、镀镍的铜、铝等或它们的组合。散热片502通常可以具有良好的导热性和/或具有堪比管芯110的热膨胀系数(CTE)的CTE。当处于完整封装件中时，散热片502通常散热。
[0063]图10示出将管芯封装附着至衬底602 (步骤718)。衬底602可以由诸如硅、锗、金刚石等的半导体材料制成。可选地，还可以使用化合物材料，诸如，硅锗、碳化硅、砷化镓、砷化铟、磷化铟、碳硅化锗、磷砷化镓、磷化铟、它们的组合等。另外，衬底602可为SOI衬底。通常，SOI衬底包括半导体材料层，诸如，外延硅、锗、硅锗、SO1、SGOI或它们的组合。在一个可选实施例中，衬底602是基于绝缘芯体的诸如玻璃纤维增强树脂芯体。一种示例性芯体材料是诸如FR4的玻璃纤维树脂。用于芯体材料的选择包括BT树脂,或者可选地,包括其他PC板材料或膜。诸如ABF或其他层压板的增层膜可以用于衬底602。
[0064]衬底602可以包括有源和无源器件(未在图10中示出)。本领域普通技术人员应认识到，诸如晶体管、电容器、电阻器、上述组合等的多种器件可以用于满足用于衬底602的结构性和功能性设计要求。可以使用任何合适方法形成器件。在一些实施例中，衬底602是封装衬底。
[0065]衬底602包括位于衬底602的第一侧上的接合焊盘606和位于衬底的第二侧上的电连接件604，第二侧与第一侧相对。接合焊盘606和电连接件604可以分别类似于如上的接合焊盘108和电连接件408，因此在此不再重复，然而接合焊盘108和606不一定与电连接件408和604相同。
[0066]在管芯封装和衬底602之间的接合可以是焊料接合或直接金属-金属(诸如，铜-铜或锡-锡)接合。在一个实施例中，管芯封装通过回流处理被接合至衬底602。在该回流处理期间，电连接件408与金属化图案406和接合焊盘606接触，从而在物理上和电学上将管芯封装电连接至衬底602。
[0067]底部填充材料608可以被注入或以其它方式形成在管芯封装和衬底602之间的空间中并且围绕电连接件408。底部填充材料608可例如是分布在该结构之间并且随后被固化至变硬的液态环氧树脂、可变形凝胶、硅橡胶等。其中，该底部填充材料用来减少对电连接件408的损害并保护电连接件408。
[0068]通过在凸块形成处理期间将隔离层保留在管芯(诸如，管芯的背面)上，可明显减小或完全消除静电可以到达并且损害敏感组件的路径。由此，可扩展用于制造CoWoS器件的工艺窗，降低制造的成本和复杂性，同时增加制程良率。
[0069]例如，在衬底的第二侧(例如，介电层、金属化图案和/或电连接件的形成)形成期间，附接至衬底的管芯、衬底本身以及电连接件可变为带正电，同时载体衬底(附接至管芯的背面)可变为带负电，反之亦然。因此，管芯110和载体衬底之间的界面可以是静电放电路径。通过留下一定量的覆盖管芯的背面的模塑材料，模塑材料形成隔离层，其阻断管芯和载体衬底之间的静电放电路径。
[0070]一个实施例是一种方法，包括:将管芯安装到衬底的顶面以形成器件；将管芯和衬底的顶面封装在模塑料中；模塑料具有在管芯之上的第一厚度；以及去除管芯之上的模塑料的一部分而非所有厚度。该方法还包括:对器件执行进一步处理并且去除管芯之上的模塑料的剩余厚度。
[0071]另一个实施例是一种方法，包括:将第一管芯的有效表面附接至第一衬底的第一侧以形成管芯封装；用模塑材料封装第一管芯和衬底的第一侧，模塑材料具有从模塑材料的第一表面到第一管芯的背面的第一厚度，背面与有效表面相对；以及对模塑材料的第一表面执行第一平坦化步骤以具有从模塑材料的第一表面到第一管芯的背面的第二厚度，第二厚度小于第一厚度。该方法还包括:将模塑材料的第一表面附接至载体衬底；在第一衬底的第二侧之上形成电连接件；去除载体衬底；以及对模塑材料的第一表面执行第二平坦化步骤以去除第一管芯的背面之上的剩余模塑材料。
[0072]又一个实施例是一种方法，包括:将管芯附接至第一衬底的第一表面以形成器件封装件；通过模塑料封装管芯和第一衬底的第一表面，模塑料在管芯之上延伸；以及去除在管芯之上延伸的模塑料的一部分。该方法还包括:对器件封装执行进一步处理并去除管芯之上的模塑料的剩余部分以暴露管芯的表面。
[0073]上面论述了若干实施例的部件，使得本领域普通技术人员可以更好地理解本发明的各个方面。本领域普通技术人员应该理解，可以很容易地使用本发明作为基础来设计或更改其他用于达到与这里所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优点的处理和结构。本领域普通技术人员也应该意识到，这种等效构造并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以进行多种变化、替换以及改变。
【主权项】
1.一种方法，包括: 将管芯安装到衬底的顶面以形成器件； 将所述管芯和所述衬底的顶面密封在模塑料中，所述模塑料具有位于所述管芯上方的第一厚度； 去除所述模塑料中位于所述管芯上方的部分厚度但非全部厚度； 对所述器件执行进一步处理；以及 去除所述模塑料中位于所述管芯上方的剩余厚度。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述进一步处理包括在所述衬底的底面上形成电连接件。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述电连接件是可控塌陷芯体片连接件。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述进一步处理包括重新研磨所述衬底的底面并且在研磨后的所述表面上形成电连接件。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括:将所述器件安装到第二衬底上。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二衬底是印刷电路板。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，在去除所述模塑料中位于所述管芯上方的部分厚度但非全部厚度之后，模塑料的剩余厚度大于30 μ m。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括: 在去除所述模塑料中位于所述管芯上方的所述剩余厚度之后，将散热片粘附至所述管芯和所述模塑料。
9.一种方法，包括: 将第一管芯的有效表面附接至第一衬底的第一侧以形成管芯封装件； 通过模塑材料密封所述第一管芯和所述衬底的第一侧，所述模塑材料具有从所述模塑材料的第一表面至所述第一管芯的背面的第一厚度，所述背面与所述有效表面相对； 对所述模塑材料的第一表面执行第一平坦化步骤以具有从所述模塑材料的第一表面至所述第一管芯的背面的第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度； 将所述模塑材料的第一表面附接至载体衬底； 在所述第一衬底的第二侧上方形成电连接件； 去除所述载体衬底；以及 对所述模塑材料的第一表面执行第二平坦化步骤，以去除位于所述第一管芯的背面上方的剩余模塑材料。
10.一种方法，包括: 将管芯附接至第一衬底的第一表面以形成器件封装件； 通过模塑料密封所述管芯和所述第一衬底的第一表面，所述模塑料在所述管芯上方延伸； 去除所述模塑料中在所述管芯上方延伸的部分； 对所述器件封装执行进一步处理；以及 去除所述模塑料中位于所述管芯上方的剩余部分以暴露所述管芯的表面。
【专利摘要】本公开的实施例包括半导体封装件及其形成方法。一个实施例是一种方法，包括：将管芯安装到衬底的顶面以形成器件；将管芯和衬底的顶面封装在模塑料中，模塑料在管芯之上具有第一厚度；以及去除管芯之上的模塑料的部分但非所有厚度。该方法还包括对器件执行进一步处理并且去除管芯之上的模塑料的剩余厚度。
【IPC分类】H01L21-50
【公开号】CN104752236
【申请号】CN201410385450
【发明人】黄文浚, 李建成, 刘国洲, 薛瑞云, 郑锡圭, 林志贤, 林俊成, 陆湘台, 谢子逸
【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2014年8月7日
【公告号】US20150187607