晶片的加工方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及沿着分割预定线分割晶片的晶片的加工方法，在所述晶片中，在层叠 于基板的正面的功能层上，在通过形成为格子状的多个分割预定线划分出的多个区域中形 成有器件。
【背景技术】
[0002] 对于本领域技术人员来说，如公知的那样，在半导体器件制造过程中，形成这样的 半导体晶片：在硅等基板的正面，利用层叠绝缘膜和功能膜而成的功能层，呈矩阵状地形成 了多个IC、LSI等器件。这样形成的半导体晶片的上述器件被形成为格子状的分割预定线 划分开来，通过沿着该分割预定线对半导体晶片进行分割，来制造出一个个半导体器件。
[0003] 近来，为了提高IC、LSI等半导体器件的处理能力，在硅等基板的正面利用下述 这样的功能层形成了半导体器件的形态的半导体晶片被实用化，所述功能层是层叠 SiOF、 BSG (SiOB)等无机物类的膜、或者为聚酰亚胺系、聚对亚苯基二甲基系等聚合物膜的由有机 物类的膜构成的低介电常数绝缘体覆膜（Low-k膜）而形成的。
[0004] 这样的半导体晶片的沿着分割预定线的分割通常利用被称作划片机的切削装置 进行。该切削装置具备：卡盘工作台，其保持作为被加工物的半导体晶片；切削构件，其用 于对保持于该卡盘工作台的半导体晶片进行切削；以及移动构件，其使卡盘工作台和切削 构件相对移动。切削构件包括高速旋转的旋转主轴、和安装于该主轴的切削刀具。切削刀 具由圆盘状的基座和安装在该基座的侧面外周部的环状的切削刃构成，切削刃是通过电铸 固定例如粒径3 μL?左右的金刚石磨粒而形成的且形成为30 μL?左右的厚度。
[0005] 可是，上述的Low-k膜难以利用切削刀具进行切削。即，由于Low-k膜如云母那样 非常脆，因此，如果利用切削刀具沿着分割预定线进行切削，则存在这样的问题：Low-k膜 剥离，并剥离至电路，从而对器件造成致命性的损伤。
[0006] 为了消除上述问题，在下述专利文献1中公开了这样的晶片的分割方法：沿着在 半导体晶片上形成的分割预定线照射激光光线，沿着分割预定线形成激光加工槽以分割功 能层，将切削刀具定位在该激光加工槽，使切削刀具和半导体晶片相对移动，由此沿着分割 预定线切断半导体晶片。
[0007] 专利文献1 :日本特开2005-64231号公报
[0008] 然而，如上述专利文献1所记载的这样沿着在半导体晶片上形成的分割预定线照 射激光光线，由此沿着分割预定线形成激光加工槽以分割功能层，将切削刀具定位于该激 光加工槽，沿着分割预定线分割半导体晶片的晶片的分割方法中存在下述问题。
[0009] (1)即使激光加工槽的宽度足够宽，切削刀具也会与附着在激光加工槽的侧面的 熔融物接触，而突发性地在器件的外周产生缺口。
[0010] (2)如果在形成激光加工槽时功能层的除去不够充分，则会发生切削刀具的偏移 或倾倒，从而在器件的功能层上发生剥离。
[0011] (3)为了在超过切削刀具的宽度的范围内形成激光加工槽，需要使分割预定线的 宽度较宽，从而在晶片上形成的器件的数量减少。
【发明内容】
[0012] 本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于提供一种晶片的加工方 法，该晶片的加工方法能够消除上述问题并将晶片分割成一个个器件，在所述晶片中，在层 叠于基板的正面的功能层上，在通过形成为格子状的多个分割预定线划分出的多个区域中 形成有器件。
[0013] 为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种晶片的加工方法，在所述晶 片中，在层叠于基板的正面的功能层上，在通过形成为格子状的多个分割预定线划分出的 多个区域中形成有器件，该晶片的加工方法是沿着分割预定线分割所述晶片的方法，其特 征在于，
[0014] 所述晶片的加工方法包括以下工序：
[0015] 功能层切断工序，在该功能层切断工序中，沿着在构成晶片的功能层上形成的分 割预定线照射激光光线，由此对功能层进行烧蚀加工，形成沿着分割预定线将功能层切断 的激光加工槽；
[0016] 保护部件粘贴工序，在该保护部件粘贴工序中，将保护部件粘贴到构成实施了该 功能层切断工序后的晶片的功能层的正面；
[0017] 切削槽形成工序，在该切削槽形成工序中，将实施了该保护部件粘贴工序后的晶 片的该保护部件侧保持于卡盘工作台上，将切削刀具从构成晶片的基板的背面侧定位在与 分割预定线对应的区域，形成未到达功能层的切削槽；
[0018] 晶片支承工序，在该晶片支承工序中，将切割带粘贴于构成实施了该切削槽形成 工序后的晶片的基板的背面，利用环状的框架支承切割带的外周部，并且将该保护部件剥 离；以及
[0019] 带扩张工序，在该带扩张工序中，使粘贴有构成实施了该晶片支承工序后的晶片 的基板的背面的切割带扩张，使器件之间扩展开。
[0020] 在上述切削槽形成工序中，形成没有到达将功能层切断的激光加工槽的底部的切 削槽，在上述扩张工序中，使切割带扩张而将晶片分割成一个个器件。
[0021] 另外，在上述切削槽形成工序中，形成到达将功能层切断的激光加工槽的底部的 切削槽，由此将晶片分割成一个个器件。
[0022] 在本发明的晶片的加工方法中包括下述工序：功能层切断工序，在该功能层切断 工序中，沿着在构成晶片的功能层上形成的分割预定线照射激光光线，由此对功能层进行 烧蚀加工，形成沿着分割预定线将功能层切断的激光加工槽；保护部件粘贴工序，在该保 护部件粘贴工序中，将保护部件粘贴到构成实施了功能层切断工序后的晶片的功能层的正 面；切削槽形成工序，在该切削槽形成工序中，将实施了保护部件粘贴工序后的晶片的该保 护部件侧保持于卡盘工作台上，将切削刀具从构成晶片的基板的背面侧定位在与分割预定 线对应的区域，形成未到达功能层的切削槽；晶片支承工序，在该晶片支承工序中，将切割 带粘贴于构成实施了切削槽形成工序后的晶片的基板的背面，利用环状的框架支承切割带 的外周部，并且将保护部件剥离；以及带扩张工序，在该带扩张工序中，使粘贴有构成实施 了晶片支承工序后的晶片的基板的背面的切割带扩张，使器件之间扩展开，因此，可以得到 下面的作用效果。
[0023] (1)即使熔融物附着于通过激光加工工序中的烧蚀加工而在功能层上形成的激光 加工槽的侧面，由于不利用切削刀具切削激光加工槽，因此能够消除由于切削刀具的接触 而突发性地在器件的外周产生缺口这样的问题。
[0024] (2)即使通过激光加工工序中的烧蚀加工实现的功能层的除去不充分，只要使激 光加工槽到达从基板的背面侧形成的切削槽，就能够将晶片分割成一个个器件，而不利用 切削刀具切削激光加工槽，因此能够消除功能层发生剥离这样的问题。
[0025] (3)由于无需形成宽度超过切削刀具的宽度的激光加工槽，因此，能够使分割预定 线的宽度变窄，从而能够增加可在晶片上形成的器件的数量。
【附图说明】
[0026] 图1是示出通过本发明的晶片的加工方法进行分割的半导体晶片的立体图和主 要部分放大剖视图。
[0027] 图2是用于实施功能层切断工序的激光加工装置的主要部分立体图。
[0028] 图3是功能层切断工序的说明图。
[0029] 图4是实施了功能层切断工序的另一个实施方式后的晶片的主要部分放大剖视 图。
[0030] 图5是保护部件粘贴工序的说明图。
[0031] 图6是用于实施切削槽形成工序的切削装置的主要部分立体图。
[0032] 图7是切削槽形成工序的说明图。
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