集成电路封装的制作方法
【技术领域】
[0001]本公开实施例主要涉及集成电路(IC)领域，更具体而言，涉及降低IC封装制造成本并且增加封装连接的可靠性和一致性。
【背景技术】
[0002]一系列复杂的操作可被用于生产集成电路(IC)封装。这些操作的其中一项是将保护层应用于晶片上，以及作为后端制程(BEOL)工艺的一部分，在硅代工厂(foundry)中在保护层上形成开口。这可涉及利用抗蚀剂材料作为掩模以形成开口，然后，在形成开口后，将抗蚀剂材料去除，而这会是一个昂贵的过程。此外，由于钝化层是在代工厂被开口的，被开口暴露在外的金属接触或焊盘需要用不容易被氧化的材料制成。另外，由于钝化层中的开口可在布置介电层之前形成，在介电层中形成的过孔将不与钝化层中的开口完全对齐。
[0003]本文给出的背景描述是为了大致展示本公开的语境。除非本文另有说明，在本节中描述的材料对于本申请中的权利要求而言并不是现有技术，且并不由于包含于本节中而被承认为是现有技术。
【附图说明】
[0004]通过以下结合附图的详细说明将很容易理解实施例。为了方便描述，相同的参考数字表示相同的结构元素。以示例的方式，而不是以受限于附图的图形的方式示出实施例。除非明确说明，否则这些附图并非按比例绘制。另外，这些附图的一些部分可能被刻意美化以使图中所包含的特征引人注意。
[0005]图1示意性地示出了根据本公开的一些实施例的一种示例集成电路(IC)组件的侧面剖视图。
[0006]图2是根据本公开的一些实施例的集成电路封装制造过程的示意性的流程图。
[0007]图3是根据本公开的一些实施例的选定操作的示意性剖视图，其解说图2中描述的集成电路封装制造过程中的诸阶段。
[0008]图4是根据本公开的实施例的利用集成电路封装的装配过程的示意性的流程图。
[0009]图5示意性地示出了根据本公开的一些实施例的包括集成电路封装的计算设备。
【具体实施方式】
[0010]本公开的实施例描述了一种用于更低成本、更可靠的集成电路封装组件的技术和配置。在以下的描述中，示意性实现方式中的各个方面采用本领域技术人员通常使用的术语进行描述，以向其他领域技术人员传达其工作的实质。然而，对于本领域的技术人员而言，本公开的实施例显然可以只用所述的某些方面进行实施。出于解释的目的，为了提供示意性实现方式的透彻理解，给出了具体的数字、材料和配置。然而，对于本领域的技术人员而言，本公开中的实施例显然无需具体细节亦可实施。在其他示例中，为了不模糊示意性实现方式，众所周知的特征被忽略或简化。
[0011]在以下的详细说明中，对于附图的引用构成详细说明的一部分，其中相同的数字始终表示相同的部分，且其中是以本公开的主题可被实施的示例实施例的方式示出。需要了解的是，在不背离本公开的范围的情况下，可运用其他实施例，且可做出结构性或逻辑性的改变。因此，以下详细说明不应被认为具有限制意义，并且实施例的范围由所附的权利要求及其等效项所界定。
[0012]对于本公开的目的，短语“A和/或B”是指(A)、⑶、或(A和B)。对于本公开的目的，短语“A，B，和 / 或 C，，是指(A)、(B)、(C)、(A 和 B)、(A 和 C)、(B 和 C)、或(A，B 和 C)。
[0013]描述可采用基于透视法的描述，如顶/底，内/外，上/下，等等。这些描述仅仅用来方便讨论，并不旨在将本文描述的实施例的应用限制在任何特定的方向。
[0014]描述可采用短语“在一实施例中，”或“在实施例中，”，其可分别涉及相同或不同的实施例中的一个或多个。此外，关于本公开中的实施例所采用的术语“包括(comprising) ”、“包含(including)，，,具有(having)”等都是同义词。
[0015]术语“与……耦接(coupled with)，”连同其衍生项可被用于本文。“耦接(coupled)”可有以下的一个或多个含义。“耦接(coupled) ”可表示两个或多个元素有直接的物理或电气接触。然而，“耦接(coupled)”也可表示两个或多个元素间接地彼此接触，但仍然彼此协作或相互作用，且还可表示一个或多个其他元素被耦接在或连接在被称为彼此耦接的元素之间。术语“直接耦接(directly coupled) ”可表示两个或多个元素直接接触。
[0016]在各种实施例中，短语“形成，沉积，或以其他方式置于第二特征之上的第一特征，”可表示第一特征形成，沉积，或置于第二特征之上，且第一特征的至少一部分可与第二特征的至少一部分直接接触(例如，直接的物理和/或电气接触)或间接接触(例如，有一个或多个在第一特征和第二特征之间的其他特征)。
[0017]如本文中所使用，术语“模块(module) ”可指以下项，可是以下项的部分，或可包括以下项:专用集成电路(ASIC)、电子电路、片上系统(SoC)、执行一个或多个软件或固件程序的处理器(共享的，专用的，或群组的)和/或存储器(共享的，专用的，或群组的)、组合逻辑电路、和/或其他提供所述功能的适合元件。
[0018]图1示意性地示出根据本公开的实施例的包括与电路板104电气和物理地耦接的IC封装102的一种示例集成电路(IC)组件的侧面剖视图。在实施例中，IC封装102可以是或包括可至少部分封装在封装材料中的一个或多个管芯。
[0019]在实施例中，IC封装102可以是扇入(fan-1n)晶片级封装或扇出(fan-out)晶片级封装。在实施例中，IC封装102是扇出晶片级封装，一个或多个管芯可被封装于模塑料中，该模塑料形成围绕该一个或多个管芯周围的扇出区域。这样的扇出晶片级封装可通过将一个或多个管芯的表面耦接到载体来生产。模塑料可被置于一个或多个管芯的外露面上，这些面不与载体耦接。模塑料可被固化以硬化(harden)模塑料。在模塑料固化后，载体可从所述一个或多个管芯以及由硬化后的模塑料形成扇出表面脱离。硬化后的模塑料的扇出表面可邻近于曾与载体耦接的一个或多个管芯的表面，并在该表面的周围形成边界。
[0020]在其他实施例中，IC封装102可以是嵌入式管芯封装。在这样的实施例中，一个或多个管芯可被封装于在一个或多个管芯周围形成扇出区域的层压层中。这样的嵌入式管芯封装可通过将一个或多个管芯的表面耦接到载体来生产。层压层可被置于一个或多个管芯的外露面上，这些面不与载体耦接。层压层然后可被按压及固化以硬化层压层。在固化后，层压层可嵌入管芯且可邻近于曾与载体耦接的一个或多个管芯表面，并在该表面的周围形成边界。
[0021]在一些实施例中，IC封装102可具有再布线层(RDL)，例如在插图110中的RDL120。再布线层120可被配置成将一个或多个金属焊盘112与一个或多个互连结构(如焊球106)进行电气耦接。所述的互连结构可被配置成将IC封装102与封装基板或电路板(如电路板104)进行电气及物理耦接。IC封装102可根据各种适合的配置，包括倒装配置，被连接至电路板104。虽然在此被描述为焊球106，但是替代或除了可将IC封装102与电路板104电气耦接的焊球106，互连结构可包括焊柱或其他合适的结构。IC封装102可代表由半导体材料制成的分立的芯片或管芯，且在一些实施例中，其可以是以下项，包括以下项，或是以下项的部分:处理器，存储器，或ASIC。
[0022]根据不同的实施例，IC封装102的部分在插图110中更详细地被示出。插图110是IC组件100的部分的放大图，该部分由IC组件100上画的椭圆形所标识出。如在插图110中可见的，在一些实施例中，IC封装102可包括介电层116，钝化层114，和阻焊层118。钝化层114可以是，例如，一层氮化硅(SiN)或氧化硅(S1)。IC封装102还可包括具有RDL 120置于其上