晶片处理装置以及晶片的处理方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及清洗晶片的正面的晶片处理装置以及晶片的处理方法。
【背景技术】
[0002]在切削装置中，在切削了保持于框架上的晶片之后，对贴附了该晶片的带照射紫外线而使其粘性降低，从而易于进行切削后的芯片的拾取，以提高作业性。还提出了如下的切削装置:为了提升生产性，将紫外线照射部组入到切削装置中并设置紫外线照射区域，使用切削晶片期间内的待机时间，能够对切削已结束的晶片进行紫外线照射(例如，参照专利文献I)。
[0003]专利文献I日本特开平07-45556号公报
[0004]然而，专利文献I所述的切削装置需要设置空间以能够组入紫外线照射部，存在晶片口径越大则装置面积就越增大的问题。
【发明内容】
[0005]本发明就是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够在不增大装置面积的情况下，能够高效地照射紫外线的晶片处理装置以及晶片的处理方法。
[0006]为了解决上述课题，达成目的，本发明的晶片处理装置具有:保持台，其保持晶片的背面侧，且能够进行旋转；以及清洗干燥单元，其对保持于该保持台上的晶片的正面进行清洗并干燥，其特征在于，该保持台具有:保持部件，其由使紫外线透过的材质形成，且具有保持面，在该保持面形成有吸附保持晶片的背面的吸附部，保持整个背面；以及紫外线照射部，其配设于该保持部件的保持面的相反侧。
[0007]此外，本发明的晶片的处理方法，使用上述晶片处理装置进行晶片的处理，其特征在于，包括:吸附保持步骤，将在背面侧上贴附有紫外线硬化型的保护带的晶片的背面侧吸附保持于该保持台的保持面上；清洗干燥步骤，在实施了该吸附保持步骤后，使该保持台进行旋转并通过该清洗干燥单元对晶片的正面进行清洗干燥；以及紫外线照射步骤，在实施了该清洗干燥步骤后，通过该紫外线照射部对晶片的整个背面照射紫外线。
[0008]本发明由能够使紫外线透过的材质形成晶片处理装置的保持台的保持部件，并且在保持部件的下方具有紫外线照射部，因此不会由于紫外线照射部而增大装置面积，从而实现节省空间。此外，在保持部件的下方具有紫外线照射部，因此能够在晶片的清洗干燥后立即照射紫外线。因此，能够在不增大装置面积的情况下高效地照射紫外线。
【附图说明】
[0009]图1是具有作为实施方式的晶片处理装置的清洗装置的切削装置的结构例的立体图。
[0010]图2是通过剖面表示作为实施方式的晶片处理装置的清洗装置的局部的立体图。
[0011]图3是表示使用作为实施方式的晶片处理装置的清洗装置的晶片处理方法的清洗干燥步骤的剖面图。
[0012]图4是表示使用作为实施方式的晶片处理装置的清洗装置的晶片处理方法的紫外线照射步骤的剖面图。
[0013]图5是通过剖面表示作为实施方式的变形例的晶片处理装置的清洗装置的局部的立体图。
[0014]图6是表示使用作为实施方式的变形例的晶片处理装置的清洗装置的晶片处理方法的紫外线照射步骤的剖面图。
[0015]标号说明
[0016]1:清洗装置(晶片处理装置);20:保持台；21:保持部件；21a:保持面；23:紫外线照射部；24:吸附孔(吸附部)；24-1:吸附槽(吸附部)；30:清洗干燥单元；T:保护带；U:紫外线；W:晶片；WS:正面；WR:背面。
【具体实施方式】
[0017]下面参照附图详细说明用于实施本发明的方式(实施方式)。本发明并不限于在以下的实施方式中所述的内容。此外，以下所述的结构要素包括本领域普通技术人员容易想到的要素和实际相同的要素。进而，还可以适当组合以下所述的结构。此外，可以在不脱离本发明主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。
[0018]〔实施方式〕
[0019]根据【附图说明】本发明实施方式的晶片处理装置以及晶片的处理方法。图1是具有作为实施方式的晶片处理装置的清洗装置的切削装置的结构例的立体图。图2是通过剖面表示作为实施方式的晶片处理装置的清洗装置的局部的立体图。图3是表示使用作为实施方式的晶片处理装置的清洗装置的晶片处理方法的清洗干燥步骤的剖面图。图4是表示使用作为实施方式的晶片处理装置的清洗装置的晶片处理方法的紫外线照射步骤的剖面图。
[0020]作为实施方式的晶片处理装置的清洗装置I设置于加工装置，该加工装置实施对晶片W进行切削、磨削、研磨等各种加工，该清洗装置I用于清洗晶片W的正面WS。另外，在图1所示的例子中，清洗装置I设置于作为加工装置的对晶片W实施切削加工的切削装置100 上。
[0021]另外，在本实施方式中，由清洗装置I清洗了正面WS的晶片W是以硅、蓝宝石、镓等作为母材的圆板状的半导体晶片或光器件晶片，在被实施了切削、磨削、研磨等各种加工后通过清洗装置I进行清洗。晶片W例如在正面WS上由多条分割预定线划分出的各区域上形成有器件，并且沿着分割预定线被切削，从而被分割为每个器件。如图1所示，晶片W贴附于安装在环状框架F上的保护带T上，借助于保护带T安装到环状框架F上。保护带T由使紫外线U(图4所示)透过的材质构成，且由通过被照射紫外线U而粘结层的粘性降低的材质构成。即，保护带T是紫外线硬化型的保护带。
[0022]如图1所示，设置了清洗装置I的切削装置100具有:保持晶片W的卡盘台110 ;具有切削刀片121的切削单元120，该切削刀片121用于切削保持于卡盘台110上的晶片W ;使卡盘台110在X轴方向上移动的X轴移动单元(未图示)；使切削单元120在Y轴方向上移动的Y轴移动单元(未图示)；使切削单元120在Z轴方向上移动的Z轴移动单元(未图示)；以及使卡盘台110绕平行于Z轴的轴心进行旋转的旋转驱动源(未图示)等。切削装置100通过X轴移动单元、Y轴移动单元、Z轴移动单元和旋转驱动源，使卡盘台110和切削单元120在X轴方向、Y轴方向、Z轴方向上以及绕Z轴相对移动，对晶片W实施切削加工并分割为器件。
[0023]此外，切削装置100具有:收容多个切削前后的晶片W的盒升降装置130 ;使晶片W出入于盒升降装置130的搬入搬出单元140 ;以及向搬入搬出单元140、卡盘台110和清洗装置I搬运晶片W的搬运单元160。
[0024]切削装置100通过搬入搬出单元140从盒升降装置130内取出切削加工前的晶片W，并通过搬运单元160将所取出的晶片W搬运至卡盘台110。然后，切削装置100将晶片W保持于卡盘台110上，通过X轴移动单元、Y轴移动单元、Z轴移动单元和旋转驱动源，使卡盘台110和切削单元120在X轴方向、Y轴方向、Z轴方向上以及绕Z轴相对移动，对晶片W实施切削加工并分割为器件。切削装置100通过搬运单元160将切削加工后的晶片W从卡盘台110搬运至清洗装置1，而后通过清洗装置I对其进行清洗。然后，切削装置100通过搬运单元160将切削加工后的晶片W搬运至搬入搬出单元140，通过搬入搬出单元140将其收容于盒升降装置130内。
[0025]清洗装置I是旋转晶片W并喷射清洗水R (图3所示)，从而清洗晶片W的正面WS的所谓旋转清洗装置。此外，在本发明中，清洗装置I可以不设置于切削装置100等的加工装置上而是单独构成的。
[0026]如图1和图2所示，清洗装置I具有清洗腔10、保持晶片W的保持台20、以及清洗干燥单元30。清洗腔10在与外部隔离的状态下进行晶片W的清洗。清洗腔10在本实施方式中，呈上方开口的圆筒状的形状，且在内部配设有保持台20和清洗干燥单元30等。晶片W被搬运单元160通过上方的开口而出入于清洗腔10。此外，清洗腔10在清洗晶片W时，上方的开口被未图示的盖等封闭。
[0027]清洗干燥单元30用于对保持于保持台20上的晶片W的正面WS进行清洗并干燥。如图2所示，清洗干燥单元30具有清洗水喷嘴31、以及喷射用于干燥清洗后的晶片W的高压空气的空气喷嘴32。
[0028]清洗水喷嘴31用于向保持于保持台20上的晶片W的正面WS喷射清洗水R。清洗水喷嘴31由具有导电性的金属构成，在清洗晶片W时，前端的喷射口 31a朝保持台20上的晶片W垂直地喷射清洗水R。清洗水喷嘴31在清洗晶片W时，以使得前端的喷射口 31a通过保持台20的旋转中心的方式，通过未图示的电动机而摆动。此外，清洗水喷嘴31在使晶片W出入于清洗腔10内时，通过未图示的电动机而从保持于保持台20上的晶片W的上方退避。
[0029]空气喷嘴32用于对清洗后的晶片W喷射被加压后的空气和氮等气体，并对清洗后的晶片W进行干燥。空气喷嘴32在干燥晶片W时，前端的喷射口 32a朝保持台20上的晶片W喷射高压空气。此外，在实施方式中，空气喷嘴32安装于清洗水喷嘴31上，在对晶片W进行干燥时，以使得前端的喷射口 32a通过保持台20的旋转中心的方式，通过未图示的电动机与清洗水喷嘴31 —体地摆动。另外，清洗水喷嘴31与空气喷嘴32平行地进行配置，空气喷嘴32被形成为比清洗水喷嘴31长。