4 μπι以下，更优选为0.1 μπι以上2 μπι以下。第2金属间化合物层21b的厚度优选为
0.1 μπι以上4 μπι以下，更优选为0.1 μπι以上2 μπι以下。通过使第I金属间化合物层21a、第2金属间化合物层21b的各自厚度在上述范围内，能够提高各自的密合性。进而，能够确保直至第I金属间化合物层21a、第2金属间化合物层21b各自发生破裂的厚度的裕度，能够提高在将复合导体I置于加热环境时的耐久性。
[0063]在本实施方式中，复合导体I设置成含有Mo或V的中间层12介在芯材10与被覆层11之间，具有在芯材10与中间层12之间形成的第I金属间化合物层21a和在中间层12与被覆层11之间形成的第2金属间化合物层21b。因此，在本实施方式的复合导体I中，与上述第I实施方式的情况同样地，也能够抑制因加热导致的金属间化合物层21a、21b的破裂，而且，能抑制与之相伴的被覆层11从芯材10的剥离。而且，根据本实施方式，由更难以扩散的Mo或V构成中间层12，因此与第I实施方式相比，能够进一步抑制因加热导致的金属间化合物层21a、21b的厚度增加。
[0064]本实施方式的复合导体I例如可以如下制造。
[0065]I)母线形成工序
[0066]在母线形成工序中，首先，将作为中间层12的含有Mo的Mo箔与作为被覆层11的含有Cu的Cu箔贴合以形成层叠箔。将该层叠箔以Mo箔位于内侧、Cu箔位于外侧的方式进行配置，被覆在作为芯材10的Ti芯材的外周，对该接缝进行焊接，从而形成母材。其中，母材的外径为4.6mm，Ti芯材的外径为4.0mm,Mo箔的厚度为0.1mm, Cu箔的厚度为0.2mm。
[0067]2)拔丝工序
[0068]接着，将母材插入到拔丝模具中进行拔丝。通过多个拔丝模具使外径4.6mm的母材细径化，形成外径0.525mm的拔丝材料。这时，拔丝材料的芯材10的外径为0.375mm，中间层12的厚度为0.025mm，被覆层11的厚度为0.05mm，被覆层11的截面积相对于拔丝材料的截面积的比率为21%。就拔丝材料而言，在拔丝工序中，在芯材10与中间层12之间会形成第I金属间化合物层21a，在中间层12与被覆层11之间会形成第2金属间化合物层21b。
[0069]3)退火工序
[0070]接着，对通过拔丝工序形成的拔丝材料进行退火(加热)，得到本实施方式的复合导体I。在退火工序中，虽然有在芯材10与中间层12之间、以及在中间层12与被覆层11之间促进金属扩散的风险，但由于由不易因热而扩散的金属分别构成芯材10、中间层12和被覆层11，因而能够抑制因加热导致的第I金属间化合物层21a和第2金属间化合物层21b的厚度增加。由此，能够抑制在制造复合导体I时的金属间化合物层的破裂，而且能够抑制与之相伴的被覆层11的剥离。在退火工序中，以第I金属间化合物层21a的厚度例如为0.1 μπι以上4 μπι以下、第2金属间化合物层21b的厚度例如为0.1 μπι以上4 μπι以下的方式进行加热为宜。
[0071 ] 需说明的是，在本实施方式的母材形成工序中，对于在Cu箔上贴合Mo箔形成层叠箔的情形进行了说明，但也可以通过例如溅射法在Cu箔上形成Mo箔来形成层叠箔。此外，也可以与上述第I实施方式同样地，准备含有Ti或Ti合金的Ti芯材、作为中间层12的能够插入Ti芯材那样的含有Mo的圆筒状的Mo管、作为被覆层11的能够插入Mo管那样的含有Cu的圆筒状的Cu管，在Cu管内插入Mo管，在Mo管内插入Ti芯材，形成母材。
[0072]需说明的是，上述第I和第2实施方式中，对复合导体I的截面为圆形的情形进行了说明，但本发明不限于此，例如，如图3所示，可以使截面为四方形。此外，例如截面也可以是如有轨电车用接触网(卜口 y線)般的异型状。
[0073]3.本发明的优选实施方式
[0074]以下对于本发明的优选实施方式进行说明。
[0075](I)根据本发明的一个实施方式，提供一种复合导体，其具有:
[0076]含有钛或钛合金的芯材；
[0077]设置成被覆所述芯材的外周且含有铜的被覆层；和
[0078]金属间化合物层，设置在所述芯材与所述被覆层之间，通过使构成所述芯材的钛或钛合金与构成所述被覆层的铜扩散而形成。
[0079](2)如上述(I)所述的复合导体，优选所述金属间化合物层的厚度为0.1 μπι以上5.0 μm以下。
[0080](3)如上述(I)或(2)所述的复合导体，优选所述被覆层的截面积相对于复合导体整体的截面积为2%以上50%以下。
[0081](4)根据本发明的其他实施方式，提供一种复合导体，其具有:
[0082]含有钛或钛合金的芯材；
[0083]设置成被覆所述芯材的外周且含有铜的被覆层；
[0084]设置成介在所述芯材与所述被覆层之间且含有钼或钒的中间层；
[0085]第I金属间化合物层，设置在所述芯材与所述中间层之间，通过使构成所述芯材的钛或钛合金与构成所述中间层的钼或钒扩散而形成；和
[0086]第2金属间化合物层，设置在所述中间层与所述被覆层之间，通过使构成所述中间层的钼或钒与构成所述被覆层的铜扩散而形成。
[0087](5)如上述⑷所述的复合导体，优选所述中间层的厚度为0.2 μπι以上Imm以下。
[0088](6)如上述(4)或(5)所述的复合导体，优选所述第I金属间化合物层的厚度为
0.1 μπι以上10 μ m以下，所述第2金属间化合物层的厚度为0.1 μπι以上4 μπι以下。
[0089](7)如上述(4)?(6)所述的复合导体，优选所述含有铜的被覆层的截面积相对于复合导体整体的截面积为2%以上50%以下。
【主权项】
1.一种复合导体，其特征在于，具有: 含有钛或钛合金的芯材； 设置成被覆所述芯材的外周且含有铜的被覆层；和 金属间化合物层，设置在所述芯材与所述被覆层之间，通过使构成所述芯材的钛或钛合金与构成所述被覆层的铜扩散而形成。2.如权利要求1所述的复合导体，其特征在于，所述金属间化合物层的厚度为0.1 μπι以上5.0 μm以下。3.如权利要求1或2所述的复合导体，其特征在于，所述被覆层的截面积相对于复合导体整体的截面积为2 %以上50 %以下。4.一种复合导体，其特征在于，具有: 含有钛或钛合金的芯材； 设置成被覆所述芯材的外周且含有铜的被覆层； 设置成介在所述芯材与所述被覆层之间且含有钼或钒的中间层； 第I金属间化合物层，设置在所述芯材与所述中间层之间，通过使构成所述芯材的钛或钛合金与构成所述中间层的钼或钒扩散而形成；和 第2金属间化合物层，设置在所述中间层与所述被覆层之间，通过使构成所述中间层的钼或钒与构成所述被覆层的铜扩散而形成。5.如权利要求4所述的复合导体，其特征在于，所述中间层的厚度为0.2 μπι以上1_以下。6.如权利要求4或5所述的复合导体，其特征在于，所述第I金属间化合物层的厚度为0.1 μπι以上10 μ m以下，所述第2金属间化合物层的厚度为0.1 μπι以上4 μπι以下。7.如权利要求4?6任一项所述的复合导体，其特征在于，所述含有铜的被覆层的截面积相对于复合导体整体的截面积为2%以上50%以下。
【专利摘要】本发明提供一种复合导体，其难以断线且芯材与被覆层难以剥离。该复合导体具有：含有钛或钛合金的芯材；设置成被覆芯材的外周且含有铜的被覆层；和金属间化合物层，设置在所述芯材与所述被覆层之间，通过使构成所述芯材的钛或钛合金与构成所述被覆层的铜扩散而形成。
【IPC分类】H01B5/00, H01B1/02
【公开号】CN104934107
【申请号】CN201510090520
【发明人】佐川英之, 藤户启辅
【申请人】日立金属株式会社
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2015年2月28日
【公告号】US20150262725