一种化学槽的自动清洗装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明属于半导体制备技术领域，涉及一种化学槽的自动清洗装置。
【背景技术】
[0002]在随着集成电路特征尺寸进入到深亚微米阶段，集成电路硅片制造工艺中所要求的硅片表面的洁净度越来越苛刻，为了保证硅片材料表面的洁净度，集成电路的制造工艺中存在数百道清洗工序，清洗工序占了整个制造过程的20%。
[0003]传统对硅片表面清洗采用产出比较高的槽式清洗设备，简称化学槽，清洗设备的主要清洗步骤一般先进行化学液清洗浸泡，然后进行清水洗净工序。然而，硅片在化学液清洗浸泡后，化学槽内易残留部分已去除的颗粒杂质，如果化学槽不及时自身清洗，会对后续的硅片清洗工艺产生颗粒杂质交叉污染的缺陷，即化学槽中累积的颗粒杂质会污染后续化学槽内待清洗的硅片，因此，对化学槽自身的清洗工作显得尤为重要，现有技术中，通常采用定期化学液交换的方法去除化学槽中积累的颗粒杂质，然而，该清洗方式通常存在清洁不彻底，且不及时的缺陷。
[0004]因此，本领域技术人员亟需提供一种化学槽的自动清洗装置，及时并彻底的去除化学槽内累积的颗粒杂质。
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的技术问题是提供一种化学槽的自动清洗装置，及时并彻底的去除化学槽内累积的颗粒杂质。
[0006]为了解决上述技术问题，本发明提供了一种化学槽的自动清洗装置，包括化学槽，还包括:
[0007]清洗药液供给配管，设于所述化学槽的一端，用于向所述化学槽输送去除颗粒杂质的清洗药液，所述清洗药液供给配管上具有控制清洗药液输送的输送开关；
[0008]清洗药液排放配管，设于所述化学槽的另一端，用于排放所述化学槽内清洗后的清洗药液，所述清洗药液排放配管上具有控制清洗药液排放的排放开关；
[0009]药液控制单元，与所述输送开关以及排放开关连接，用于控制所述输送开关以及排放开关的启闭以及清洗药液的流量和清洗时间。
[0010]优选的，所述清洗药液为过氧化氢溶液。
[0011]优选的，所述化学槽内设有用于检测清洗药液液位的液位传感器，所述液位传感器与药液控制单元连接；当清洗药液液位达到预设阈值时，所述药液控制单元自动切断所述输送开关。
[0012]优选的，所述药液控制单元具有计时器，所述计时器用于对清洗药液的清洗时间进行计算。
[0013]优选的，所述药液控制单元具有存储单元，所述存储单元用于对所述化学槽的清洗频率以及清洗时间进行记录。
[0014]优选的，所述清洗药液供给配管的端部设有多个喷嘴，所述喷嘴均匀布置在所述化学槽的上方。
[0015]优选的，所述喷嘴可调节至预设角度。
[0016]优选的，所述化学槽上设有超声波振动器，所述超声波振动器使所述化学槽内的颗粒杂质脱离所述化学槽。
[0017]与现有的方案相比，本发明提供的化学槽的自动清洗装置，通过设置的清洗药液供给配管、清洗药液排放配管以及药液控制单元对化学槽内累积的颗粒杂质进行及时并彻底的清洗，避免了对后续化学槽内待清洗的硅片形成交叉污染，提高了硅片的洁净度。
【附图说明】
[0018]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本发明中化学槽的自动清洗装置的优选实施例的结构示意图。
[0020]图中附图标记为:
[0021]10、化学槽；20、清洗药液供给配管；21、输送开关；30、清洗药液排放配管；31、排放开关；40、药液控制单元。
【具体实施方式】
[0022]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的实施方式作进一步地详细描述。本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的【具体实施方式】加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
[0023]上述及其它技术特征和有益效果，将结合实施例及附图1对本发明的化学槽的自动清洗装置进行详细说明。
[0024]如图1所示，本发明提供了一种化学槽的自动清洗装置，包括化学槽10、清洗药液供给配管20、清洗药液排放配管30以及药液控制单元40 ;其中，化学槽10本身具有化学药液供给配管以及化学药液排放配管，化学药液供给配管用于输送清洗晶圆表面杂质的化学药液，化学药液排放配管用于排放清洗后的化学药液(图中未示出)。
[0025]具体的，本实施例中的清洗药液供给配管20设于化学槽10的一端，用于向化学槽10输送去除颗粒杂质的清洗药液，清洗药液供给配管20上具有控制清洗药液输送的输送开关21 ;清洗药液排放配管30设于化学槽10的另一端，用于排放化学槽内清洗后的清洗药液，清洗药液排放配管30上具有控制清洗药液排放的排放开关31 ;药液控制单元40与输送开关21以及排放开关31连接，用于控制输送开关21以及排放开关31的启闭以及清洗药液的流量和清洗时间。
[0026]本实施例中的清洗药液优选为过氧化氢溶液，即俗称的双氧水，具体浓度可根据实际需要而定。
[0027]同时，化学槽10内设有用于检测清洗药液液位的液位传感器，液位传感器与药液控制单元40连接；当清洗药液供给配管20输送的清洗药液液位达到预设阈值时，药液控制单元40切断所述输送开关。此外，药液控制单元40还具有计时器，计时器用于对清洗药液的清洗时间进行计算。当对化学槽进行预设时间的清洗后，药液控制单元40打开清洗药液排放配管的排放开关31，将清洗后的清洗药液排放出去。
[0028]优选方案中，药液控制单元40还可具有存储单元，存储单元用于对化学槽的清洗频率以及清洗时间进行记录，以便于工作人员查阅清洗记录。
[0029]本实施例中的清洗药液供给配管20的端部设有多个喷嘴，所述喷嘴均匀布置在化学槽10的上方。为了有针对性的对化学槽进行清洗，喷嘴可调节至预设角度。
[0030]为了进一步提高化学槽的清洗效率，化学槽10上可设有超声波振动器，所述超声波振动器使化学槽内的颗粒杂质脱离所述化学槽。
[0031]综上所述，本发明提供的化学槽的自动清洗装置，通过设置的清洗药液供给配管20、清洗药液排放配管30以及药液控制单元40对化学槽内累积的颗粒杂质进行及时并彻底的清洗，避免了对后续化学槽内待清洗的硅片形成交叉污染，提高了硅片的洁净度。
[0032]上述说明示出并描述了本发明的若干优选实施例，但如前所述，应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。
【主权项】
1.一种化学槽的自动清洗装置，包括化学槽，其特征在于，还包括: 清洗药液供给配管，设于所述化学槽的一端，用于向所述化学槽输送去除颗粒杂质的清洗药液，所述清洗药液供给配管上具有控制清洗药液输送的输送开关； 清洗药液排放配管，设于所述化学槽的另一端，用于排放所述化学槽内清洗后的清洗药液，所述清洗药液排放配管上具有控制清洗药液排放的排放开关； 药液控制单元，与所述输送开关以及排放开关连接，用于控制所述输送开关以及排放开关的启闭以及清洗药液的流量和清洗时间。2.根据权利要求1所述的化学槽的自动清洗装置，其特征在于，所述清洗药液为过氧化氢溶液。3.根据权利要求1所述的化学槽的自动清洗装置，其特征在于，所述化学槽内设有用于检测清洗药液液位的液位传感器，所述液位传感器与药液控制单元连接；当清洗药液液位达到预设阈值时，所述药液控制单元自动切断所述输送开关。4.根据权利要求1所述的化学槽的自动清洗装置，其特征在于，所述药液控制单元具有计时器，所述计时器用于对清洗药液的清洗时间进行计算。5.根据权利要求1所述的化学槽的自动清洗装置，其特征在于，所述药液控制单元具有存储单元，所述存储单元用于对所述化学槽的清洗频率以及清洗时间进行记录。6.根据权利要求1所述的化学槽的自动清洗装置，其特征在于，所述清洗药液供给配管的端部设有多个喷嘴，所述喷嘴均匀布置在所述化学槽的上方。7.根据权利要求6所述的化学槽的自动清洗装置，其特征在于，所述喷嘴可调节至预设角度。8.根据权利要求1所述的化学槽的自动清洗装置，其特征在于，所述化学槽上设有超声波振动器，所述超声波振动器使所述化学槽内的颗粒杂质脱离所述化学槽。
【专利摘要】本发明公开了一种化学槽的自动清洗装置，包括清洗药液供给配管、清洗药液排放配管以及药液控制单元；清洗药液供给配管用于向化学槽输送去除颗粒杂质的清洗药液，清洗药液供给配管上具有控制清洗药液输送的输送开关；清洗药液排放配管用于排放化学槽内清洗后的清洗药液，清洗药液排放配管上具有控制清洗药液排放的排放开关；药液控制单元用于控制输送开关以及排放开关的启闭以及清洗药液的流量和清洗时间。本发明通过设置的清洗药液供给配管、清洗药液排放配管以及药液控制单元对化学槽内累积的颗粒杂质进行及时并彻底的清洗，避免了对后续化学槽内待清洗的硅片形成交叉污染，提高了硅片的洁净度。
【IPC分类】H01L21/02
【公开号】CN104916528
【申请号】CN201510397251
【发明人】吴军, 李阳柏, 张传民
【申请人】上海华力微电子有限公司
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2015年7月8日