一种薄膜晶体管的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明有关一种有源矩阵有机发光显示器(AMOLED，Active Matrix OrganicLight Emitting D1de)中薄膜晶体管(TFT, Thin Film Transistor)的制作方法,特别是指一种可有效降低准分子激光退火多晶硅凸起高度的薄膜晶体管的制作方法。
【背景技术】
[0002]目前，LTPS (Low Temperature Poly-silicon,低温多晶娃)背板制备技术,主要采用ELA (Excimer Laser Annealer,准分子激光退火)主流结晶化技术,在高能量激光的照射下，a-Si (非晶硅)重新结晶生成Poly (多晶硅)，但这层Poly薄膜在多晶硅的晶界处存在明显的凸起，影响后续栅极氧化层的厚度及台阶覆盖，主要影响了 TFT的电性。以a-Si厚度为500A为例说明此凸起的影响:500A的a_Si作为ELA前驱体，结晶后生成的凸起高度约为40(Γ500Α，此后沉积栅极氧化层1200Α，如果该凸起出现在沟道区，则在该凸起部位，栅极氧化层的厚度仅为70(Γ800Α，而非凸起区域栅极氧化层厚度为1200Α，若施加相同栅极电压及源漏极电压，栅极氧化层厚度较薄的TFT (700Α处)先于栅极氧化层厚的TFT(1200Α)开启，使整块背板的Vth (阈值电压)均匀性下降，恶化显示效果。
【发明内容】
[0003]有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种可有效降低ELA-Poly凸起高度并使背板均匀显示的薄膜晶体管的制作方法。
[0004]为达到上述目的，本发明提供一种薄膜晶体管的制作方法，其包括如下步骤:
(O首先利用化学气相沉积法在薄膜晶体管的基板上沉积一层非晶硅；
(2)利用准分子激光退火技术将非晶硅结晶，成为多晶硅，在结晶过程中多晶硅表面产生大量的由于激光退火结晶造成的凸起；
(3)利用涂布方式在具有凸起的多晶硅上面制作平坦化层，使该平坦化层完全覆盖多晶娃的凸起；
(4)对所述平坦化层进行刻蚀，当刻蚀到凸起部分时，平坦化层与凸起一起被刻蚀掉，并在所述多晶硅上留下剩余平坦化层与剩余凸起。
[0005]在步骤(4)中，所述刻蚀的方法为干刻或反应离子刻蚀。
[0006]在步骤(I)中，所述非晶硅的厚度为300-1000 A0
[0007]在步骤(2)中，所述多晶硅的厚度为500-1000 Α，所述凸起的高度为300-700 A0
[0008]在步骤(2)中，所述平坦化层的厚度为500-5000 A0
[0009]所述平坦化层的材料为聚酰亚胺、树脂或无机胶等平坦化材料。
[0010]所述剩余平坦化层的厚度及所述剩余凸起的高度为100 Ao
[0011]所述薄膜晶体管的制作方法还包括利用剥离设备把剩余平坦化层刻蚀完毕。
[0012]所述步骤(4)中经刻蚀后，所述剩余凸起高出所述剩余平坦化层，或所述剩余凸起顶端低于所述剩余平坦化层顶端，或所述剩余凸起与所述剩余平坦化层平齐。
[0013]高出所述剩余平坦化层的剩余凸起为梯形结构，低于所述剩余平坦化层的剩余凸起为月牙形结构。
[0014]采用本发明薄膜晶体管的制作方法，可大大降低ELA结晶后多晶硅的凸起高度，提高AMOLED背板的均匀性，使显示效果更佳。
【附图说明】
[0015]图1为利用CVD沉积完非晶娃后的TFT基板结构不意图；
图2为利用ELA结晶后带有凸起的多晶娃TFT基板结构不意图；
图3为在带有凸起的多晶硅TFT基板上制作有平坦化层的基板结构示意图；
图4为刻蚀平坦化层后的TFT基板结构示意图；
图5为剥离剩余平坦化层后的基板结构示意图；
图6 (a)、(b)、(C)分别为二种被刻蚀后的多晶娃凸起的结构不意图；
图7为利用ELA结晶后带有凸起的多晶硅SEM (扫描电子显微镜)示意图；
图8为本发明薄膜晶体管的制作方法的工艺流程图。
【具体实施方式】
[0016]为便于对本发明的方法及达到的效果有进一步的了解，现结合附图并举较佳实施例详细说明如下。
[0017]参照图8的工艺流程图及本发明的其他各个附图，首先利用CVD(Chemical VaporDeposit1n,化学气相沉积)沉积法在TFT基板02上沉积一层非晶娃011,如图1所示,沉积结构示意图，基板02为玻璃基板，非晶硅011薄膜厚度为300-1000 A0
[0018]利用ELA(准分子激光退火)技术将非晶硅011结晶，成为多晶硅01，在结晶过程中多晶硅01表面产生大量的由于ELA结晶造成的凸起03，如图2所示，带有凸起03的多晶硅01 TFT基板结构示意图。此时TFT背板是由基板02与ELA结晶后的多晶硅01组成，多晶硅01的厚度在500-1000 A之间，其中结晶后的多晶硅表面的凸起03高度一般在300-700A之间，如图7所示多晶硅01利用ELA结晶后凸起03的SEM照片，凸起的高度为600 A左右。
[0019]利用涂布方式在有凸起03的多晶硅02上面制作平坦化层04，如图3所示，平坦化层04的材料可以是聚酰亚胺、树脂、无机胶等，平坦化层04的厚度为500-5000 A，确保完全覆盖多晶硅02的凸起03。
[0020]在凸起03上覆盖完平坦化层04后，对平坦化层04进行刻蚀，刻蚀方法可为干刻或RIE (Reactive 1n Etching,反应离子刻蚀)等。当刻蚀到凸起03部分时,平坦化层04与凸起03 —起被刻蚀掉，为了不损坏多晶硅02的界面，平坦化层04与凸起03可以保留在100 A左右的厚度，如图4所示，刻蚀后多晶硅02上方还有剩余平坦化层042及剩余凸起032，剩余厚度约为100 A0利用这种方法可使多晶硅02的凸起03从原来的300-700 A降低到100 A左右，同时由于平坦化层04的设置，可保证在刻蚀过程中不会损坏到多晶硅02。
[0021]完成刻蚀平坦化层04与凸起03后，可利用剩余平坦化层042作为绝缘层的一部分，再进行正常的工艺流程；另外，可利用剥离设备把剩余平坦化层042刻蚀完毕，只保留剩余凸起032，如图5所示，然后再进行正常的工艺。
[0022]在刻蚀工艺中，由于平坦化层04与凸起03的材料不同，因此往往导致平坦化层04与凸起03的刻蚀选择比不同，得到的剩余凸起032的结构是不同的，如图6所示，当平坦化层04的刻蚀速率大于凸起03的刻蚀速率时，得到图6 (a)的结构，剩余凸起032高出剩余平坦化层042，剩余凸起032为梯形结构；当平坦化层04的刻蚀速率小于凸起03的刻蚀速率时，得到图6 (b)的结构，剩余凸起032的顶端凹陷，为月牙形结构，即剩余凸起032顶端低于剩余平坦化层042顶端；当平坦化层04的刻蚀速率等于凸起03的刻蚀速率时，得到理想情况下图6 (c)的结构，剩余凸起032与剩余平坦化层042平齐。
[0023]因此，采用本发明薄膜晶体管的制作方法，可大大降低ELA结晶后多晶硅的凸起高度，提高AMOLED背板的均匀性，使显示效果更佳。
[0024]以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求范围所界定者为准。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，其包括如下步骤: (1)首先利用化学气相沉积法在薄膜晶体管的基板上沉积一层非晶硅； (2)利用准分子激光退火技术将非晶硅结晶，成为多晶硅，在结晶过程中多晶硅表面产生大量的由于激光退火结晶造成的凸起； (3)利用涂布方式在具有凸起的多晶硅上面制作平坦化层，使该平坦化层完全覆盖多晶娃的凸起； (4)对所述平坦化层进行刻蚀，当刻蚀到凸起部分时，平坦化层与凸起一起被刻蚀掉，并在所述多晶硅上留下剩余平坦化层与剩余凸起。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述刻蚀的方法为干刻或反应离子刻蚀。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在步骤(I)中，所述非晶硅的厚度为300-1000 Ao
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述多晶硅的厚度为500-1000 A，所述凸起的高度为300-700 A0
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述平坦化层的厚度为500-5000 A0
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述平坦化层的材料为聚酰亚胺、树脂或无机胶。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述剩余平坦化层的厚度及所述剩余凸起的高度为100 A0
8.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制作方法还包括利用剥离设备把剩余平坦化层刻蚀完毕。
9.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤(4)中经刻蚀后，所述剩余凸起高出所述剩余平坦化层，或所述剩余凸起顶端低于所述剩余平坦化层顶端，或所述剩余凸起与所述剩余平坦化层平齐。
10.如权利要求9所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，高出所述剩余平坦化层的剩余凸起为梯形结构，低于所述剩余平坦化层的剩余凸起为月牙形结构。
【专利摘要】本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法，其包括如下步骤：（1）首先利用化学气相沉积法在薄膜晶体管的基板上沉积一层非晶硅；（2）利用准分子激光退火技术将非晶硅结晶，成为多晶硅，在结晶过程中多晶硅表面产生大量的由于激光退火结晶造成的凸起；（3）利用涂布方式在具有凸起的多晶硅上面制作平坦化层，使该平坦化层完全覆盖多晶硅的凸起；（4）对所述平坦化层进行刻蚀，当刻蚀到凸起部分时，平坦化层与凸起一起被刻蚀掉，并在所述多晶硅上留下剩余平坦化层与剩余少量凸起。采用本发明薄膜晶体管的制作方法，可大大降低ELA结晶后多晶硅的凸起高度，提高AMOLED背板的均匀性，使显示效果更佳。
【IPC分类】H01L29-786, H01L21-336
【公开号】CN104752203
【申请号】CN201310734217
【发明人】赵景训
【申请人】昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司, 昆山国显光电有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2013年12月27日