一种具有支架的led器件的制作方法

文档序号:8414222阅读:234来源:国知局
一种具有支架的led器件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及LED领域,尤其涉及的是,一种具有支架的LED器件。
【背景技术】
[0002]随着技术的发展,LED已经得到广泛应用。LED是半导体二极管的一种,可以把电能转化成光能。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成,也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后,从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子,在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合,产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同,释放出的能量越多,则发出的光的波长越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。发光二极管的反向击穿电压大于5伏。它的正向伏安特性曲线很陡,使用时必须串联限流电阻以控制通过二极管的电流。限流电阻R可用下式计算:R= (E — UF)/IF。
[0003]式中E为电源电压,UF为LED的正向压降,IF为LED的正常工作电流。发光二极管的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片,在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层,称为PN结。在某些半导体材料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压,少数载流子难以注入,故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管,通称LED。当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电压),电流从LED阳极流向阴极时,半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线,光的强弱与电流有关。
[0004]但是,现有的LED器件,往往只是将LED芯片正面安装或者倒装,使其发光方向向上或者向下。并且由于其发光方向集中而不分散,往往需要实现散光效果。

【发明内容】

[0005]本发明提供一种新的多方向出光的具有支架的LED器件。
[0006]本发明的技术方案如下:一种具有支架的LED器件,其包括基座以及设置于所述基座的若干LED芯片;所述基座上设置若干支架,所述支架与所述基座的底部的夹角为30至80度;相邻两支架的夹角为70至150度。
[0007]优选的,至少一 LED芯片设置于至少一支架上;例如,一种LED器件,其包括基座以及若干LED芯片;每一所述支架设置一 LED芯片;或者,每一所述支架设置至少一 LED芯片。
[0008]优选的,设置两个支架。
[0009]优选的,两个所述支架的夹角为90度。
[0010]优选的,设置三个支架。
[0011]优选的,所述支架与所述基座的底部的夹角为35至55度。
[0012]优选的,各支架一体成型设置。
[0013]优选的,各支架形成三棱锥结构。
[0014]优选的,各支架的底部在所述基座上围合成一圆形。
[0015]优选的,所述支架具有扇形截面。
[0016]优选的,每一所述支架设置一 LED芯片。
[0017]采用上述方案,本发明实现了多方向出光的LED器件,特别适用于照明领域,尤其是大功率LED照明灯,具有很高的市场应用价值。
【附图说明】
[0018]图1为本发明的一个实施例的示意图;
[0019]图2为本发明的又一个实施例的示意图;
[0020]图3为本发明的又一个实施例的支架示意图;
[0021]图4为本发明的又一个实施例的示意图;
[0022]图5为本发明的又一个实施例的示意图;
[0023]图6为本发明的又一个实施例的示意图;
[0024]图7为本发明的又一个实施例的示意图;
[0025]图8为本发明的又一个实施例的封装结构示意图;
[0026]图9为本发明的又一个实施例的封装结构示意图。
【具体实施方式】
[0027]为了便于理解本发明,下面结合附图和具体实施例,对本发明进行更详细的说明。但是,本发明可以采用许多不同的形式来实现,并不限于本说明书所描述的实施例。需要说明的是,当元件被称为“固定于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
[0028]除非另有定义,本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本说明书中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是用于限制本发明。本说明书所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0029]本发明的一个实施例是,一种具有支架的LED器件,其包括基座以及设置于所述基座的若干LED芯片;所述基座上设置若干支架,所述支架与所述基座的底部的夹角为30至80度;相邻两支架的夹角为70至150度。例如,所述支架与所述基座的底部的夹角为30、35、40、50、55、60、70、75 或80 度;又如,相邻两支架的夹角为 70、75、80、90、95、100、110、120、125、130、140或150度。这样,通过支架的设计,实现了 LED器件的多方向出光。例如,所述支架设置透光区,用于透出LED芯片的光线;优选的,至少一 LED芯片设置于至少一支架上;例如,一种LED器件,其包括基座以及若干LED芯片;每一所述支架设置一 LED芯片;或者,每一所述支架设置至少一 LED芯片。优选的,每一所述支架设置一 LED芯片。这样,能够更好地实现多方向出光的LED器件。
[0030]例如,所述基座设置凹槽部与凸起部;所述凸起部设置至少一 LED芯片;所述凹槽部设置若干LED芯片。例如,所述基座的侧壁位置作为所述凹槽部的第一侧壁;又如,各所述支架作为所述凹槽部的第二侧壁围合组成所述凸起部。又如,所述凸起部的顶部具有平台结构。例如,如图5所示,各所述支架作为所述凹槽部的第二侧壁围合组成所述凸起部的侧壁,所述凸起部的各侧壁上设置有平面的平台结构。这样,可以增加出光的强度,制造集成度高的大功率的LED灯。
[0031]例如,如图1所示,一种具有支架的LED器件,其包括基座210以及设置于所述基座的若干LED芯片230 ;所述基座上设置若干支架220,所述支架与所述基座的底部240的夹角为30至80度;相邻两支架的夹角为70至150度。如图1所示,设置两个支架220,每一支架上设置三个LED芯片230。例如,所述基座的底部设置至少一 LED芯片。又如,如图2所示,所述基座的底部240上也设置有LED芯片230。这样,可以增加出光的方向,并增强出光的效果。
[0032]优选的,设置两个支架。例如,两个所述支架的夹角为90度。例如,可以制作标准件,严格设置其出光方向为45度。又如,设置三个支架。例如,如图3所示,设置三个支架。例如,所述支架与所述基座的底部的夹角为35至55度。例如,所述支架与所述基座的底部的夹角为35、38、40、42、43或55度。
[0033]优选的,各支架一体成型设置。例如,各支架形成三棱锥结构;又如,各支架形成圆锥结构。又如,各支架形成锥台结构或者圆台结构。例如,各支架一体成型设置为圆台结构的侧壁部。
[0034]优选的,各支架的底部在所述基座上围合成一圆形。例如,如图3所示,设置三个支架,各支架的底部在所述基座上围合成一圆形。优选的,所述支架具有扇形截面。又如,各支架组合形成一圆台形;优选的,圆台形的顶部与所述基座的底部平行。优选的,圆台形的顶部处设置至少一 LED芯片。
[0035]又如,一种具有支架的LED器件,其包括基座;所述基座设置凹槽部与凸起部;例如,各所述支架作为所述凹槽部的第二侧壁围合组成所述凸起部的侧壁。
[0036]为了增强散热效果,例如,所述基座包括铝、铜、金和/或镍,优选的,所述基座设置铜芯层,以增强散热效果。又如,所述基座还包括石墨层,例如,所述基座设置两层所述铜芯层,其中夹持一层所述石墨层。优选的,所述石墨层的厚度为所述铜芯层的厚度的8?10倍,例如,所述石墨层的厚度为所述铜芯层的厚度的10倍。
[0037]其中,所述凸起部设置至少一 LED芯片;所述凹槽部设置若干LED芯片。例如,如图4所示,一种LED器件,其包括基座300以及LED芯片330 ;所述基座设置凹槽部310与凸起部320 ;所述凸起部设置至少一 LED芯片;所述凹槽部设置若干LED芯片。又如,如图5所示,凹槽部310上设置若干LED芯片,包括LED芯片331与LED芯片332,凸起部320上设置LED芯片333,形成双层发光体系。为便于安装与排列,优选的,所述基座为圆形或者方形,又如,所述凹槽部为圆形或者方形。例如,所述基座为圆形,所述凹槽部为圆形;又如,所述基座为圆形,所述凹槽部为方形;又如,所述基座为方形,所述凹槽部为圆形;又如,所述基座为方形,所述凹槽部为方形。优选的,所述凹槽部为环形;或者,所述凹槽部为“回”形。
[0038]例如,由支架与基座围合形成所述凹槽部;例如,所述凹槽部的深度为0.2mm?4mm,例如,所述凹槽部的深度为 0.2,0.3,0.4,0.6,0.9、1、1.2,1.44,1.56,1.8,2.1,2.3、2.5,2.8、3、3.1,3.4,3.5,3.7或4mm ;又如,所述凹槽部的深度为0.3mm?3.5mm ;又如,所述凸起部为圆台体结构;又如,所述基座的开口为矩形、圆形或者椭圆形。例如,在所述开口设置荧光粉层。
[0039]又如,所述凸起部设置至少两个LED芯片;例如,如图4所示,所述凸起部设置四个LED芯片。优选的,相邻两个LED芯片的间隙为LED芯片宽度的20%至60%,例如,相邻两个LED芯片的间隙为LED芯片宽度的30%至50%。
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