]在说明书中，在为每幅附图中的元件增加附图标记时，应当注意，已经用于表示相似元件的相似的附图标记在其他附图中也尽可能地用于表示这些元件。
[0043]说明书中描述的术语应当按如下所述来理解。
[0044]如本文中所使用的，单数形式的“一”、“所述”以及“该”意味着同样包括复数形式，除非上下文中另有明确的表示。术语“第一”和“第二”是为了区分一个元件和另一个元件，这些元件不应当受这些术语的限制。
[0045]应当进一步理解如下术语，当本文中使用不同表达形式的术语“包括”、“具有”、“含有”和/或“包含”时，其表示存在所指的特征、整体、步骤、操作、元件、和/或组件，而不排除存在或增加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合。
[0046]在本发明实施例的描述中，当将一种结构描述为形成在另一种结构的上部/下部处或者在该另一种结构的上面/下面时，该描述应当被解释为包括这些结构彼此接触的情况，还包括第三种结构置于其间的情况。
[0047]在参考附图进行描述之前，根据本发明实施例的有机发光显示设备包括OLED面板和驱动该OLED面板的驱动电路单元。
[0048]多个像素在OLED面板中排列成矩阵型，向OLED供电和提供信号的多条线路以及多个像素的每个像素中包括的像素电路都形成在该OLED面板中。
[0049]所述多条线路包括数据线、扫描线、感应信号线、VDD线和参考电压线。尽管图中没有示出，但是该多条线路可以进一步包括发射信号线。
[0050]所形成的数据线和参考电压线沿着高度方向与相应的像素相交。所形成的扫描线和感应信号线沿着宽度方向与相应的像素相交。本文中，可以沿着宽度方向或者高度方向在相应的像素中形成VDD线。
[0051]多个像素的每一个都包括开口和像素电路单元，在所述开口中形成OLED从而发射光，所述像素电路单元包括用于驱动该OLED的驱动电路。
[0052]像素电路单元包括多个TFT和存储电容器。多个TFT中的每一个都包括驱动TFT、扫描TFT和感应TFT。
[0053]用驱动TFT的阈值电压“Vth”给存储电容器充电，并允许基于数据电压的驱动电流流入OLED中。
[0054]通过施加于扫描线的扫描信号将扫描TFT导通，该扫描TFT将施加于数据线的数据电压提供给驱动TFT。
[0055]通过施加于感应信号线的感应信号将感应TFT导通，该感应TFT将供给参考电压线的显示参考电压“Vref”或感应预充电电压“Vpre”提供给连接到驱动TFT(DT)和OLED的节点。在每个像素中，感应TFT都布置在存储电容器和驱动TFT的下面。
[0056]利用数据电压将驱动TFT导通，该驱动TFT调整从第一驱动电压VDD端子流到第二驱动电压VSS端子的数据电流“1led”的量。通过调整该数据电流的量来调整从OLED发射的光。
[0057]通过利用氧化物作为有源材料可以将驱动TFT、扫描TFT和感应TFT形成为N型或卩型。
[0058]在下文中，参考附图详细地描述根据本发明实施例的有机发光显示设备及其制造方法。
[0059]图2是在根据本发明实施例的有机发光显示设备的像素中形成的开关TFT的等效电路。
[0060]参考图2，根据本发明实施例的有机发光显示设备的开关TFT使光屏蔽元件连同源极和漏极一起构造，并且该开关TFT具有使光屏蔽元件浮置(float)的结构。
[0061]图3是在根据本发明实施例的有机发光显示设备的像素中形成的开关TFT的平面图，图4是图解说明图3的开关TFT的结构的横截面视图。图3和图4图解说明了多个开关TFT中的一个，并示出了具有蚀刻停止层(ESL)类型的开关TFT。
[0062]参考图3和图4，在基板上的开关TFT区域中形成下栅极110、源极120和漏极130。下栅极110、源极120和漏极130由相同的金属在同一层形成。本文中，下栅极110除了 TFT的栅极的功能之外还可以执行光屏蔽元件的功能。
[0063]下栅极110、源极120和漏极130可以由钼(Mo)、钛(Ti)、或铜(Cu)形成为单层结构。作为另一个实施例，下栅极110、源极120和漏极130可以形成为多层结构。第一层可以由钼钛(MoTi)合金形成，厚度为500nm，第二层可以由铜(Cu)形成，厚度为30nmo
[0064]形成第一栅极绝缘层140 (GI I)来覆盖下栅极110、源极120和漏极130。
[0065]第一栅极绝缘层140包括S12B成的第一层和SiNx形成的第二层。所形成的S12层的厚度为400nm，所形成的SiNx层的厚度为30nm。
[0066]在第一栅极绝缘层140上的开关TFT (SW-TFT)区域中形成有源层150。有源层150由氧化物形成，如氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌(IZO)、或无定形的氧化铟镓锌(IGZO)，厚度为65nm0
[0067]在第一栅极绝缘层140上形成接触源极120和漏极130的导电线155。
[0068]本文中，在制造过程中将用于形成有源层150的半导体材料金属化从而成为导电线155。TFT的有源层150和导电线155基本上由相同的材料形成，并且形成为一层。
[0069]形成第二栅极绝缘层160 (GI 2)来覆盖有源层150，在第二栅极绝缘层160 (GI 2)上形成上栅极170。
[0070]第二栅极绝缘层160由S12形成，厚度为150nmo
[0071]上栅极170可以形成为多层结构。第一层可以由铜-钼-钛(Cu-Mo-Ti)的合金形成，厚度为340nm，第二层可以由Ti形成，厚度为30nmo
[0072]形成保护层180来覆盖开关TFT和导电线155。保护层180由S12形成，厚度为450nmo
[0073]开关TFT配置为具有下栅极110、源极120、漏极130、第一栅极绝缘层140、有源层150、第二栅极绝缘层160和上栅极170。
[0074]包括上述元件的根据本发明实施例的有机发光显示设备的开关TFT使下栅极110连同源极120和漏极130 —起构造。下栅极110可以由光屏蔽元件形成，且阻挡光照射到该开关TFT上。
[0075]图5是在根据本发明实施例的有机发光显示设备的像素中形成的驱动TFT的等效电路。
[0076]参考图5，根据本发明实施例的有机发光显示设备的驱动TFT使光屏蔽元件连同源极和漏极一起构造，并且该驱动TFT具有使光屏蔽元件接触源极的结构。
[0077]图6是在根据本发明实施例的有机发光显示设备的像素中形成的驱动TFT的平面图，图7是图解说明图6的驱动TFT的结构的横截面视图。
[0078]图6和图7图解说明了多个驱动TFT中的一个，且示出了具有ESL类型的驱动TFT。
[0079]参考图6和图7，在基板上的驱动TFT区域中形成下栅极210、源极230和漏极220。下栅极210、源极230和漏极220由相同的金属在同一层形成。本文中，下栅极210除了 TFT的栅极的功能之外还可以执行光屏蔽元件的功能。
[0080]下栅极210、源极230和漏极220可以由钼(Mo)J1: (Ti)、或铜(Cu)形成为单层结构。作为另一个实施例，下栅极210、源极230和漏极220可以形成为多层结构。第一层可以由钼钛(MoTi)合金形成，厚度为500nm，第二层可以由铜(Cu)形成，厚度为30nmo
[0081]形成第一栅极绝缘层240 (GI I)来覆盖下栅极210、源极230和漏极220。
[0082]第一栅极绝缘层240包括S12B成的第一层和SiNx形成的第二层。所形成的S12层的厚度为400nm，所形成的SiNx层的厚度为30nm。
[0083]在第一栅极绝缘层240上的开关TFT (Sff-TFT)区