极电连接到所述多个管脚中的第二管脚； 所述第二GaN晶体管的所述源极电连接到所述多个管脚中的第S管脚； 所述第二GaN晶体管的所述栅极电连接到所述多个管脚中的第四管脚。
3. 根据权利要求2所述的电子封装件，其中所述第一管脚和所述第=管脚是接地管 脚。
4. 根据权利要求2所述的电子封装件，其中所述第一 GaN晶体管的所述漏极W及所述 第二GaN晶体管的所述源极和所述栅极的所述电连接包括线接合、带接合或铜夹中的至少 之一。
5. 根据权利要求1所述的电子封装件，其中： 所述第一二极管的所述阳极与所述引线框之间的所述电连接包括环氧树脂、共晶、烧 结或焊接中的至少之一；并且 所述第二二极管的所述阳极与所述引线框之间的所述电连接包括环氧树脂、共晶、烧 结或焊接中的至少之一。
6. 根据权利要求1所述的电子封装件，其中： 所述第二GaN晶体管的所述漏极与所述引线框之间的所述电连接包括环氧树脂、共 晶、烧结或焊接中的至少之一；并且 所述第一 GaN晶体管的所述漏极与所述引线框之间的所述电连接包括环氧树脂、共 晶、烧结或焊接中的至少之一。
7. 根据权利要求1所述的电子封装件，其中所述氮化嫁基电子封装件电禪接到电路板 并且附接到电路板，其中所述引线框被配置成将来自所述第一 GaN晶体管的所述漏极、所 述第二GaN晶体管的所述漏极、所述第一 GaN二极管的所述阳极W及所述第二GaN二极管 的所述阳极的电流直接传导至所述电路板。
8. 根据权利要求1所述的电子封装件，还包括附接到所述引线框的一个或更多个散热 器。
9. 根据权利要求1所述的电子封装件，其中所述第一 GaN晶体管的所述漏极和所述第 二GaN晶体管的所述漏极包括可焊接的金属堆叠部。
10. 根据权利要求1所述的电子封装件，其中所述第一 GaN晶体管的所述源极和所述第 二GaN晶体管的所述源极包括可接合的金属堆叠部。
11. 一种制造电子封装件的方法，所述方法包括； 布置包括引线框和多个管脚的封装件； 布置一组氮化嫁（GaN)晶体管，每个所述GaN晶体管包括漏极接触部、源极接触部和栅 极接触部； 将所述一组GaN晶体管中的第一 GaN晶体管的所述漏极接触部和所述一组GaN晶体管 中的第二GaN晶体管的所述漏极接触部连接到所述引线框； 布置一组GaN二极管，每个所述GaN二极管包括阳极接触部和阴极接触部；并且 将第一 GaN二极管的所述阳极接触部和第二GaN二极管的所述阳极接触部连接到所述 引线框。
12. 根据权利要求11所述的方法，还包括： 将所述第一 GaN二极管的所述阴极接触部电连接到所述多个管脚中的第一管脚； 将所述第二GaN二极管的所述阴极接触部电连接到所述多个管脚中的所述第一管脚； 将所述第一 GaN晶体管的所述源极接触部电连接到所述多个管脚中的第二管脚； 将所述第一 GaN晶体管的所述栅极接触部电连接到所述多个管脚中的第S管脚； 将所述第二GaN晶体管的所述源极接触部电连接到所述多个管脚中的第四管脚； 将所述第二GaN晶体管的所述栅极接触部电连接到所述多个管脚中的第五管脚。
13. 根据权利要求12所述的方法，其中所述第二管脚和所述第四管脚是接地管脚。
14. 根据权利要求12所述的方法，其中所述第一 GaN二极管的所述阴极接触部、所述 第二GaN二极管的所述阴极接触部、所述第一 GaN晶体管的所述源极接触部、所述第一 GaN 晶体管的所述栅极接触部、所述第二GaN晶体管的所述源极接触部、W及所述第二GaN晶体 管的所述栅极接触部的电连接包括线接合、带接合或铜夹中的至少之一。
15. 根据权利要求12所述的方法，其中所述第一 GaN晶体管的所述漏极接触部和所述 第二GaN晶体管的所述漏极接触部的电连接包括环氧树脂粘合、共晶形成、烧结或焊接中 的至少之一。
16. 根据权利要求12所述的方法，其中所述第一 GaN二极管的所述阳极接触部和所述 第二GaN二极管的所述阳极接触部的电连接包括环氧树脂粘合、共晶形成、烧结或焊接中 的至少之一。
17. 根据权利要求11所述的方法，还包括将所述电子封装件附接到电路板，其中所述 引线框被配置成将来自所述第一 GaN晶体管的所述漏极接触部、所述第二GaN晶体管的所 述漏极接触部、所述第一 GaN二极管的所述阳极接触部、W及所述第二GaN二极管的所述阳 极接触部的电流直接传导至所述电路板。
18. 根据权利要求11所述的方法，其中： 所述第一 GaN晶体管包括在所述漏极接触部上的可焊接的金属堆叠部W及在所述源 极接触部和所述栅极接触部中的每个上的可接合的金属堆叠部；W及 所述第二GaN晶体管包括在所述漏极接触部上的可焊接的金属堆叠部W及在所述源 极接触部和所述栅极接触部中的每个上的可接合的金属堆叠部。
19. 根据权利要求11所述的方法，其中； 所述第一 GaN二极管包括在所述阳极接触部上的可焊接的金属堆叠部和在所述阴极 接触部上的可接合的金属堆叠部；W及 所述第二GaN二极管包括在所述阳极接触部上的可焊接的金属堆叠部和在所述阴极 接触部上的可接合的金属堆叠部。
20.根据权利要求11所述的方法，还包括将所述第二GaN晶体管的所述源极接触部电 连接到所述多个管脚中的第五管脚。
【专利摘要】本发明涉及用于具有共同封装的氮化镓功率器件的交叉升压变换器的方法和系统。一种电子封装件包括引线框和多个管脚。电子封装件还包括：第一氮化镓(GaN)晶体管，第一GaN晶体管包括源极、栅极和漏极；和第二GaN晶体管，第二GaN晶体管包括源极、栅极和漏极。第一GaN晶体管的源极电连接到引线框，并且第二GaN晶体管的漏极电连接到引线框。电子封装件还包括：第一GaN二极管，第一GaN二极管包括阳极和阴极；和第二GaN二极管，第二GaN二极管包括阳极和阴极。第一GaN二极管的阳极电连接到引线框，并且第二GaN二极管的阳极电连接到引线框。
【IPC分类】H01L23-495, H01L23-31, H01L25-07, H01L21-50, H01L21-60
【公开号】CN104659025
【申请号】CN201410657698
【发明人】埃马尔·N·沙赫, 唐纳德·R·迪斯尼
【申请人】阿沃吉有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2014年11月18日
【公告号】US20150137134