导体器件的性能规范组。
[0093] 在一些实施例中，该方法还包括：布线以连接用于要被制造的半导体器件的第二 布局中的多个单元。方法还可以包括：从处理器输出用于要被制造的半导体器件的第二布 局。
[0094] 在一些实施例中，本发明提供了用于生成半导体器件设计的包括以下步骤的方 法。提供半导体器件的第一布局。第一布局包括代表电路兀件的多个单兀，电路兀件包括 多个鳍式场效应晶体管（Fin-FET)。方法包括将表示具有不同鳍高度的多个Fin-FET的配 置的数据输入至处理器以及在处理器中生成包括多个单元的单元库。单元库中多个单元的 每个都被显示为具有标示相应鳍高度的分别不同的标记。方法还包括在半导体器件的第一 布局中的相应位置处放置来自单元库的至少一个单元以在处理器中生成用于要被制造的 半导体器件的第二布局。基于用于半导体器件的性能规范组，将第一布局中的多个单元的 至少一些替换为来自单元库的多个单元中的一个单元。来自单元库的至少一个单元包括具 有与半导体器件的第二布局中的相邻Fin-FET不同的相应鳍高度的Fin-FET。在替换多个 单元中每个单元的步骤中，性能规范组包括用于半导体器件的面积、半导体器件的速度、半 导体器件的功耗和半导体器件的信号转换速率平衡中的至少一个。
[0095] 在一些实施例中，方法还包括：选择用于单元库中至少一个Fin-FET的相应的鳍 高度，使得至少一个Fin-FET具有与半导体器件的第一布局中的相应Fin-FET不同的速度 或不同的功耗。
[0096] 在一些实施例中，方法还包括布线以连接用于要被制造的半导体器件的第二布局 中的多个单元，以及从处理器输出用于要被制造的半导体器件的第二布局。
[0097] 本发明还提供了包括非暂时性机器可读存储介质和处理器的系统。用代表半导体 器件的第一布局的数据对非暂时性机器可读存储介质进行编码，第一布局包括代表电路元 件的多个单元，电路元件包括Fin-FET。连接处理器以访问存储介质，对处理器进行编程以 执行如上所述的方法。
[0098] 本文中所述的方法和系统可以至少部分地以计算机实施的工艺和用于实施那些 工艺的装置的形式来实现。所公开的方法也可以至少部分地以有形的、非暂时性机器可读 存储介质（以计算机程序代码编码的)的形式来实现。例如，介质可以包括RAM、R0M、CD_R0M、 DVD-ROM、BD-R0M、硬盘驱动器、闪速存储器，或任何其他非暂时性机器可读存储介质或这些 介质的任意组合，其中，当计算机程序代码加载到计算机内且由计算机执行时，计算机成为 用于实施该方法的装置。方法也可以至少部分地加载计算机程序代码且执行计算机程序代 码的计算机的形式来实现，使得计算机成为用于实施该方法的装置。当在通用处理器上执 行时，计算机程序代码段配置处理器以生成特定逻辑电路。可选地，方法可以至少部分地以 由用于执行该方法的专用集成电路所形成的数字信号处理器中实现。
[0099] 虽然以示例性实施例描述了主题，但是本发明不限于此。相反，所附权利要求应该 被广义地解释为包括本领域技术人员可作出的其他变型例和实施例。
【主权项】
1. 一种方法，包括： 提供包括代表电路元件的多个单元的半导体器件的第一布局，所述电路元件包括多个 錯式场效应晶体管（Fin-FET); 在处理器中提供包括多个单元的单元库，其中，所述单元库中的多个单元的每个单元 都被标示上不同的标记W代表相应的錯高度；W及 通过在所述半导体器件的第一布局中的相应位置处放置或替换为来自所述单元库的 至少一个单元，在所述处理器中生成用于要被制造的半导体器件的第二布局， 其中，来自所述单元库的至少一个单元包括具有与所述半导体器件的第二布局中的相 邻Fin-FET不同的相应錯高度的Fin-FET。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体器件的第一布局中的多个单元包括 具有相同錯高度的Fin-FET。
3. 根据权利要求1所述的方法，其中，提供所述单元库的步骤包括： 将代表具有不同錯高度的多个Fin-FET的配置的数据输入至所述处理器； 在所述处理器中生成包括多个单元的所述单元库，其中，所述单元库中的多个单元的 每个单元都被标示上不同的标记W代表相应的錯高度。
4. 根据权利要求3所述的方法，其中，提供所述单元库的步骤还包括： 为所述单元库中的至少一个Fin-FET选择相应的錯高度，使得所述至少一个Fin-FET 具有与所述半导体器件的第一布局中的相应Fin-FET不同的速度或不同的功耗。
5. 根据权利要求3所述的方法，其中，所述单元库具有至少一个Fin-FET,所述至少一 个Fin-FET具有比所述半导体器件的第一布局中的相应Fin-FET更高的速度或更低的功 耗。
6. 根据权利要求1所述的方法，其中，生成所述半导体器件的第二布局的步骤包括： 在所述半导体器件的第一布局的相应位置处放置来自所述单元库的至少一个单元；W 及 基于用于所述半导体器件的性能规范组，用来自所述单元库的多个单元中的一个单元 替换所述第一布局中的多个单元的至少一些单元。
7. 根据权利要求6所述的方法，还包括： 进行布线W连接用于所述要被制造的半导体器件的第二布局中的多个单元。
8. 根据权利要求6所述的方法，还包括： 从所述处理器中输出用于所述要被制造的半导体器件的第二布局。
9. 一种用于生成半导体器件的设计的方法，包括： 提供半导体器件的第一布局，所述第一布局包括代表电路元件的多个单元，所述电路 元件包括多个錯式场效应晶体管（Fin-FET); 将代表具有不同錯高度的多个Fin-FET的配置的数据输入至处理器； 在所述处理器中生成包括多个单元的单元库，其中，所述单元库中的多个单元的每个 单元都被标示上不同的标记W代表相应的錯高度； 在所述半导体器件的第一布局中的相应位置处放置来自所述单元库的至少一个单元， W在所述处理器中生成用于要被制造的半导体器件的第二布局；W及 基于用于所述半导体器件的性能规范组，将所述第一布局中的多个单元的至少一些单 元替换为来自所述单元库的多个单元中的一个单元； 其中，来自所述单元库的至少一个单元包括具有与所述半导体器件的第二布局中的相 邻Fin-FET不同的相应錯高度的Fin-FET。
10. -种系统，包括： 非暂时性机器可读存储介质，用代表半导体器件的第一布局的数据进行编码，所述第 一布局包括代表电路元件的多个单元，所述电路元件包括錯式场效应晶体管（Fin-FET) 及 处理器，被连接为访问所述存储介质，所述处理器被编程为执行一种方法，包括： 在所述处理器中提供包括多个单元的单元库，其中，所述单元库 中的多个单元的每个单元都被标示上不同的标记W代表相应的錯高度；和 通过在所述半导体器件的第一布局中的相应位置处放置或替换为来自所述单元库的 至少一个单元，在所述处理器中生成用于要被制造的半导体器件的第二布局， 其中，来自所述单元库的至少一个单元包括具有与所述半导体器件的第二布局中的相 邻Fin-FET不同的相应錯高度的Fin-FET。
【专利摘要】本发明提供了一种方法，包括提供包含代表电路元件的多个单元的半导体器件的第一布局以及在处理器中提供包含多个单元的单元库。电路元件包括多个鳍式场效应晶体管（Fin-FET）。单元库中多个单元的每个都被标示上不同的标记以代表相应的鳍高度。方法还包括通过在第一布局中的相应位置处放置或替换为来自单元库的至少一个单元，生成用于要被制造的半导体器件的第二布局。来自单元库的至少一个单元包括具有与第二布局中的相邻Fin-FET不同的相应鳍高度的Fin-FET。本发明还提供了用于设计Fin-FET半导体器件的方法和系统。
【IPC分类】H01L29-423, H01L21-336, H01L29-78
【公开号】CN104600115
【申请号】CN201410102932
【发明人】傅宗民, 卢永峰, 王中兴
【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2014年3月19日
【公告号】US9141745, US20150121329