一种cell芯片的生产工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本方面本发明涉及一种芯片的生产工艺，尤其涉及一种CELL芯片的生产工艺。
【背景技术】
[0002]目前市场上生产的CELL使用的是镀银双铜粒的工艺结构。此结构使用贵金属银为铜粒的镀层，导致生产工艺成本较高，成本高，导致该类产品难以推广销售，市场缩小，从而经讨论分析制定新的工艺方案，促使CELL成本降低，本发明在保留镀银双铜粒CELL的优良电热性能情况下，改变CELL表面镀层为锡或镍或者其他非污染金属层，保证产品生产中无环境污染，不耗用贵金属成分，从而突破贵金属所带来的高成本工艺的现状。
【发明内容】
[0003]本发明的目的就是要提供一种成本低、电热性好的CELL芯片的生产工艺。
[0004]为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案:
[0005]一种CELL芯片的生产工艺，包括以下步骤
[0006](I)根据需要设定原料的厚度为0.5-1.0mm、原料的直径为4.0-9.5mm，对原材料进行预镀；
[0007](2)根据CELL结构次序组装，运用真空焊接炉焊接，制成半成品；
[0008](3)将焊接完成材料经混酸处理，晶粒腐蚀到文件要求范围，所述文件要求范围为7-14mil。
[0009](4)酸洗后材料经电镀，在铜粒表面形成金属保护层，设定好镀层厚度，以保证材料后续可焊性，所述镀层厚度为4-6um。
[0010](5)电镀后材料需经清洗烘干后，用相应治具上绝缘保护胶。再经固化工艺，促使绝缘保护胶完全固化；
[0011](6)固化好材料经人工抛光，下料，剔除外观不良品；
[0012](7)测试产品的各项电性，剔除不良品。
[0013]在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进:
[0014]进一步，所述步骤(I)中原料为黄铜或者铁；
[0015]进一步，所述步骤(2)中焊接炉峰值温度为370摄氏度；
[0016]进一步，所述步骤(4)中的镀层金属为锡或镍。
[0017]本发明把以往工艺中的原料由紫铜改为黄铜或者铁，这样节省了 CELL的生产成本，以往的镀层金属大多是银，现在改为镀锡或镍，这样生产成本低而且可以扩大销售市场。
[0018]本发明的有益效果是:
[0019]此工艺产品既良好的保有镀银CELL产品的优良电热性能，同时可做到大大降低生产成本。且镀锡CELL的工艺结构与镀银CELL结构类似。以目前生产CELL的正常工艺环境即可实现镀锡CELL的生产。在保留镀银双铜粒CELL的优良电热性能情况下，改变CELL表面镀层为锡或镍或者其他非污染金属层，保证产品生产中无环境污染，不耗用贵金属成分，从而突破贵金属所带来的高成本工艺的现状。
【具体实施方式】
[0020]以下对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
[0021]实施例1:
[0022]一种CELL芯片的生产工艺，包括以下步骤
[0023](I)根据需要设定上层原料的厚度为1.0mm、直径为4.82mm，下层原料的厚度为0.75_、直径为5.44_，对原材料进行预镀，所述原料为黄铜，这样可以有效降低成本；
[0024](2)根据CELL结构次序组装，运用真空焊接炉焊接，制成半成品，调整焊接炉的峰值温度为370摄氏度；
[0025](3)将焊接完成材料经混酸处理，晶粒腐蚀到文件要求范围，所述文件要求范围为1mil ；
[0026](4)酸洗后材料经电镀，在铜粒表面形成金属保护层，设定好镀层厚度，以保证材料后续可焊性，所述镀层厚度为4um，所述镀层金属为锡，这样可以有效防止形成重金属污染；
[0027](5)电镀后材料需经清洗烘干后，用相应治具上绝缘保护胶。再经固化工艺，促使绝缘保护胶完全固化；
[0028](6)固化好材料经人工抛光，下料，剔除外观不良品；
[0029](7)测试广品的各项电性，副除不良品。
[0030]实施例2
[0031]一种CELL芯片的生产工艺，包括以下步骤
[0032](I)根据需要设定上层原料的厚度为1.0mm、直径为3.8mm，下层原料的厚度为0.75_，直径为4.2_，对原材料进行预镀，所述原料为铁，这样可以有效降低成本；
[0033](2)根据CELL结构次序组装，运用真空焊接炉焊接，制成半成品，调整焊接炉的峰值温度为370摄氏度；
[0034](3)将焊接完成材料经混酸处理，晶粒腐蚀到文件要求范围，所述文件要求范围为7mil ；
[0035](4)酸洗后材料经电镀，在铜粒表面形成金属保护层，设定好镀层厚度，以保证材料后续可焊性，所述镀层厚度为6um，所述镀层金属为锡，这样可以有效防止形成重金属污染；
[0036](5)电镀后材料需经清洗烘干后，用相应治具上绝缘保护胶。再经固化工艺，促使绝缘保护胶完全固化；
[0037](6)固化好材料经人工抛光，下料，剔除外观不良品；
[0038](7)测试广品的各项电性，副除不良品。
[0039]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种CELL芯片的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤(1)根据需要设定原料的厚度为0.5-1.0mm、原料的直径为4.0-9.5mm，对原材料进行预镀； (2)根据CELL结构次序组装，运用真空焊接炉焊接，制成半成品； (3)将焊接完成材料经混酸处理，晶粒腐蚀到文件要求范围，所述文件要求范围为7_14mil ； (4)酸洗后材料经电镀，在铜粒表面形成金属保护层，设定好镀层厚度，以保证材料后续可焊性，所述镀层厚度为4-6um ； (5)电镀后材料需经清洗烘干后，用相应治具上绝缘保护胶，再经固化工艺，促使绝缘保护胶完全固化； (6)固化好材料经人工抛光，下料，剔除外观不良品； (7)测试产品的各项电性，剔除不良品。
2.根据权利要求1所述的一种CELL芯片的生产工艺，其特征在于，所述步骤(I)中原料为黄铜或铁。
3.根据权利要求1所述的一种CELL芯片的生产工艺，其特征在于，所述步骤(2)中焊接炉峰值温度为370摄氏度。
4.根据权利要求1所述的一种CELL芯片的生产工艺，其特征在于，所述步骤(4)中的镀层金属为锡或镍。
【专利摘要】本发明公开了一种CELL芯片的生产工艺，包括以下步骤，(1)根据需要设定原料的厚度、直径，对原材料进行预镀，(2)根据CELL结构次序组装，运用真空焊接炉焊接，制成半成品，(3)将焊接完成材料经混酸处理，晶粒腐蚀到文件要求范围，(4)酸洗后材料经电镀，在铜粒表面形成金属保护层，设定好镀层厚度，以保证材料后续可焊性，(5)电镀后材料需经清洗烘干后，用相应治具上绝缘保护胶。再经固化工艺，促使绝缘保护胶完全固化，(6)固化好材料经人工抛光，下料，剔除外观不良品，(7)测试产品的各项电性，剔除不良品，该生产工艺制作的产品成本低，且具有良好的电热性能。
【IPC分类】H01L21-60
【公开号】CN104576419
【申请号】CN201410240283
【发明人】方丁玉, 潘明, 孙志军
【申请人】扬州虹扬科技发展有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2014年5月30日