Ldmos器件的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体器件，特别是指一种LDMOS器件。
【背景技术】
[0002] 在对LDMOS器件架构的研究中，业界通常采用漏区场板技术来调整漏区的电场分 布，使LDMOS器件具有更高的耐压值和线性区电阻性能。所谓的场板技术，即在LDMOS的漂 移区上制作一个一定长度的场区，然后在场区上覆盖一定尺寸的多晶硅栅极板。如图1所 示N型LDM0S，204区域即为特意放置的场区，场区上方放置的多晶硅栅极208即作为场板。 该结构由于场区是在N型漂移区中刻蚀填充场氧形成，这样漏区漂移区中的电流需要绕过 场氧，对LDMOS的性能有负面影响，为了进一步改善LDMOS的性能，希望把场氧上抬到硅表 面，这样漏区电流就可以走一直线，尽快达到饱和速度，以获得更好的电性能，这样形成的 器件如图2所示，图中场氧(场区)204成为了台阶状覆盖在硅表面，多晶硅栅极208覆盖在 台阶状场氧上形成场板，这样的结构对器件性能的提高很有帮助，但是对于工艺有比较严 格的要求或者制造上的难点，体现在如下方面：
[0003] 第一，制作台阶氧化层，需要额外的淀积一层氧化层。这一层氧化层的厚度大约在 500?3000A的范围内，要求既能把不需要的区域的氧化层去除干净，同时又能避免STI中 氧化层厚度的损失，工艺控制难度大。
[0004] 第二，制作台阶氧化层，氧化层的角度和厚度非常关键。比较厚和仰角接近直角的 台阶，会造成多晶硅形成一个侧墙，该侧墙的厚度可以达到台阶氧化层的厚度与多晶硅淀 积厚度之和。而若仰角接近30度的情况下，台阶氧化层可能无法形成梯形，反而形成锥形。
【发明内容】
[0005] 本发明所要解决的技术问题在于提供一种LDMOS器件，改善漏区场板结构，优化 漏区场板场调制效果。
[0006] 为解决上述问题，本发明所述的一种LDMOS器件，在衬底中具有体区，以及体区一 侧具有漏端N型漂移区和P型辅助耗尽区，所述P型辅助耗尽区位于N型漂移区正下方；在 N型漂移区中具有所述LDMOS器件的漏区，N型漂移区远离体区的一侧衬底中具有浅槽隔离 结构；
[0007] 所述体区中还具有体区引出区及所述LDMOS器件的源区，并且体区引出区与源区 之间间隔有浅槽隔离结构；衬底表面具有栅氧及所述LDMOS器件的多晶硅栅极；衬底表面 具有层间膜，多个接触孔穿透层间膜分别将体区引出区、源区、多晶硅栅极以及漏区引出；
[0008] 所述N型漂移区上方的层间膜具有向下刻蚀形成的沟槽或孔洞并填充金属而形 成的场板，该场板与所述LDMOS器件的多晶硅栅极相连。
[0009] 进一步地，所述的场板是通过填充金属钨形成。
[0010] 进一步地，所述的场板的结构为断面形状为矩形或者梯形结构的钨塞，该钨塞通 过金属线与所述LDMOS器件的多晶硅栅极相连。
[0011] 进一步地，所述的N型漂移区上方的场板区的层间膜进行一次刻蚀，刻蚀后保留 的层间膜厚度为其他区域层间膜厚度的50?10%，然后填充金属形成场板。
[0012] 进一步地，所述N型漂移区上方的层间膜刻蚀区域是位于LDMOS器件多晶硅栅极 连接金属与漏极连接金属之间。
[0013] 本发明所述的LDMOS器件，利用金属钨填充的场端来作为场板，场端的深度可以 基于需要进行调整，使场端与N型漂移区之间的层间膜达到合适的厚度，最大化地发挥金 属场板的效果，相应的工艺实现方式也比较简单，只需要在后端孔刻蚀以后再增加一次光 刻和刻蚀，刻出场端图形以后合并孔一起进行金属钨的填充。在需要的时候可以通过在层 间膜中设计阻挡层来实现场端深度的精确控制。不需要特别的台阶氧化层的角度，不会存 在多晶硅侧墙的问题，也不会导致STI氧化层的损失。
【附图说明】
[0014] 图1是现有一种LDMOS器件的剖视图；
[0015] 图2是现有另一种LDMOS器件的剖视图；
[0016] 图3是本发明所述的LDMOS器件的剖视图。
[0017] 附图标记说明
[0018] 100是外延，101是N型埋层，102是衬底，201是P型辅助耗尽区，202是N型漂移 区，203是体区，204是STI，205是源区，206是体区引出区，207是硅化物，208是多晶硅栅 极，209是侧墙，210是场氧（台阶氧化层)，211是漏区，301是接触孔，302是金属层一，303 是层间膜，304是场端。
【具体实施方式】
[0019] 本发明所述的一种LDMOS器件，其结构如图3所示，在衬底102中具有体区203,以 及体区203 -侧具有漏端N型漂移区202和P型辅助耗尽区201，所述P型辅助耗尽区201 位于N型漂移区202正下方；在N型漂移区202中具有所述LDMOS器件的漏区211，N型漂 移区202远离体区203的一侧衬底中具有浅槽隔离结构204 ;
[0020] 所述体区203中还具有体区引出区206及所述LDMOS器件的源区205,并且体区 引出区206与源区205之间间隔有浅槽隔离结构204 ;衬底102表面具有栅氧及所述LDMOS 器件的多晶硅栅极208 ;衬底102表面具有层间膜303,多个接触孔301穿透层间膜303分 别将体区引出区206、源区205、多晶硅栅极208以及漏区211引出；
[0021] 所述N型漂移区202上方的层间膜303具有向下刻蚀形成的沟槽或孔洞，刻蚀区 域是位于LDMOS器件多晶硅栅极连接金属与漏极连接金属之间，刻蚀后保留的层间膜303 厚度为其他区域层间膜厚度的50?10%，然后填充金属而形成场板，填充的金属为钨。场板 的结构为断面形状为矩形或者梯形结构的钨塞，该钨塞通过金属线与所述LDMOS器件的多 晶娃棚极208相连。
[0022] 以上仅为本发明的优选实施例，并不用于限定本发明。对于本领域的技术人员来 说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同 替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种LDMOS器件，在衬底中具有体区，W及体区一侧具有漏端N型漂移区和P型辅助 耗尽区，所述P型辅助耗尽区位于N型漂移区正下方；在N型漂移区中具有所述LDM0S器件 的漏区，N型漂移区远离体区的一侧衬底中具有浅槽隔离结构； 所述体区中还具有体区引出区及所述LDM0S器件的源区，并且体区引出区与源区之间 间隔有浅槽隔离结构；衬底表面具有栅氧及所述LDM0S器件的多晶娃栅极；衬底表面具有 层间膜，多个接触孔穿透层间膜分别将体区引出区、源区、多晶娃栅极W及漏区引出； 其特征在于；所述N型漂移区上方的层间膜具有向下刻蚀形成的沟槽或孔洞并填充金 属而形成的场板，该场板与所述LDM0S器件的多晶娃栅极相连。
2. 如权利要求1所述的一种LDM0S器件，其特征在于：所述的场板是通过填充金属鹤 形成。
3. 如权利要求1所述的一种LDM0S器件，其特征在于：所述的场板的结构为断面形状 为矩形或者梯形结构的鹤塞，该鹤塞通过金属线与所述LDM0S器件的多晶娃栅极相连。
4. 如权利要求1所述的一种LDM0S器件，其特征在于；所述的N型漂移区上方的场板 区的层间膜进行一次刻蚀，刻蚀后保留的层间膜厚度为其他区域层间膜厚度的50?10%， 然后填充金属形成场板。
5. 如权利要求4所述的一种LDM0S器件，其特征在于：所述N型漂移区上方的层间膜 刻蚀区域是位于LDM0S器件多晶娃栅极连接金属与漏极连接金属之间。
【专利摘要】本发明公开了一种LDMOS器件，对于传统为改善器件耐压和线性区的电阻性能而采用的场板技术，本发明利用金属钨填充的场端来作为场板，场端的深度可以根据器件的需要进行优化调整，即使场端与N型漂移区之间的层间膜厚度达到合适的值，最大化地发挥场板的对漏端电场的调制效果。
【IPC分类】H01L29-40, H01L29-78
【公开号】CN104600113
【申请号】CN201310534182
【发明人】陈雄斌, 石晶, 杨新杰
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2013年10月31日