有源层216的两个源/漏极区耦合，电容器3的导电层316通过形成于第一绝缘层13和第二绝缘层16的通孔与电容下电极312耦合；
8)在第三导电图案层16上形成覆盖柔性基底的平坦化层17，平坦化层17通过刻蚀形成有显露出驱动薄膜晶体管2的任一源/漏极216的通孔；
9)在平坦化层17上形成像素电极30，像素电极30通过形成于平坦化层30的通孔与薄膜晶体管的任一源/漏极216耦合；
10)结合图1k?IC所示，图中，仅以相邻两像素单元区的薄膜晶体管和像素之间的填充区的形成过程作为示意。将柔性基底上未被第一导电图案层12、第二导电图案层14和第三导电图案层16和像素电极30覆盖的区域的缓冲层11、第一绝缘层13、第二绝缘层15和平坦化层17刻蚀除去，其中，缓冲层11、第一绝缘层13、第二绝缘层15和平坦化层17与第一导电图案层12、第二导电图案层14或第三导电图案层16重叠的部分均保留(即各绝缘层和平坦化层对应在各导电图案层上方的部分)，刻蚀后形成填充区C，在像素电极30上形成柔性绝缘材料层100，柔性绝缘材料层100对应覆盖柔性基底10并填充入填充区C，对柔性绝缘材料层100进行刻蚀，将柔性绝缘材料层100对应于像素电极30上方的部分刻蚀除去，在像素电极30上形成有机层40。在有机层40上可继续形成阴极，然后封装。
[0065]上述方法制备的柔性显示器包括:
柔性基底10，分为多个像素单元区A ;
缓冲层11，形成于柔性基底10上，覆盖柔性基底10 ；
第一导电图案层12，形成于缓冲层11上，其包括位于各像素单元的开关薄膜晶体管I的有源层112、驱动薄膜晶体管2的有源层212和电容器3的下电极312 ；
第一绝缘层13，形成于第一导电图案层12上，覆盖柔性基底10 ； 第二导电图案层14，形成第一绝缘层13上，其包括开关薄膜晶体管I的栅电极114、驱动薄膜晶体管2的栅电极214和电容器3的上电极314 ；
第二绝缘层15，形成于在第二导电图案层14上，覆盖柔性基底10 ；
第三导电图案层16，形成于第二绝缘层15上，其包括开关薄膜晶体管I的两个源/漏极116、驱动薄膜晶体管2的两个源/漏极216和电容器3的导电层316，开关薄膜晶体管I的两个源/漏极116通过形成于第一绝缘层13和第二绝缘层15的通孔与开关薄膜晶体管I的有源层112两个源/漏极区耦合，驱动薄膜晶体管2的两个源/漏极216通过形成于第一绝缘层13和第二绝缘层15的通孔与驱动薄膜晶体管2的有源层212的两个源/漏极区耦合，电容器3的导电层316通过形成于第一绝缘层和第二绝缘层的通孔与电容器3的下电极312耦合；
平坦化层17，形成于第三导电图案层16上，覆盖柔性基底；
像素电极30，形成在平坦化层17上，像素电极30通过形成于平坦化层17的通孔与驱动薄膜晶体管2的任一源/漏极216耦合；
其中，柔性基底10上未被第一导电图案层12、第二导电图案层14和第三导电图案层16和像素电极30覆盖的区域的缓冲层11、第一绝缘层13、第二绝缘层15和平坦化层17刻蚀除去,形成填充区C，在填充区c填充柔性绝缘材料。
[0066]柔性绝缘材料层100，形成于像素电极30上，覆盖柔性基底10，其中柔性绝缘材料层100对应在像素电极30上方的部分除去，填充有机层40。
[0067]本实施例中，缓冲层11、第一绝缘层13、第二绝缘层15为氧化硅或氮化硅的其中之一或其组合；平坦化层17为有机材料层(如:聚酰亚胺)；柔性绝缘材料为橡胶、软质光刻胶或柔性高分子材料中的一种或其组合(如:聚氨酯类材料等)；所述柔性基底为柔性高分子材料(如:聚酰亚胺、柔性塑料等可弯曲的柔性材料)；所述第一导电图案层为半导体层(如:多晶硅、非晶硅等)；所述第二导电图案层和第三导电图案层为金属层，所述像素电极为透明导电材料层(如:氧化铟锡、石墨烯等)。以上各层材质仅为列举说明，并不限于此。
[0068]以此，本实施例中的像素单元的像素电极、开关薄膜晶体管1、驱动薄膜晶体管2和电容器3的硬质材料层(包括:缓冲层11、第一导电图案层12、第一绝缘层13、第二导电图案层14、第二绝缘层15、第三导电图案层16、平坦化层17和像素电极30)的周边均由柔性绝缘材料填充包围，柔性绝缘材料保护薄膜晶体管和像素电极等结构，此外使得柔性显示器的弯曲更灵活，并有效防止了像素电极等硬质材料层的断裂或损坏。
[0069]实施例3
结合图8和图9A-9F所示，本实施例的柔性显示器的结构与实施例1、2有所不同。
[0070]本实施例的柔性显示器的制备方法包括:
1)柔性基底10分为多个像素单元区A，在柔性基底上形成覆盖柔性基底10的缓冲层
11 ;
2)在缓冲层11上形成第一导电图案层12’，其包括位于各像素单元区A的开关薄膜晶体管I的栅电极112’、驱动薄膜晶体管2的栅电极212’和电容器3的第一电极312’ ；
3)在第一导电图案层12’上形成对应覆盖柔性基底10的第一绝缘层13；
4)在第一绝缘层13上形成第二导电图案层14’，其包括开关薄膜晶体管I的有源层114’、驱动薄膜晶体管2的有源层214’和电容器3的第二电极314’，开关薄膜晶体管I的有源层114’包括沟道区和位于沟道区两侧的两个源/漏极区，驱动薄膜晶体管2的有源层214’包括沟道区和位于沟道区两侧的两个源/漏极区；
5)在第二导电图案层14’上形成覆盖柔性基底10的第二绝缘层15；
6)对第二绝缘层15进行刻蚀，形成显露出开关薄膜晶体管I的有源层114’的两个源/漏极区的通孔，显露出驱动薄膜晶体管2的有源层214’两个源/漏极区的通孔；对第一绝缘层13和第二绝缘层15的对应位置进行刻蚀，形成显露出电容器3第一电极312’的通孔；
7)在第二绝缘层15上形成第三导电图案层16，其包括开关薄膜晶体管I的两个源/漏极116、驱动薄膜晶体管2的两个源/漏极216和电容器3的导电层316，开关薄膜晶体管I的两个源/漏极116通过形成于第二绝缘层15的通孔与开关薄膜晶体管I的有源层112’两个源/漏极区耦合，驱动薄膜晶体管2的两个源/漏极216通过形成于第二绝缘层15的通孔与驱动薄膜晶体管2的有源层216的两个源/漏极区耦合，电容器3的导电层316通过形成于第一绝缘层13和第二绝缘层16的通孔与电容器的第一电极312’耦合；
8)在第三导电图案层16上形成覆盖柔性基底的平坦化层17，平坦化层17通过刻蚀形成有显露出驱动薄膜晶体管2的任一源/漏极216的通孔；
9)在平坦化层17上形成像素电极30，像素电极30通过形成于平坦化层30的通孔与薄膜晶体管的任一源/漏极216耦合；
10)结合图9A?9F所示，图中，仅以相邻两像素单元区的薄膜晶体管和像素之间的填充区的形成过程作为示意。将柔性基底上未被第一导电图案层12’、第二导电图案层14’和第三导电图案层16和像素电极30覆盖的区域的缓冲层11、第一绝缘层13、第二绝缘层15和平坦化层17刻蚀除去，其中，缓冲层11、第一绝缘层13、第二绝缘层15和平坦化层17与第一导电图案层12’、第二导电图案层14’或第三导电图案层16重叠的部分均保留(即各绝缘层和平坦化层对应在各导电图案层上方的部分)，刻蚀后形成填充区C，在填充区c填充柔性绝缘材料；在像素电极30上形成对应覆盖柔性基底10的隔离柱材料层200，对隔离柱材料层200进行刻蚀，将隔离柱材料层200对应在像素电极30上方的部分刻蚀除去，在像素电极30上形成有机层40。在有机层40上可继续形成阴极，然后封装。
[0071]上述方法制备的柔性显示器包括:
柔性基底10，分为多个像素单元区A ;
缓冲层11，形成于柔性基底10上，覆盖柔性基底10 ；
第一导电图案层12’，形成于缓冲层11上，其包括位于各像素单元的开关薄膜晶体管I的栅电极112’、驱动薄膜晶体管2的栅电极212’和电容器3的第一电极312’ ；
第一绝缘层13，形成于第一导电图案层12’上，覆盖柔性基底10 ；
第二导电图案层14’，形成第一绝缘层13上，其包括开关薄膜晶体管I的有源层114’、驱动薄膜晶体管2的有源层214’和电容器3的第二电极314’ ；
第二绝缘层15，形成于在第二导电图案层14’上，覆盖柔性基底10 ；
第三导电图案层16，形成于第二绝缘层15上，其包括开关薄膜晶体管I的两个源/漏极116、驱动薄膜晶体管2的两个源/漏极216和电容器3的导电层316，开关薄膜晶体管I的两个源/漏极116通过形成第二绝缘层15的通孔与开关薄膜晶体管I的有源层114’的两个源/漏极区耦合，驱动薄膜晶体管2的两个源/漏极216通过形成于第二绝缘层15的通孔与驱动薄膜晶体管2的有源层214’的两个源/漏极区耦合，电容器3的导电层316通过形成于第一绝缘层和第二绝缘层的通孔与电容器3的第一电极312’耦合；
平坦化层17，形成于第三导电图案层16上，覆盖柔性基底；
像素电极30，形成在平坦化层17上，像素电极30通过形成于平坦化层17的通孔与驱动薄膜晶体管2的任一源/漏极216耦合；
其中，柔性基底10上未被第一导电图案层12’、第二导电图案层14’和第三导电图案层16和像素电极30覆盖的区域的缓冲层11、第一绝缘层13、第二绝缘层15和平坦化层17刻蚀除去,形成填充区C，在填充区c填充柔性绝缘材料。
[0072]隔离柱材料层200，形成于像素电极30上，覆盖柔性基底10，其中隔离柱材料层200对应在像素电极30上方的部分除去，填充有机层40。
[0073]本实施例中，缓冲层11、第一绝缘层13、第二绝缘层15为氧化硅或氮化硅的其中之一或其组合；平坦化层17和隔离柱材料层200为有机材料层(如:聚酰亚胺)；柔性绝缘材料为橡胶、软质光刻胶或柔性高