18
使用如图2所示的等离子体辅助CVD装置生产了光接收部件。在如表40所示的条件下形成下阻挡层、光电导层和表层。本实验例子中，形成表层的成膜和蚀刻工艺过程进行五次，而每一工艺过程中的表层膜形成条件如表40中所示变化。各淀积膜在表41所示的条件下进行蚀刻。
为了评价以上的光接收部件的防水性，以实验例子10中相同的方式测量了它们的表面对于纯水的接触角。结果，该光接收部件表现出100度或者更大的接触角，已经达到高的防水性。
然后，对于这个光接收部件按照实验例子10中相同的方式进行试验。
以上评价中所得结果示于表42之中。正如从结果所见，在1,000,000张运行中，该光接收部件完全没有引起诸如模糊图象和斑迹等劣质图象。
对于运行之中的电晕组件导线的污染情况也进行了评价，这是以类似于实验例子10中的方式基于不均匀的半色调图象浓度进行评价的。这一评价所得结果示于表42之中。正如从结果所见，在1,000,000张运行中，该光接收部件没有引起由于导线污染所形成的线条不均匀浓度。
表40生产光接收部件的条件
表41氟处理条件
表42
实验例子19
下阻挡层(电荷注入阻挡层)和光电导层在表1所示的条件下作为接收层形成，并然后在表22所示的条件下该光电导层的表面经受氟处理。然后在表21所示的条件下在其上形成厚度为0.3μm的表层，并之后其表面进一步在表22所示的条件下经受氟处理。结果，如同实验例子10那样获得了具有高超性能的光接收部件。
实验例子20
下阻挡层和光电导层在表1所示的条件下作为接收层形成。然后在表1所示的表层形成条件下在其上形成厚度为0.3μm的a-SiC层，并且该a-SiC层的表面在表2所示的条件下经受氟处理。继而，在该氟处理后的a-SiC层上面在表21所示的表层形成条件下形成厚度1,000埃的一层，并且之后其表面进一步在表22所示的条件下经受氟处理。如同实验例子10那样于是获得了具有高超性能的光接收部件。
实验例子21
下阻挡层和光电导层在表43所示的条件下形成。然后在表43所示的表层形成条件下在其上形成一淀积膜，并且这样形成的该淀积膜在表44所示的条件下经受氟处理而进行厚度为500埃的蚀刻。继而，重复操作形成构成表层的另一层淀积膜，每次形成的淀积厚度为1,000埃，并在表44所示的条件下再次进行氟处理以进行深度为500埃的蚀刻。对于表层的这一成膜与蚀刻重复多次从而提供总的层厚为3,000埃的一层以形成含氟原子的表层。
然后，对于这个光接收部件按照实验例子1中相同的方式进行试验。
结果，在1,000,000张运行中，该光接收部件完全没有引起诸如模糊图象和斑迹等劣质图象。
从以上结果发现，在光接收部件具有a-C(非晶形碳)用于表层的一个层结构时，本发明也能够是有效的。
表43光接收部件生产条件
表44氟处理条件
实验例子22
下阻挡层和光电导层在表43所示的条件下形成。然后在表45A所示的条件下在其上形成一表层。在表层形成时，每一次形成具有膜厚为1,000埃的淀积膜。这样形成的每一淀积膜在表44所示的条件下经受氟处理以进行深度为500埃的蚀刻。继而，重复操作形成厚度为1,000埃的另一层淀积膜并在表44所示的条件下再次进行氟处理以进行深度为500埃的蚀刻。对于表层的这一成膜与蚀刻重复多次从而提供总的层厚为3,000埃以形成含氟原子的表层。
作为氟源，分别使用了CF4，CHF3和ClF3生产了对应于此三种氟源的三个光接收部件。
所有的光接收部件具有100度或者更大的接触角。以类似于实验例子1中类似的方式对于这些光接收部件进行试验。结果，在1,000,000张运行中，即使在含N的表层的情形下，所有的光接收部件完全没有引起诸如模糊图象和斑迹等劣质图象。在1,000,000张运行之后，再次测量了接触角。结果，所有的光接收部件中该接触角为75度或者更大。
表45A表层形成的条件
实验例子23
在如表43所示的条件下按顺序形成了下阻挡层、光电导层以及表层。这里，构成表层的淀积膜一次形成层厚为3,500埃。这样形成的表层在表44所示的条件下经受由氟处理仅对于其最外表面所进行的蚀刻，以进行蚀刻达500埃深度而形成层厚为3,000埃的表层。
作为氟源，分别使用了CF4，CHF3和ClF3生产了对应于此三种氟源的三个光接收部件。
为了评价以上三个光接收部件的防水性，测量了它们的表面对于纯水的接触角。结果，所有的光接收部件表现出100度或者更大的接触角，已经达到高的防水性。
这些光接收部件按照实验例子1中相同的方式进行试验。结果，在1,000,000张运行中，所有的光接收部件在第500,000时及此后一些情形下引起模糊图象。
在1,000,000张运行之后再次测量了每一个光接收部件的接触角。结果，在所有的光接收部件中该接触角为50度或者更小的数值。
实验例子24
以类似于实验例子22中的方式生产光接收部件，其中反复进行成膜和蚀刻以形成总的层厚为3,000埃的表层，所不同之处为，在表层形成中，在层厚和深度上分别按以下表45B所示的五种方式形成淀积膜并通过氟处理进行蚀刻。CF4气体用作为氟源。
表45B
测量了这样形成的光接收部件的表面的接触角。结果，所有的光接收部件表现出100度或者更大的接触角，已经达到高的防水性。
这些光接收部件也是按照实验例子1中相同的方式进行试验。结果，在1,000,000张运行中，所有的光接收部件完全没有引起诸如模糊图象和斑迹等劣质图象。在1,000,000张运行之后，再次测量了接触角。结果，在所有的光接收部件中该接触角为100度或者更大，发现只要每次蚀刻的深度至少在20埃，则可保持原有的防水性。
实验例子25
以类似于实验例子22中的方式生产光接收部件，其中反复进行成膜和蚀刻以形成总的层厚为4,000埃的表层，所不同之处为，在表层形成中，在层厚和深度上分别按以下表46所示的六种方式形成淀积膜并通过氟处理进行蚀刻。CF4气体用作为氟源。
表46
测量了这样形成的光接收部件的表面的接触角。结果，所有的光接收部件表现出100度或者更大的接触角，已经达到高的防水性。
这些光接收部件也是按照实验例子1中相同的方式进行运行试验。结果，在1,000,000张运行中，除了每次淀积膜层厚为2,500埃所有的光接收部件完全没有引起诸如模糊图象和斑迹等劣质图象。在1,000,000张运行之后，再次测量了接触角。结果，除了以上2,500埃淀积的之外在所有的光接收部件中该接触角为100度或者更大，发现保持原有的防水性是可能的。至于后者的光接收部件，在第500,000张及以后一些情形下它部分地引起了模糊图象，并在1,000,000张之后之后具有50度的接触角。所有的光接收部件没有引起诸如斑迹之类的劣质图象。
从以上结果发现，通过反复成膜和蚀刻所形成的表层对于每一层淀积膜可能最好具有2,000埃或者较小的层厚。
实验例子26
下阻挡层、光电导层及表层以类似于实验例子22中的方式按顺序形成。所不同之处在于，在表层形成时，构成表层的淀积膜每一次以膜厚为1,000埃形成。这样形成的每一淀积膜在表44所示的条件下经受氟处理以进行深度为500埃的蚀刻。继而，重复操作形成厚度为1,000埃的另一层淀积膜并在表44所示的条件下再次进行氟处理以进行深度为500埃的蚀刻。对于表层的这一成膜与蚀刻重复多次从而提供总的层厚为1,000埃、2,000埃、3,000埃或者4,000埃以形成含氟原子的表层。
对于这样形成的光接收部件的表面的接触角进行了测量。结果，所有的光接收部件表现出100度或者更大的接触角，已经达到高的防水性。
以类似于实验例子1中类似的方式对于这些光接收部件进行运行试验。结果，在1,000,000张运行中，所有的光接收部件完全没有引起诸如模糊图象和斑迹等劣质图象。
实验例子27
下阻挡层、光电导层及表层在表47中所示的条件下按顺序形成。这里，在表层形成时，构成光接收部件的表层的淀积膜每一次以膜厚为1,000埃形成。这样形成的淀积膜在表44所示的条件下经受氟处理以进行深度为500埃的蚀刻。继而，重复操作形成厚度为1,000埃的另一层淀积膜并在表44所示的条件下再次进行氟处理以进行深度为500埃的蚀刻。对于表层的这一成膜与蚀刻重复多次从而提供总的层厚为3,000埃以形成含氟原子的表层。
对于这样形成的光接收部件的表面的接触角进行了测量。结果，所有的光接收部件表现出100度或者更大的接触角，已经达到高的防水性。
然后，以类似于实验例子1中类似的方式对于这些光接收部件进行运行试验，发现它类似地具有高超的性能。
表47光接收部件的生产条件
实验例子28
下阻挡层和光电导层以类似于实验例子21中的方式形成。然后在表48所示的条件下在其上形成一表层。在该表层形成时，每一次形成膜厚为1,000埃的构成该表层的淀积膜。这样形成的每一淀积膜在表44所示的条件下经受氟处理以进行深度为500埃的蚀刻。继而，重复操作形成厚度为1,000埃的另一层淀积膜并在表44所示的条件下再次进行氟处理以进行深度为500埃的蚀刻。对于表层的这一成膜与蚀刻重复多次从而提供总的层厚为3,000埃以形成含氟原子的表层。
对于这样形成的光接收部件的表面的接触角进行了测量。结果，所有的光接收部件表现出100度或者更大的接触角，已经达到高的防水性。
以类似于实验例子1中类似的方式对于这些光接收部件进行运行试验，发现它类似地具有高超的性能。
从以上结果发现，在表层为包含O(氧)的层时本发明也能够是有效的。
表48
表层形成的条件
实验例子29
下阻挡层和光电导层以类似于实验例子20中的方式形成。然后在表49所示的条件下形成一表层。在这一表层形成时，每一次形成膜厚为1,000埃的构成该表层的淀积膜。这样形成的每一淀积膜在表44所示的条件下经受氟处理以进行深度为500埃的蚀刻。继而，重复操作形成厚度为1,000埃的另一层淀积膜并在表44所示的条件下再次进行氟处理以进行深度为500埃的蚀刻。对于表层的这一成膜与蚀刻重复多次从而提供总的层厚为3,000埃以形成含氟原子的表层。
对于这样形成的光接收部件的表面的接触角进行了测量。结果，所有的光接收部件表现出100度或者更大的接触角，已经达到高的防水性。
以类似于实验例子1中类似的方式对于这一光接收部件进行运行试验，发现它类似地具有高超的性能。
从以上结果发现，在光接收部件具有a-BN(非晶形氮化硼)用于表层的层结构时本发明也能够是有效的。
表49
表层形成的条件
已如上面的详述，本发明中光接收部件的表层是通过应用氟型气体多次重复成膜与蚀刻而形成的。因而，氟原子被有效地结合到表层之中。当这应用到电子照相装置之中时，即使重复进行充电、曝光、显象、转印、分离以及清除的步骤，也可很好地防止电晕放电产物的附着。而且，作为表面防护层所需的硬度丝毫没有受到损害，并因而即使该光接收部件的最外表面由于长期以叶片重复刮削清除而被磨损，表层仍然可保持其防水性，并可基本上不会由于环境的不同而引起吸湿性的变化。这样，即使对于光接收部件不装设加热装置，它也能够防止模糊图象和黯淡的图象的出现。而且，该光接收部件能够具有高超的清洁性能，并即使在复印过程重复了多次仍然能够保持这种清洁性能。于是，有可能防止由于调色剂的散布所引起的电晕组件的导线的污染所造成的不均匀图象浓度。此外，该光接收部件达到加热是不必要的，能够大大扩大可用调色剂的类型。
自不必说，本发明允许在本发明的要旨范围内适当的变化和组合，并绝不限于上述各实施例。
权利要求
1.用于生产包括表层的光接收部件的一种工艺，该工艺包括形成包含碳原子、氧原子与氮原子之中至少一种的非单晶材料层，并蚀刻该层，其中，形成与蚀刻在一个能够减少其内部压力的反应器中交替地重复进行多次以便在一个衬底上形成表层。
2.根据权利要求1的用于生产光接收部件的工艺，其中，蚀刻是通过使用含氟气体而进行的。
3.根据权利要求2的用于生产光接收部件的工艺，其中，含氟气体包含CF4，CHF3，C2F6和ClF3的至少一种。
4.根据权利要求1的用于生产光接收部件的工艺，其中，对于非单晶材料层的每次蚀刻的蚀刻深度至少在20埃。
5.根据权利要求1的用于生产光接收部件的工艺，其中，对于非单晶材料层的每次蚀刻的蚀刻深度至少在50埃。
6.根据权利要求1的用于生产光接收部件的工艺，其中，非单晶材料层是通过淀积形成的，使得每次的膜形成具有从30埃到2,500埃的厚度。
7.根据权利要求1的用于生产光接收部件的工艺，其中，非单晶材料层是通过淀积形成的，使得每次的膜形成具有从60埃到1,000埃的厚度。
8.根据权利要求1的用于生产光接收部件的工艺，其中，层的形成和蚀刻是成一对进行的，使得形成具有从10埃到2,000埃厚度的表层。
9.根据权利要求1的用于生产光接收部件的工艺，其中，层的形成和蚀刻是成一对进行的，使得形成具有从40埃到1,000埃厚度的表层。
10.根据权利要求1的用于生产光接收部件的工艺，其中，进行层的形成和蚀刻以便在表层中形成混合了氟原子的一个区域。
11.根据权利要求10的用于生产光接收部件的工艺，其中，该区域具有从1埃到500埃的厚度。
12.根据权利要求1的用于生产光接收部件的工艺，其中，该表层是在衬底上所形成的接收层上形成的。
13.根据权利要求12的用于生产光接收部件的工艺，其中，该接收层具有光电导性。
14.根据权利要求12的用于生产光接收部件的工艺，其中，该接收层包括光电导层。
15.根据权利要求14的用于生产光接收部件的工艺，其中，该光电导层是单层型的。
16.根据权利要求14的用于生产光接收部件的工艺，其中，该光电导层是功能分开型的。
17.根据权利要求14的用于生产光接收部件的工艺，其中，该光电导层包括电荷传递层和电荷产生层。
18.根据权利要求12的用于生产光接收部件的工艺，其中，该接收层在衬底侧包括电荷注入阻挡层。
19.根据权利要求12的用于生产光接收部件的工艺，其中，该接收层包括包含硅原子作为基质的非单晶材料。
20.根据权利要求1的用于生产光接收部件的工艺，其中，表层还包含硅原子。
21.根据权利要求1的用于生产光接收部件的工艺，其中，该非单晶材料层包括非晶形材料。
22.根据权利要求1的用于生产光接收部件的工艺，其中，表层是应用50MHz到450MHz的一个频率形成的。
23.根据权利要求1的用于生产光接收部件的工艺，其中，蚀刻是应用50MHz到450MHz的一个频率进行的。
24.根据权利要求1的用于生产光接收部件的工艺，其中，表层的形成和蚀刻都是应用50MHz到450MHz的一个频率进行的。
25.根据权利要求12的用于生产光接收部件的工艺，其中，接收层是应用1MHz到450MHz的一个频率形成的。
26.根据权利要求1的用于生产光接收部件的工艺，其中，表层包含碳原子。
27.根据权利要求26的用于生产光接收部件的工艺，其中，该表层具有的碳原子的含量向其表面一侧增加。
28.根据权利要求26的用于生产光接收部件的工艺，其中，该表层包括非单晶碳层。
29.根据权利要求2 7的用于生产光接收部件的工艺，其中，表层还包括硅原子。
30.根据权利要求1的用于生产光接收部件的工艺，其中，表层还包含氢原子。
31.一种用于生产包含表层的光接收部件的工艺过程，该工艺过程包括在一可降低其内部压力的反应器中进行的步骤在一衬底上进行蚀刻；形成包含碳原子、氧原子与氮原子至少之一的非单晶材料层；并蚀刻该非单晶材料层从而形成一表层。
32.根据权利要求31的用于生产光接收部件的工艺，其中，蚀刻是应用含氟气体进行的。
33.按照权利要求1的用于生产光接收部件的工艺过程所生产的一种光接收部件。
34.包括按照权利要求1的用于生产光接收部件的工艺过程所形成的光接收部件的电子照相装置。
35.应用通过权利要求1的方法所生产的光接收部件的电子照相方法，包括进行充电、曝光、显象、转印与清洁的步骤。
36.一种电子照相方法，包括使得一个光接收部件充电，用光线照射该充电后的光接收部件以形成一静电图象，使得以光线照射过的该光接收部件的表面显象而形成一调色剂图象，转印所形成的调色剂图象到一记录介质，并在转印了该调色剂图象之后清除该光接收部件的表面，其中，该光接收部件包括一个表层，该表层是在一个可降低其内部压力的反应器中通过在一衬底上所形成的接收层上形成至少包含碳原子的非单晶材料层并蚀刻该层而生产的，并且，其中该电子照相方法是在不加热该光接收部件之下而进行的。
37.一种光接收部件，包括一个衬底、一个接收层和一个表层，其中，该表层包括夹在以大浓度包含氟原子的区域之间的一个以小浓度包含氟原子的一个区域。
38.根据权利要求37的光接收部件，其中该表层包括SixC(1-x)(0≤X＜1)。
全文摘要
用于生产包括表层的光接收部件的一种工艺，该工艺包括形成包含碳原子、氧原子与氮原子之中至少一种的非单晶材料层，并以含氟原子的气体蚀刻该层，其中形成与蚀刻在一个能够减少其内部压力的反应器中交替地重复进行多次以便在一个衬底上形成表层；以及应用这种光接收部件的电子照相装置和应用这种光接收部件的电子照相方法。
文档编号H01L31/08GK1161476SQ96105669
公开日1997年10月8日 申请日期1996年4月26日 优先权日1995年4月26日
发明者植田重教, 桥爪淳一郎, 青木诚, 土田伸史 申请人:佳能株式会社