专利名称：新型绝缘栅场效应晶体管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种场效应晶体管，属于半导体器件技术领域。
在传统的MOS场效应晶体管中，都是采用二氧化硅介质膜作绝缘栅，由于二氧化硅介电常数较小，只有3.7左右，就使得场效应晶体管的性能如跨导、夹断电压、耐直流击穿等受到限制，为了改善场效应晶体管的性能，有人采用氮化硅和五氧化二钽等取代二氧化硅，或与二氧化硅复合作绝缘栅，但这两种材料的介电常数仍然较小，约为6.2-9.8，因此选用高介电常数材料作绝缘栅是提高场效应晶体管性能的关键。
本实用新型的目的是弥补现有技术的不足，提供一种采用具有高介电常数的材料作绝缘栅的新型绝缘栅场效应晶体管。
本实用新型的目的是通过以下技术措施完成的由硅基片、源区、漏区、绝缘栅、源电极、漏电极和栅电极构成的场效应晶体管，其中绝缘栅由钛酸铋(B12T12O7)或钛酸铋/二氧化硅复合层或钛酸铋/氧化镁复合层构成；绝缘栅的厚度为500-8000埃，钛酸铋/二氧化硅或钛酸铋/氧化镁复合绝缘栅中，钛酸铋层厚度为450-7500埃，二氧化硅或氧化镁层厚度为50-500埃。
本实用新型选用高介电常数材料作绝缘层和绝缘栅，可提高场效应管的跨导、耐直流击穿性能，降低夹断电压(或开启电压)。
以下为
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图1为本实用新型第一个实施例结构示意图。
图2为本实用新型第二个实施例结构示意图。
图3为本实用新型第三个实施例结构示意图。
其中，1.硅基片，2.源区，3.漏区，4.钛酸铋绝缘栅，5.源电极，6.漏电极，7.栅电极，8.绝缘栅中钛酸铋层，9.绝缘栅中二氧化硅层，10.绝缘栅中氧化镁层。
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
实施例1结构如图1所示，绝缘栅由钛酸铋作成，其厚度为3000埃。
实施例2结构如图2所示，绝缘栅由钛酸铋/二氧化硅复合层作成，其厚度为3000埃，其中钛酸铋层厚度为2800埃，二氧化硅层厚度为200埃。
实施例3结构如图3所示，绝缘栅由钛酸铋/氧化镁复合层作成，其厚度为3000埃，其中钛酸铋层厚度为2800埃，二氧化硅层厚度为200埃。
权利要求1.一种新型绝缘栅场效应晶体管，由硅基片、源区、漏区、绝缘栅、源电极、漏电极和栅电极构成，其特征在于，绝缘栅由下列材料之一作成(1).钛酸铋；(2).钛酸铋/二氧化硅复合层；(3).钛酸铋/氧化镁复合层。
2.根据权利要求1所述的新型绝缘栅场效应晶体管，其特征在于，所述的钛酸铋绝缘栅的厚度为500-8000埃。
3.根据权利要求1所述的新型绝缘栅场效应晶体管，其特征在于，所述的复合绝缘栅中，钛酸铋层厚度为450-7500埃，二氧化硅或氧化镁层厚度为50-500埃。
专利摘要本实用新型属于半导体器件技术领域，选用具有高介电常数材料钛酸铋或钛酸铋/二氧化硅复合层或钛酸铋/氧化镁复合层代替传统的二氧化硅作绝缘栅，绝缘栅的厚度为500-8000埃，在钛酸铋/二氧化硅或钛酸铋/氧化镁复合绝缘栅中，钛酸铋层厚度为450-7500埃，二氧化硅或氧化镁层厚度为50-500埃。可提高场效应管的跨导、耐直流击穿性能，降低夹断电压(或开启电压)。
文档编号H01L29/66GK2264416SQ9622795
公开日1997年10月8日 申请日期1996年5月29日 优先权日1996年5月29日
发明者王弘, 王民, 王卓, 尚淑霞 申请人:山东大学