专利名称：用于半导体器件的清洗/干燥台和生产线的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种清洗/干燥台及一种具有该种清洗/干燥台的半导体器件生产线。更具体地说，本发明涉及一种用在半导体器件生产线中的清洗/干燥系统，其中可以以高度的灵活性来选择两种不同的清洗处理(即，清洗操作)和两种不同的干燥处理(即，干燥操作)，以及一种其中具有这样一种清洗/干燥系统并对清洗装置和干燥装置的布局或排列进行了优化的半导体器件生产线。
在制造半导体器件的过程中，在对晶片所进行的多种加工处理的每一项之前和之后均要进行用于湿洗晶片的清洗处理以及紧接者清洗处理之后用于对该晶片进行干燥的干燥处理。
例如，当对一个晶片进行干法腐蚀时，首先要进行一次清洗处理以将要干腐蚀的晶片表面上的杂质清除，而后要进行一次干燥处理以将清洗后的晶片干燥。在每次加工处理之前和之后，比如，在一个晶片上形成一层氧化硅膜之前，在离子注入之后，以及在外延生长之前，几乎均要不可避免地进行这样的清洗处理。即在许多情况中，在两个连续的加工处理之间均要进行清洗处理。另外，在清洗处理之后通常还要进行干燥处理。一般来说，清洗处理包括利用化学溶液来清洗晶片的化学清洗步骤，及利用清水将残留在晶片上的化学溶液清除掉的清水漂洗步骤。
一起使用化学清洗步骤和清水漂洗步骤的一个典型示例是RCA清洗处理。该RCA处理包括在其中先用一种含有预定比例的铵，过氧化氢和水的混合清洗液来清洗一个晶片，而后利用纯净水来进行漂洗的第一步骤；在其中先将该晶片浸入到稀释HF水溶液中，而后利用纯净水来进行漂洗的第二步骤；以及在其中先用一种含有预定比例的盐酸，过氧化氢及水的混合清洗液来清洗一个晶片，而后利用纯净水对其进行漂洗的第三步骤。
另外还有一种利用盐酸或含有0.5％的盐酸和1-10％的过氧化氢的盐酸-过氧化氢的清洗液的将天然氧化膜和金属杂质从一个晶片上清除掉，而后用纯净水进行漂洗的专用清洗方法。
本文中，将使用这样一种基于盐酸的化学溶液的处理称为“利用HF(清洗)溶液进行清洗”，而将使用基于非盐酸的化学溶液的处理，如碱洗，酸洗或RCA清洗称为“利用非HF(清洗)溶液进行清洗”。
通常在清洗之后是利用一种旋转甩干装置来进行干燥处理的。在漂洗步骤之后，将所清洗的晶片在该种旋转甩干装置中快速旋转以通过离心力和气流的作用将存留在该晶片上的水清除掉。该旋转甩干装置可以以较高的吞吐量来甩干晶片，但其并不能将水彻底地清除掉，从而会在晶片上形成水印及诸如此类的东西。该种旋转甩干装置是高吞吐量/低性能干燥装置的一个典型例子，其主要用于利用非HF清洗液所进行的清洗处理之后通常不需要很高的干燥性能的干燥处理中。
常规的旋转甩干装置分为3类；即多片匣甩干器，单片匣甩干器，和单晶片甩干器。单片匣旋转甩干器的一个例子为旋转类型，其中如
图1所示，一个运送晶片“W”的单片匣“C”被放在一个绕偏心轴“E”旋转的滚筒“D”中。多片匣旋转甩干器的一个例子为回转类型，其中如图2所示，两个分别运送晶片“W”的片匣“K”被面对面地放在一个绕垂直旋转轴“F”旋转的滚筒“D”中的径向位置上。
随着用于半导体器件的晶片直径不断增大，元件尺寸的减小和多层布线的采用，包括晶片表面上的凸出和下凹的晶片表面形貌变得更加精细，而形貌中的水平差也将增大。因此，通孔的纵横比也随之增大。因此，利用旋转甩干方法已很难将晶片甩干到所需的干燥程度，由此将会导致出现诸如在晶片表面上产生水印，及由于通孔底部未被完全干燥而使得该通孔的接触电阻升高等多种问题。
为解决上述问题，最近又出现了一种利用IPA(异丙醇)的IPA蒸发干燥技术。如图3所示，在一种使用IPA蒸发干燥技术的IPA蒸发干燥装置中，残留在一个晶片上的小水滴或水膜被代替为随后被允许滴落并在最后被蒸发掉的浓缩IPA。因而使晶片得到了干燥。
由于该IPA蒸发干燥装置(以下简称为“IPA干燥装置”)几乎能够完全地用IPA来代替晶片上的水，而在替换之后该IPA又可以被蒸发掉，所以将不太会产生水印。该IPA干燥装置是高性能/低吞吐量干燥器的一个典型例子，其主要是用于使用HF清洗液进行完清洗处理之后通常需要高干燥性能的干燥处理中。
另外，还研制了一种利用包括一个清洗装置和一个干燥装置在内的一个集成设备所进行的直接IPA干燥方法。此方法中，在一个封闭空间内进行清洗、漂洗和干燥以尽量减少晶片暴露在氧化气体中的机会，不然的话，当晶片从漂洗台运送到干燥台的过程中将会暴露在空气中。
在一种常规的半导体器件生产线中，为了确保干燥处理的高吞吐量，在使用非HF清洗液所进行的清洗处理如碱洗，酸洗或RCA清洗之后另外提供了一种不需要将晶片干燥到很高程度的高吞吐量/低性能的干燥装置。另一方面，为了确保干燥处理的高质量，在清洗处理如使用HF清洗液所进行的化学清洗处理之后另外提供了一种低吞吐量/高性能的干燥装置。
接下来将参照图4对一种常规的半导体器件生产线进行说明。该种常规的生产线90包括一系列分别对晶片进行一种预定加工处理的加工台92A-92E。将一个晶片运送到这些加工台92A-92E并顺序地在这些加工台92A-92E中对其进行相应的加工处理。在生产线90中，在每个加工台92处进行加工处理之前和/或之后必须进行清洗/干燥处理。
比如，在形成一层栅氧化物膜的步骤中，要先对一层氧化膜进行湿法蚀刻，随后还要对一层氮膜进行湿法蚀刻。在对该氧化膜进行湿法蚀刻的过程中，杂质被溶解到清水滴中，从而使晶片表面受到了污染。为了抑制这种污染，通常要利用一种HF清洗液对晶片进行清洗，并随后对其进行IPA干燥。另外，当在晶片上的一个夹层绝缘膜中形成插头并使这些插头穿透该绝缘膜时，将对该绝缘膜进行蚀刻以形成随后利用非HF清洗液进行对其清洗的连接孔，接下来对该晶片进行旋转甩干。在此处理中，为了抑制水印的产生，将利用HF清洗液对该晶片进行清洗，而后再对其进行IPA干燥。
在生产线90中，在加工台92A和92D处进行完加工处理之后，将执行一种利用HF清洗液的清洗处理和一种高性能的干燥处理。另外，在加工台92B和92C处进行完加工处理之后，将执行一种利用非HF清洗液的清洗处理和一种低性能的干燥处理。
因此，在常规的生产线90中，在92A和92D每个之后分别提供有一个使用HF清洗液的清洗装置94和一个IPA干燥装置96，在92B和92C每个之后分别提供有一个使用非HF清洗液的清洗装置98和一个旋转甩干装置100。
如上所述的常规半导体器件生产线涉及如下的多种问题。
首先，每个加工台均同时配备有一个HF清洗装置和一个高性能干燥装置，或一个非HF清洗装置及一个低性能干燥装置。因此，在选择清洗处理和干燥处理方面的灵活性将变得很低。比如，为了应付晶片直径增大，元件尺寸减小和采用多层布线等情况，不需要HF清洗液的常规清洗条件将变为需要HF清洗液的清洗条件。然而，由于常规半导体器件生产线中的相关加工台的下端仅提供了非HF清洗装置和旋转甩干装置，所以清洗条件将很难改变。
另外，当提供的是一种低性能干燥装置时，在HF加工处理或诸如此类需要高程度干燥的加工处理之后将不能进行充分地干燥，从而会在接下来的步骤中产生问题。与此相反，当仅需要低程度的干燥而却提供了高性能的干燥装置时，整个半导体器件生产线的吞吐量将降低，从而使产品的成本升高。如果为了解决上述问题而同时采用了两种干燥装置，即高性能干燥装置和低性能干燥装置，则生产设备的成本又将上升。
其次，存在一个问题在于半导体器件生产线的吞吐量将取决于某一个干燥装置的吞吐量。比如，当提供的是高性能干燥装置时，则半导体器件生产线的吞吐量将大部分取决于该高性能干燥装置的吞吐量。
再其次，当在每个加工台之前或之后均提供了一个清洗装置和干燥装置时，将需要很大数量的清洗装置和干燥装置。因此，清洗和干燥装置的设备成本将变得很高，从而使清洗和干燥晶片的成本也变得很高。此外，由于仅有在极少数的情况下这些清洗和干燥装置才会一直工作，所以清洗和干燥装置的空载时间将变得很长。
考虑到常规半导体器件生产线中所涉及的这些问题以及考虑到生产下一代直径为300mm的晶片的需要，必须以一种能够提高对晶片的清洗和干燥处理质量、降低清洗/干燥成本并提高这些处理的灵活性的方式来提供清洗装置和干燥装置。
考虑到上文所述的情况，本发明的一个目的是提供一种以高度灵活的方式提供清洗和干燥处理的清洗/干燥系统。
本发明的另一个目的是提供一种为提高清洗和干燥处理的灵活性而被优化的半导体器件生产线。
本发明提供了一种清洗/干燥系统，其特征在于包括使用HF清洗液清洗晶片的第一清洗装置，使用非HF清洗液清洗晶片的第二清洗装置，用于干燥晶片的高性能干燥装置，及一个以较快速度清洗晶片并使晶片干燥程度低于用高性能干燥装置干燥的快速干燥装置，其中根据所需的清洗条件来选择第一清洗装置和第二清洗装置，而根据所需的干燥条件来选择高性能干燥装置和快速干燥装置。
本发明还提供了一种生产线，其特征在于包括一系列分别用于在该生产线中根据所需处理来对一个晶片进行处理的加工台；一个清洗/干燥台，其包括使用HF清洗液来清洗晶片的第一清洗装置，使用非HF清洗液来清洗晶片的第二清洗装置，用于干燥晶片的高性能干燥装置，一个以较快速度清洗晶片并使晶片干燥程度低于用高性能干燥装置干燥的快速干燥装置，其中根据所需的清洗条件来选择第一清洗装置和第二清洗装置，而根据所需的干燥条件来选择高性能干燥装置和快速干燥装置；一个用于在每个加工台和清洗/干燥台之间运送晶片的晶片运送系统。
根据本发明的清洗/干燥台和生产线，可以在不增加成本或生产线空间的情况下增大选择清洗装置和干燥装置的灵活性。
在接下来参照附图所进行的详细说明中，本发明的上述和其它目的、特性和优点将变得更加清晰。
图1所示为一种旋转类型的旋转甩干装置的简要全视图；图2所示为一种回转类型的旋转甩干装置的简要全视图；图3为显示IPA干燥方法原理的简要剖面图；图4所示为常规的半导体器件生产线的简要方框图；图5所示为根据本发明的第一实施例的清洗和干燥系统的简要方框图；图6所示为根据本发明的第二实施例的半导体器件生产线的示意简图；图7所示为根据本发明的第三实施例的半导体器件生产线的示意简图；图8所示为根据本发明的第四实施例的半导体器件生产线的示意简图；图9所示为根据本发明的第五实施例的半导体器件生产线的示意简图；现在，将参照附图对本发明进行更具体地说明。第一实施例参照图5，根据本实施例的清洗/干燥台1适用于在半导体器件的制造处理中对一个晶片进行清洗/干燥。该清洗/干燥台1包括使用HF清洗液的清洗装置2，使用非HF清洗液的清洗装置3，用作高性能干燥装置的IPA干燥装置，及用作快速干燥装置的旋转甩干装置5。另外，清洗/干燥台1还包括能够通过遥控进行操作的晶片搬运机器人6。该机器人6在第一和第二清洗装置2或3处从台1即一个加工台的外面接收一个晶片，并将该晶片从干燥装置4或5运送到为下一工段所配置的另一加工台。
在本实施例中，根据所需的清洗条件选出一个所需的清洗装置2或3，并根据所需的干燥条件来选出一个所需的干燥装置4或5。第二实施例参照图6，本实施例的目的是发明一种用于制造半导体器件的生产线10，其包括一系列分别对晶片进行所需加工处理的加工台12A到12E，及清洗/干燥台14。将晶片运送到加工台12A-12E并在加工台12A到12E对其连续地进行相应的加工处理。在生产线10中，在每个加工台12A到12E的加工处理之前和/或之后均要进行清洗/干燥处理。
生产线10中还配置了作为用于在对生产线10的集中控制下进行清洗和干燥处理的集中台的清洗/干燥台14。生产线10还包括一个晶片运送系统，其包括一个用于快速地在生产线10中的加工台12A到12E与单独的集中式清洗/干燥台14之间运送晶片的运送装置16。也可以代之以配置有限数目的集中式清洗/干燥台(例如，两个)14。
集中式清洗/干燥台14包括使用HF清洗液的清洗装置18，使用非HF清洗液的清洗装置20，用作高性能干燥装置的IPA干燥装置I22，及用作快速干燥装置的旋转甩干装置24。另外，清洗/干燥台14还包括一个用于搬运晶片的晶片搬运机器人(未示出)。
用于快速地运送晶片的运送装置16为管状类型，其包括提供于清洗室天花板上用于利用线性电机来运送晶片的运送管道网络。该运送管的内部充满了一种惰性气体以向晶片提供一种惰性气体环境从而防止在运送过程中使晶片受到污染。如下所述的每个实施例均包括这样一种该管道类型的晶片运送系统。
本实施例中，如实线所示，在各个加工台12A到12E处所处理的晶片由运送装置16快速地运送到集中式清洗/干燥台14。接着，将这些晶片分组，并根据所需的清洗条件选择清洗装置18和20中合适的一个，而根据所需的干燥条件从干燥装置22和24中选出合适的一个。比如，需要HF清洗处理的晶片由清洗装置18利用HF清洗液进行清洗并随后由IPA干燥装置22进行干燥。另一方面，需要非HF清洗处理的晶片由清洗装置20利用非HF清洗液进行清洗并随后由旋转甩干装置24进行甩干。
如虚线所示，甩干后的晶片由运送装置16或普通的运送装置运送到下一工段。
在该第二实施例中，在每个加工台12处完成处理之后，可以通过选择性地使用在集中式清洗/干燥台14中所提供的不同类型的清洗装置18和20及干燥装置22和24来对晶片进行清洗和干燥。因此，其将提高旋转清洗和干燥处理方面的灵活性。
在本实施例中，通过提高IPA干燥装置22的吞吐量，将可以提高生产线10的总吞吐量。另外，通过将该集中式清洗/干燥台14配置在一个最优位置上，也可以对生产线的布局进行优化。第三实施例参照图7，本实施例的一种生产线30用于制造半导体器件，并包括一系列分别对晶片进行一种预定的加工处理的加工台32A-32E。生产线30另外包括一个单独的集中式清洗/干燥台38，其包括HF清洗装置34，高性能的IPA干燥制造36，及搬运机器人(未示出)。也可以代之以配置有限数目的清洗/干燥台38(例如，两个)。另外，还提供了一个用于快速地将晶片从加工台32A-32E运送到该集中式清洗/干燥台38的晶片运送装置40。另一方面，在加工台32B和32C每个之后还提供了一个作为分布式清洗/干燥台并包括非HF清洗装置42和旋转甩干装置44的清洗/干燥台46。
将一个晶片运送到加工台32A-32E并由加工台32A-32E对其连续地进行相应的加工处理。在生产线30中，在每个加工台32的处理之前和/或之后均要对晶片进行清洗/干燥处理。
本实施例中，在加工台32A和32D处进行完加工处理之后将执行使用HF清洗液的清洗处理和高性能干燥处理。另一方面，在加工台32B和32C处进行完加工处理之后将执行使用非HF清洗液的清洗处理和快速干燥处理。
本实施例中，如实线所示，在加工台32A和32D处所处理的晶片由晶片运送装置40快速地运送到集中式清洗/干燥台38。接着，这些晶片由搬运机器人传送到HF清洗装置34中并利用HF清洗液对其进行清洗。接着，这些晶片被传送到IPA干燥制造36中并对其进行IPA干燥处理。如虚线所示，干燥后的晶片由晶片运送装置40或普通的运送装置运送到下一个加工台32B或32E。
将在加工台32B和32C处处理完的晶片运送到相应的分布式清洗/干燥台46，在此由非HF清洗装置42对这些晶片进行非HF清洗处理并随后由旋转甩干装置44进行旋转甩干。
在本第三实施例中，在加工台32A和32D每个进行完处理之后，提供于集中式清洗/干燥台38中的HF清洗装置34和IPA干燥装置36将在防止生长天然氧化膜的情况下对其进行一次HF清洗处理和一次高性能干燥处理。分布式清洗/干燥台46能够在不使用集中式加工台38的情况下对晶片进行快速地处理。通过将该集中式清洗/干燥台38配置在一个最优位置上以及将该分布式清洗/干燥台46配置在多个所需位置上可以对生产线30的布局进行优化。第四实施例参照图8，本实施例的一种生产线50也用于制造半导体器件，并包括一系列分别对晶片进行一种预定加工处理的加工台52A-52D。将一个晶片运送到52A-52D并在加工台52A-52D对其连续地进行相应的加工处理。在生产线50中，在每个加工台52之前和/或之后均要对晶片进行清洗/干燥处理。
本实施例中，在生产线50中配置有一个单独的集中式清洗/干燥台58，其包括非HF清洗装置54，低性能旋转甩干制造56，及搬运机器人(未示出)。然而，在生产线50中也可以代之以有限数目的清洗/干燥台58(例如，两个)。其还提供了一个晶片运送装置60以用于快速地将晶片从加工台52B和52C运送到集中式清洗/干燥台58。
在加工台52A和52B之间及集中式清洗/干燥台58和加工台52D之间提供了多个分别包括一个HF清洗装置62和一个IPA干燥装置64的高性能清洗/干燥台66。
本实施例中，在加工台52A进行完加工处理之后将执行使用HF清洗液的清洗处理和高性能干燥处理。另外，在加工台52B进行完加工处理之后将执行使用非HF清洗液的清洗处理和低性能干燥处理。而且，在加工台52C进行完加工处理之后将执行使用非HF清洗液的清洗处理和一种低性能干燥处理，随后将执行一种使用HF清洗液的清洗处理和一种高性能干燥处理。
如实线所示，在加工台52B处所处理的晶片由晶片运送装置60快速运送到集中式清洗/干燥台58。接着，这些晶片由搬运机器人传入到非HF清洗装置54中以利用非HF清洗液对其进行清洗。接着，这些晶片被传入到旋转甩干制造56中以对其进行旋转甩干处理。如虚线所示，甩干后的晶片由晶片运送装置60或普通的运送装置运送到下一加工台52C。
如实线所示，在加工台52C处所处理的晶片由晶片运送装置60快速运送到集中式清洗/干燥台58。接着，这些晶片由搬运机器人传入到非HF清洗装置54中以利用非HF清洗液对其进行清洗。接着，这些晶片被传入到旋转甩干制造56中以对其进行旋转甩干处理。甩干后的晶片由晶片运送装置60运送到分布式清洗/干燥台66中，在此这些晶片由HF清洗装置62进行一次HF清洗处理，随后由IPA干燥装置64对其进行IPA干燥处理。随后将干燥后的晶片运送到加工台52D。
在本第四实施例中，提供于集中式清洗/干燥台58中的非HF清洗装置54和旋转甩干装置56提供了在每个加工台52进行完处理之后再进行非HF清洗处理的最佳选择，从而可以在具有较高吞吐量的情况下进行清洗和干燥。另外，还可以获得清洗处理的一个选择组合，其中HF清洗处理是在非HF清洗处理之后进行的。因此，将进一步提高清洗和干燥处理的灵活性。
通过将集中式清洗/干燥台58配置在一个最优位置上可以对生产线50的布局进行优化。第五实施例参照图9，本实施例的一种生产线70也用于制造半导体器件，并包括一系列分别对晶片进行一种预定加工处理的加工台72A-72F。将一个晶片运送到加工台72A-72F并在加工台72A-72F对其连续地进行相应的加工处理。在生产线70中，在每个加工台72之前和/或之后将对晶片进行清洗/干燥处理。
本实施例中，在生产线70中配置有一个单独的集中式清洗/干燥台78，其包括一个HF清洗装置74，一个高性能IPA干燥装置76，及一个搬运机器人(未示出)。然而，在生产线70中也可以代之以有限数目的清洗/干燥台(例如，两个)。其还提供了一个第一晶片运送装置80以用于快速地将晶片从72A和72D运送到第一集中式清洗/干燥台78。
另外，在生产线70中还配置有一个包括一个非HF清洗装置82，一个低性能旋转甩干装置84和一个搬运机器人(未示出)的单独的第二集中式清洗/干燥台86。在生产线70中也可以代之以有限数目的清洗/干燥台86n(例如，两个)。其还提供了第二晶片运送装置88以将晶片快速地从加工台72B,72C和72E运送到第二集中式清洗/干燥台86。
另外，其还提供了一个第三晶片运送装置89以将晶片快速地从第二集中式清洗/干燥台86通过第一集中式清洗/干燥台78运送到加工台72F。
本实施例中，在加工台72A和72D进行完加工处理之后将执行使用HF清洗液的清洗处理和高性能干燥处理。另外，在加工台72B和72C进行完加工处理之后将执行使用非HF清洗液的清洗处理和快速干燥处理。而且，在加工台72E进行完加工处理之后将进行利用非HF清洗液的清洗处理和快速干燥处理，随后将进行使用HF清洗液的清洗处理和高性能干燥处理。
如实线所示，在加工台72A和72B所处理的晶片由晶片运送装置80快速地运送到集中式清洗/干燥台78。接着，这些晶片由搬运机器人传入到HF清洗装置74中并利用一种HF清洗液对其进行清洗。接着，这些晶片被传入到IPA干燥装置76中并对其进行IPA干燥处理。如虚线所示，干燥后的晶片由第一晶片运送装置80或普通的运送装置运送到下一加工台72B或72E。
如实线所示，在加工台72B和72C处所处理的晶片由晶片运送装置80快速地运送到第二集中式清洗/干燥台86。这些晶片由搬运机器人传入到非HF清洗装置82中并利用非HF清洗液对其进行清洗。接着，这些晶片被传入到旋转甩干装置84中并对其进行旋转甩干处理。如虚线所示，甩干后的晶片由晶片运送装置88或普通的运送装置运送到下一加工台72C或72D。
如实线所示，在加工台72E处所处理的晶片由晶片运送装置88快速地运送到第二集中式清洗/干燥台86，在此将利用非HF清洗液对这些晶片进行清洗，而后再对其进行旋转甩干处理。如实线所示，甩干后的晶片被快速地运送到第一集中式清洗/干燥台78，在此将利用HF清洗液对这些晶片进行清洗，而后再对其进行IPA干燥处理。如实线所示，干燥后的晶片由晶片运送装置89快速地运送到下一加工台72F。
在第五实施例中，其提供了包括HF清洗装置74和IPA干燥装置76的第一集中式清洗/干燥台78，以及包括非HF清洗装置82和旋转甩干装置84的第二集中式清洗/干燥台86。因此，在加工台72每个进行完处理之后，可以自由地选择清洗处理和干燥处理。另外，还有一个其中在非HF清洗处理之后进行HF清洗处理的任选项。因此，将提高旋转清洗和干燥处理的灵活性。
通过将该第一和第二集中式清洗/干燥台78和86配置在一个最优位置上可以对生产线80的布局进行优化。
根据本发明的清洗/干燥装置包括两种提供了不同的清洗操作的清洗装置和两种提供了不同干燥操作的干燥装置。因此，可以根据所需的清洗条件来选择合适的清洗装置，以及根据所需的干燥条件来选择合适的干燥装置。
另外，在根据本发明的生产线中，一个包括两种提供了不同清洗操作的清洗装置和两种提供了不同干燥操作的干燥装置被配置在生产线的合适位置上。因此，可以增大与清洗/干燥处理相关的灵活性，并对生产线的布局进行优化。
另外，通过将不同类型的清洗装置和干燥装置组合在一起可以形成一种集中式的清洗/干燥装置和一种分布式清洗/干燥装置。因此，可以增大与清洗/干燥处理相关的灵活性，并对生产线的布局进行优化。
由于上面所说明的上述实施例仅仅出于示例的目的，所以本发明并不局限于上述实施例，那些技术熟练者可以在不背离本发明的范围的情况下对其作出多种修正或变更。
权利要求
1．清洗/干燥系统，其特征在于包括利用HF清洗液对晶片进行清洗的第一清洗装置，利用非HF清洗液对晶片进行清洗的第二清洗装置，用于对晶片进行干燥的高性能干燥装置，及以较快速度清洗晶片并使晶片干燥程度低于用高性能干燥装置干燥的快速干燥装置，根据所需的清洗条件来选择所述第一清洗装置或所述第二清洗装置，根据所需的干燥条件来选择所述高性能干燥装置或所述快速干燥装置。
2．如权利要求1所述的清洗/干燥系统，其特征在于所述高性能干燥装置和所述快速干燥装置是根据该晶片是由所述第一清洗装置还是由所述第二清洗装置进行清洗的具体情况来进行选择的。
3．一种生产线，包括一系列分别用于根据所需的处理对该生产线中的晶片进行处理的加工台；一个清洗/干燥台，其包括一个利用HF清洗液对晶片进行清洗的第一清洗装置，利用非HF清洗液对晶片进行清洗的第二清洗装置，对晶片进行干燥的高性能干燥装置，及一个以较快速度清洗晶片并使晶片干燥程度低于用高性能干燥装置干燥的快速干燥装置，根据所需的清洗条件来选择所述第一清洗装置或所述第二清洗装置，根据所需的干燥条件来选择所述高性能干燥装置或所述快速干燥装置；以及在所述每个加工台与所述清洗/干燥台之间运送晶片的晶片运送系统。
4．一种生产线，包括一系列分别用于根据所需的处理对该生产线中的晶片进行处理的加工台；至少一个第一清洗/干燥台，其包括利用HF清洗液对晶片进行清洗的第一清洗装置和对由所述第一清洗装置所清洗的晶片进行干燥的高性能干燥装置；至少一个第二清洗/干燥台，其包括利用非HF清洗液对晶片进行清洗的第二清洗装置及对由所述第二清洗装置所清洗的晶片进行干燥的快速干燥装置；及根据所需的清洗/干燥条件选择性地在所述加工台与所述第一清洗/干燥台或所述第二清洗/干燥台之间运送晶片的运送装置。
5．如权利要求4所述的生产线，其特征在于所述第一清洗/干燥台和所述第二清洗/干燥台均为用于生产线的集中式加工台。
6．如权利要求4所述的生产线，其特征在于所述至少一个第一清洗/干燥台是一个集中式加工台，而所述至少一个第二清洗台包括一组分别配置在两个所述加工台之间分布式加工台。
7．如权利要求4所述的生产线，其特征在于所述至少一个第一清洗/干燥台包括一组分别配置在两个所述加工台之间的分布式加工台，而所述至少一个第二清洗台为一个集中式加工台。
8．如权利要求4所述的生产线，其特征在于所述运送装置通过所述第二清洗/干燥台在所述加工台与所述第一清洗/干燥台之间运送晶片。
全文摘要
一种生产线,其包括一个用于根据所需的清洗/干燥条件利用HF清洗液或非HF清洗液对一个晶片进行清洗并在随后对其进行干燥的集中式清洗/干燥台,及一个用于在每个加工台和该集中式清洗/干燥台之间运送晶片的运送系统。该生产线在选择晶片的清洗/干燥条件方面具有很大的灵活性且其系统的尺寸也有很大的减小。
文档编号H01L21/304GK1230768SQ9910348
公开日1999年10月6日 申请日期1999年3月31日 优先权日1998年3月31日
发明者太田娜厚米 申请人:日本电气株式会社