同的是采用红光发光层和绿光发光层不再混合在一起，而是采用两层同样面积不同厚度红光发光层和绿光发光层，通过调节红光发光层和绿光发光层的厚度得到合适的红光和绿光的输出，再结合第二空穴注入层中不同厚度蓝光空穴注入层、绿光空穴注入层和红光空穴注入层的微腔调整，得到全彩的光输出。这里红光发光层的厚度和绿光发光层的厚度的比例为2:1，在优选的方式中，红光发光层的厚度为2.5-10nm，所述绿光发光层的厚度为5-10nm。
[0054]由于红光发光层和绿光发光层在两层同样面积不同厚度红光发光层和绿光发光层，可以采用一次掩模在主体材料中掺杂不同颜色的磷光材料形成，减少了掩模的使用。并且接下来将蓝光发光层6-1直接形成为覆盖绿光发光层6-2-1和红光发光层6-2-2，不需要使用高精度遮挡掩模形成单独的蓝光发光层，又减少一次使用高精度遮挡掩模。
[0055]该OLED结构还包括电子传输层7，设置于所述发光层上，和电子注入层8，设置于所述电子传输层7上，以及半透明阴极9，设置于所述电子注入层8上。这些都是OLED的常用结构，在此不再一一赘述。
[0056]接下来描述上述OLED结构的制造方法，首先提供一玻璃衬底I，接着在玻璃衬底I上形成反射阳极2，然后在反射阳极2上形成第一空穴层，这些都是本领域常用的技术，再次不再详述。
[0057]然后在第一空穴层3上形成蓝光空穴注入层4-1上，在蓝光空穴注入层4-1上形成绿光空穴注入层4-2和红光空穴注入层4-3，绿光空穴注入层4-2和红光空穴注入层4-3互相以间隔层(未图示)间隔开来。具体的做法可以是形成蓝光空穴注入层的厚度为蓝光空穴注入层4-1与绿光空穴注入层4-2与红光空穴注入层4-3的厚度，以上述蓝光空穴注入层4-1的厚度为750nm，绿光空穴注入层4-2的厚度为250nm，红光空穴注入层4-3的厚度为500nm为例，蓝光空穴注入层使用全开口的掩模板，覆盖整个蓝光，绿光及红光区域。绿光空穴注入层需使用高精度掩模板，将绿光空穴注入层形成于绿光区域中，设置于蓝光空穴注入层上。红光空穴注入层需使用高精度掩模板，将红光空穴注入层形成于红光区域，设置于蓝光空穴注入层上。这样得到为750nm厚的蓝光空穴注入层4-l，250nm绿光空穴注入层4-2和500nm厚的红光空穴注入层4_3。图3中为清楚起见示出红光空穴注入层4_3与蓝光空穴注入层4-1为分离的结构，实际上它们是一体形成，绿光空穴注入层4-2与蓝光空穴注入层4-1也是如此。
[0058]然后以间隔层将绿光空穴注入层4-2与红光空穴注入层4-3间隔开来，在蓝光空穴注入层4-1、绿光空穴注入层4-2和红光空穴注入层4-3上形成空穴传输层5，在空穴传输层5上形成覆盖整个空穴传输层5的红光发光层6-2-2和绿光发光层6-2-1,然后米用一道高精度遮挡掩模工艺得到图3所示的结构，接着在绿光发光层6-2-1和红光发光层6-2-2上形成蓝光发光层6-1。
[0059]在蓝光发光层6-1形成电子注入层7，在电子注入层7上形成电子传输层上8，以及在电子传输层8上形成半透明阴极9。这些都是OLED的常用工艺，在此不再一一赘述。
[0060]本实施例提出的OLED结构和制造方法，以两次高精度遮挡掩模工艺形成不同厚度的空穴注入层和一次高精度遮挡掩模工艺形成厚度不同的绿光发光层和红光发光层，在以不同厚度的空穴注入层和不同厚度的发光层微腔调整形成全彩发光的同时能够将传统的需要六道高精度遮挡掩模工艺减少至三道高精度遮挡掩模工艺，降低了成本，同时降低了混色发生的机率和减少了产品的不良率，得到高效果的全彩发光。
[0061]注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
【主权项】
1.一种全彩有机发光二极管结构，包括:玻璃衬底；反射阳极，设置于所述玻璃衬底上；微共振腔调整层，设置于所述反射阳极上；空穴传输层，设置于所述微共振腔调整层上；发光层，设置于所述空穴传输层上；所述发光层包括设置在所述空穴传输层上的红光和绿光混合发光层，以及设置在所述空穴传输层上的蓝光发光层，其特征在于: 所述蓝光发光层的一部分覆盖所述红光和绿光混合发光层。
2.如权利要求1所述的全彩有机发光二极管结构，其中，所述红光和绿光混合发光层为单层结构，包括同时蒸镀的绿光和红光发光材料。
3.如权利要求2所述的全彩有机发光二极管结构,其中，同时蒸镀的绿光和红光发光材料是在主体发光材料中掺杂1-12%的红光磷光材料和3-12%的绿光磷光材料。
4.如权利要求1所述的全彩有机发光二极管结构，其中，所述红光和绿光混合发光层为双层结构，包括蒸镀的红光发光材料层以及蒸镀在所述红光发光材料层之上的绿光发光材料层。
5.如权利要求4所述的全彩有机发光二极管结构，其中，所述红光发光材料层的厚度为所述绿光发光材料层厚度的两倍。
6.如权利要求5所述的全彩有机发光二极管结构，其中，所述红光发光材料层的厚度为2.5-10nm，所述绿光发光材料层的厚度为5_10nm。
7.如权利要求1-6中任一权利要求所述的全彩有机发光二极管结构,其中，所述微共振腔调整层包括第一空穴注入层与设置在所述第一空穴注入层上的第二空穴注入层，所述第二空穴注入层包括，蓝光空穴注入层，设置在所述第一空穴注入层上；红光空穴注入层和绿光空穴注入层，设置在所述蓝光空穴注入层上，并且彼此间隔一定距离，所述蓝光空穴注入层的厚度、红光空穴注入层的厚度和绿光空穴注入层的厚度之间满足一定比例。
8.如权利要求7所述的全彩有机发光二极管结构，其中，所述蓝光空穴注入层的厚度、红光空穴注入层的厚度和绿光空穴注入层的厚度的比例为3:2:1。
9.如权利要求8所述的全彩有机发光二极管结构，其中，所述蓝光空穴注入层的厚度为750nm，红光空穴注入层的厚度为500nm，所述绿光空穴注入层的厚度为250nm。
10.如权利要求1-6中任一权利要求所述的全彩有机发光二极管结构,还包括电子传输层，设置于所述发光层上；电子注入层，设置于所述电子传输层上；半透明阴极层，置于所述电子注入层上。
【专利摘要】本发明提出一种全彩有机发光二极管结构。该全彩有机发光二极管结构包括：玻璃衬底；反射阳极，设置于所述玻璃衬底上；微共振腔调整层，设置于所述反射阳极上；空穴传输层，设置于所述微共振腔调整层上；发光层，设置于所述空穴传输层上；所述发光层包括设置在所述空穴传输层上的红光和绿光混合发光层，以及设置在所述空穴传输层上的蓝光发光层，所述蓝光发光层的一部分覆盖所述红光和绿光混合发光层。本发明提出的全彩有机发光二极管结构，能够减少掩模的使用，降低成本，并且得到全彩效果好的发光。
【IPC分类】H01L51-52, H01L51-50
【公开号】CN104851980
【申请号】CN201410050510
【发明人】林信志
【申请人】上海和辉光电有限公司
【公开日】2015年8月19日
【申请日】2014年2月13日