保护膜的弹性，因而能吸收熔断器要素部恪断时的冲击(压力)，防止被所述冲击破坏。
[0034]按照第八发明的片式熔断器，在第六或第七发明的片式熔断器的基础上，所述其他保护膜透明，在所述保护膜和所述其他保护膜之间设有标记，所述标记由硅系树脂形成在所述保护层上，由于保护膜、标记和其他保护膜整体由硅系树脂形成，所以相互的密合性强而不易剥离，且对熔断器要素部熔断时的冲击(压力)的吸收性强而不易被破坏。因此，可以维持标记和保护膜。
[0035]按照第九发明的片式熔断器的制造方法，是第一?第八发明中任意一个片式熔断器的制造方法，包括:在所述蓄热层上和所述表面电极部上形成所述矩形的堤部的第一工序；以及在所述堤部的内侧形成所述保护膜的第二工序，所以在由第二工序形成保护膜时，可以由第一工序中形成的矩形的堤部挡住用于形成所述保护膜的材料(例如含有环氧基团的硅系树脂)流淌扩散到周边。因此，保护膜在端部处膜厚也不会变薄，可以确保足够的膜厚，所以能够防止因熔断器要素部熔断时的冲击(压力)破坏所述保护膜。
[0036]按照第十发明的片式熔断器的制造方法，在第九发明的片式熔断器的制造方法的基础上，在所述第一工序中，在所述熔断器要素部上、所述表面电极部上和所述蓄热层上粘贴片状的含有光敏基团的材料，通过将所述片状的含有光敏基团的材料用紫外线曝光显影(光刻)，形成所述矩形的堤部，所以相比于由丝网印刷等形成堤部的情况，堤部厚度均匀，而且由于挡住形成保护层的材料流动的面亦即内侧面与绝缘基板的表面垂直，所以可以进一步可靠地确保保护层的端部的膜厚。
【附图说明】
[0037]图1是本发明实施方式的片式熔断器的断面图(图2的B-B线箭头方向断面)。
[0038]图2是本发明实施方式的片式熔断器的俯视图(图1的A方向箭头视图)。
[0039]图3是表示本发明实施方式的片式熔断器的俯视图，并且是表示除去第一保护膜、第二保护膜、标记、端面电极、端面电极上的铜膜、镍膜和锡膜的状态的图。
[0040]图4的(a)?(d)是表示本发明实施方式的片式熔断器的制造工序中的绝缘基板划线工序、蓄热层形成工序、熔断器膜形成工序的图。
[0041]图5的(a)?(d)是表示本发明实施方式的片式熔断器的制造工序中的熔断器膜形成工序的图。
[0042]图6的(a)?(C)是表示本发明实施方式的片式熔断器的制造工序中的熔断器要素部形成工序的图。
[0043]图7的(a)、(b)是表示本发明实施方式的片式熔断器的制造工序中的堤部形成工序的图。
[0044]图8的(a)?(d)是表示本发明实施方式的片式熔断器的制造工序中的第一保护膜形成工序、标记形成工序、第二保护膜形成工序、其他工序的图。
[0045]图9是不形成堤部时的片式熔断器的断面图。
[0046]图10的(a)是表示对以往的片式熔断器实施断路试验B时所述片式熔断器的断路时间(包含持续电弧时间)的坐标图，图10的(b)是表示对本发明的片式熔断器实施断路试验C时所述片式熔断器的断路时间(未发现持续电弧)的坐标图。
[0047]图11是表示对以往的片式熔断器实施断路试验B时所述片式熔断器的外观的图。
[0048]图12是以往的片式熔断器的断面图。
[0049]附图标记说明
[0050]21片式熔断器
[0051]22绝缘基板(氧化铝基板)
[0052]22a 表面
[0053]22b 背面
[0054]22b-l片式熔断器长度方向的背面两侧的部分
[0055]22c 端面
[0056]23蓄热层(粘接层)
[0057]24熔断器膜
[0058]24a表面电极部
[0059]24a-l第一电极部
[0060]24a-2第二电极部
[0061]24a-3片式熔断器宽度方向两侧的端部
[0062]24a-4片式熔断器长度方向内侧的端部
[0063]24b熔断器要素部
[0064]25镀膜(镍膜)
[0065]26镀膜(锡膜)
[0066]27堤部(堤堰)
[0067]27a片式熔断器长度方向两侧的部分
[0068]27a-l片式熔断器宽度方向两端的内侧
[0069]27b片式熔断器宽度方向两侧的部分
[0070]27b-l片式熔断器长度方向的中央部
[0071]27b-2片式熔断器长度方向两侧的端部
[0072]27c内侧面
[0073]28第一保护膜
[0074]28a 端部
[0075]29第二保护膜
[0076]30 标记
[0077]31背面电极
[0078]32端面电极
[0079]33镀膜(铜膜)
[0080]34镀膜(镍膜)
[0081]35镀膜(锡膜)
[0082]41第一狭缝
[0083]42第二狭缝
[0084]43单片区域
[0085]51片状的含有光敏基团的材料
[0086]52 铜箔
[0087]53感光性薄膜
[0088]54防护膜
[0089]55片状的含有光敏基团的材料
【具体实施方式】
[0090]以下，根据附图具体说明本发明的实施方式。
[0091]首先，根据图1?图3说明本发明实施方式的片式熔断器21的结构。
[0092]另外，图3表示了除去图1所示的第一保护膜28、第二保护膜29、标记30、端面电极32以及端面电极32上的铜膜33、镍膜34和锡膜35的状态。此外，图3中将熔断器要素部(熔断体)24b和表面电极部24a (第二电极部24a-2)中的镍膜25和锡膜26的一部分断裂表示，图4的(d)中将铜箔52的一部分断裂表示，图5的(a)中将铜箔52和感光性薄膜53的一部分断裂表不。
[0093]如图1?图3所示，在作为氧化铝基板的绝缘基板22的表面22a上，由含有光敏基团的环氧系树脂形成蓄热层(粘接层)23，并在所述蓄热层23上形成铜的熔断器膜24。即，通过在绝缘基板22和熔断器膜24之间设置蓄热层23，使熔断器膜24不与绝缘基板22接触。因此，向片式熔断器21通电时由熔断器要素部24b产生的热量不会向绝缘基板22释放，而是蓄积于蓄热层23。
[0094]熔断器膜24包括:片式熔断器21的长度方向(图1?图3的左右方向:以下简称为片式熔断器长度方向)两侧的表面电极部24a ;以及上述表面电极部24a之间的熔断器要素部24b。熔断器要素部24b是相比于表面电极部24a宽度窄的部分，即在片式熔断器21的宽度方向上(图2、图3的上下方向:以下简称为片式熔断器宽度方向)的宽度窄的部分，并且是在过电流流过片式熔断器21时被自身产生的热量熔断的熔断部。另外，熔断器要素部24b在图示例子中是沿片式熔断器长度方向直线状延伸的形状，但是不限于此，可以设为与所需的熔断特性等对应的适当形状(例如锯齿状等)。
[0095]此外，熔断器要素部24b设有用于防止扩散的镀膜25、用于促进熔断的镀膜26。镀膜25为镍膜，通过电镀法形成在铜的熔断器膜24上。镀膜26为锡膜，通过电镀法形成在镍膜25上。
[0096]表面电极部24a包括片式熔断器长度方向外侧的第一电极部24a_l和片式熔断器长度方向内侧的第二电极部24a-2，且第二电极部24a-2的宽度(片式熔断器宽度方向的宽度)W2(图3)比第一电极部24a-l的宽度(片式熔断器宽度方向的宽度)Wl (图3)狭窄。另外，为了调整电阻值的偏差，电镀的镍膜25和锡膜26不仅设置于熔断器要素部24b，还设置于表面电极部24a的第二电极部24a-2。由于第二电极部24a_2的宽度W2比第一电极部24a-l的宽度Wl狭窄，所以可以调整电镀镍膜25和锡膜26后的膜厚的偏差和电阻值的偏差。
[0097]而且，在本实施方式的片式熔断器21上，由含有光敏基团的环氧系树脂形成堤部(堤堰)27。堤部27为矩形(即如图2和图3所示，俯视为矩形)，以包围熔断器要素部24b周围的方式形成在蓄热层23上和表面电极部24a上。
[0098]更具体而言，矩形的堤部27包括:片式熔断器长度方向两侧的部分27a ;以及片式熔断器宽度方向两侧的部分27b。
[0099]片式熔断器宽度方向两侧的部分27b在片式熔断器长度方向上直线状延伸，且形成在比表面电极部24a(第二电极部24a-2)中的片式熔断器宽度方向两侧的端部24a_3更靠片式熔断器宽度方向的外侧。因此，在片式熔断器宽度方向两侧的部分27b中，片式熔断器长度方向的中央部27b-l形成在蓄热层23上，片式熔断器长度方向两侧的端部27b-2也形成在蓄热层23上，片式熔断器宽度方向两侧的部分27b整体地与蓄热层23密合。
[0100]片式熔断器长度方向两侧的部分27a在片式熔断器宽度方向上直线状延伸，且片式熔断器宽度方向两端的内侧27a_l呈曲线，并形成在表面电极部24a上。此外，片式熔断器长度方向两侧的部分27a形成在比表面电极部24a (第二电极部24a_2)中的片式熔断器长度方向内侧的端部24a-4(即表面电极部24a与熔断器要素部24b的边界位置)更靠片式熔断器长度方向的外侧。另外，图示例子中，片式熔断器长度方向两侧的部分27a横跨表面电极部24的第一电极部24a-l上和第二电极部24a_2上形成。
[0101]在矩形的堤部27的内侧，由含有环氧基团的硅系树脂形成作为内层的黑色的第一保护膜28。即，第一保护膜28沿矩形的堤部27的内侧面27c (图1)形成。第一保护膜28形成在熔断器要素部24b(锡膜26)上，而且也形成在表面电极部24a(第二电极部24a_2)上和蓄热层23上，并覆盖熔断器要素部24b (锡膜26)整体、表面电极部24a (第二电极部24a-2)的一部分以及蓄热层23的一部分。由所述含有环氧基团的硅系树脂形成的第一保护膜28比由环氧系树脂形成的以往的保护膜更柔软而带有弹性。
[0102]在第一保护膜28上，由含有无机填料(例如含有硅粉和氧