平坦化工艺，工艺流程参见图4,具体包括W下步骤：
[0032] 步骤1、在有台阶的晶圆表面形成第一正娃酸己醋层6 ;
[0033] 如图5所示，在有台阶的晶圆表面W等离子体辅助化学气相沉积法（PECVD)沉积 第一正娃酸己醋层6,其中，所述第一正娃酸己醋层6的厚度为1000-3000A。
[0034] 在本实施例中，所指的有台阶的晶圆的结构组成为衬底1、场氧化层2、多晶娃层 3、介质层4W及金属5。
[00巧]步骤2、在所述第一正娃酸己醋层6上形成旋涂玻璃层7,所述旋涂玻璃层7在非 台阶处的厚度大于在台阶处的厚度；
[0036] 如图6所示，在所述第一正娃酸己醋层6上旋涂所述旋涂玻璃层7,所述旋涂玻璃 层7的厚度为1500-3000A。其中，旋涂玻璃层7的厚度视台阶的高度而定，一般应保证 所述旋涂玻璃层7在非台阶处的厚度大于在台阶处的厚度。
[0037] 本实施例中指的"台阶"指的是金属5,相对于介质层4的凸起部分，"非台阶"指 的是在金属5之间的凹陷部分。
[0038] 步骤3-步骤4、对形成旋涂玻璃层后的晶圆依次进行烘烤和离子注入；
[0039] 对所述旋涂玻璃层7进行高温烘烤，其烘烤的温度为200-40(TC，烘烤的时间为 30-90min。高温烘烤的目的是为了解决旋涂玻璃吸潮的问题，在该温度范围内，可W使旋涂 玻璃中的有机物质的0-H键发生断裂，有效阻碍了 0-H和H原子结合成水分子，从而有效的 解决了旋涂玻璃吸潮的问题。
[0040] 利用高能离子注入工艺对旋涂玻璃层7进行固化处理，一般采用氮气或神对形成 旋涂玻璃层7后的晶圆进行离子注入，其中，离子注入的能量为70-200KEV。
[0041] 步骤5、在离子注入后的所述旋涂玻璃层7上形成第二正娃酸己醋层8 ;
[0042] 如图7所示，在在离子注入后的所述旋涂玻璃层7上W等离子体辅助化学气 相沉积法（PECVD)沉积第二正娃酸己醋层8,其中，所述第二正娃酸己醋层8的厚度为 10000-15000A。
[0043] 步骤6、在所述第二正娃酸己醋层8上形成光刻胶层9 ;
[0044] 如图8所示，在第二正娃酸己醋层8上通过旋涂的方式形成所述光刻胶层9(简 称；PR层)，所述光刻胶层9的厚度为6000-8000A。
[0045] 步骤7、对所述光刻胶层9和所述第二正娃酸己醋层8进行回刻；
[0046] 如图9所示，对所述光刻胶层9和所述第二正娃酸己醋层8进行回刻，其具体为： 对所述光刻胶层9刻蚀完全，并对所述第二正娃酸己醋层8进行部分刻蚀，其刻蚀后剩余的 所述第二正娃酸己醋层8厚度为2000-4000A。通过回刻的方式减少旋涂光刻胶之后的 晶圆表面的台阶差，W获取满足要求的晶圆表面平整度。
[0047] 步骤8、去除回刻残留的光刻胶，具体为：采用等离子体法去除回刻残留的光刻 胶。
[0048] 步骤9、对晶圆进行清洗。所用的清洗液为常用的有机溶剂，如己醇、丙丽或者它们 的混合液，其主要清洗的是在步骤8中，采用等离子体法去除残留光刻胶过程中的等离子 体物质。
[0049] 最后应说明的是；W上各实施例仅用W说明本发明的技术方案，而非对其限制； 尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其 依然可W对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征 进行等同替换；而该些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技 术方案的范围。
【主权项】
1. 一种晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，包括以下步骤： 在有台阶的晶圆表面形成第一正硅酸乙酯层； 在所述第一正硅酸乙酯层上形成旋涂玻璃层，所述旋涂玻璃层在非台阶处的厚度大于 在台阶处的厚度； 对形成旋涂玻璃层后的晶圆依次进行烘烤和离子注入； 在离子注入后的所述旋涂玻璃层上形成第二正硅酸乙酯层； 在所述第二正硅酸乙酯层上形成光刻胶层； 对所述光刻胶层和所述第二正硅酸乙酯层进行回刻； 去除回刻残留的光刻胶，并对晶圆进行清洗。
2. 根据权利要求1所述的晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，所述第一正硅酸乙酯层 和所述第二正硅酸乙酯层均采用等离子体辅助化学气相沉积法形成。
3. 根据权利要求1或2所述的晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，所述第一正硅酸乙酯 层的厚度为1000-3000A，所述第二正硅酸乙酯层的厚度为10000-15000 A。
4. 根据权利要求1所述的晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，所述旋涂玻璃层的厚度 为1500-3000 A。
5. 根据权利要求1所述的晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，所述烘烤的温度为 200-400°C，烘烤的时间为 30-90min。
6. 根据权利要求1所述的晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，所述对形成旋涂玻璃层 后的晶圆依次进行离子注入，具体为：采用氩气或砷对形成旋涂玻璃层后的晶圆进行离子 注入。
7. 根据权利要求1或6所述的晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，所述离子注入的能量 为 70-200KEV。
8. 根据权利要求1所述的晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，所述光刻胶层的厚度为 6000-8000 A。
9. 根据权利要求1所述的晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，对所述光刻胶层和所述 第二正硅酸乙酯层进行回刻，其具体为： 对所述光刻胶层进行完全刻蚀，并对所述第二正硅酸乙酯层进行部分刻蚀，其刻蚀后 剩余的所述第二正硅酸乙酯层厚度为2000-4000 A。
10. 根据权利要求1所述的晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，所述去除回刻残留的光 刻胶，具体为：采用等离子体法去除回刻残留的光刻胶。
【专利摘要】本发明提供一种晶圆表面平坦化工艺，包括以下步骤：在有台阶的晶圆表面形成第一正硅酸乙酯层；在所述第一正硅酸乙酯层上形成旋涂玻璃层，所述旋涂玻璃层在非台阶处的厚度大于在台阶处的厚度；对形成旋涂玻璃层后的晶圆依次进行烘烤和离子注入；在离子注入后的所述旋涂玻璃层上形成第二正硅酸乙酯层；在所述第二正硅酸乙酯层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层和所述第二正硅酸乙酯层进行回刻；去除回刻残留的光刻胶，并对晶圆进行清洗。该工艺采用光刻胶层替代第二旋涂玻璃层，并采用光刻胶回刻技术，不但简化了工艺流程，极大程度的节约成本，而且大大降低了钨火山现象的发生，利于封装打线。
【IPC分类】H01L21-311, H01L21-312
【公开号】CN104810277
【申请号】CN201410037579
【发明人】由云鹏, 潘光燃, 王焜, 石金成
【申请人】北大方正集团有限公司, 深圳方正微电子有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2014年1月26日