发光元件、发光装置、显示装置和电子设备的制造方法

文档序号:9262443阅读:197来源:国知局
发光元件、发光装置、显示装置和电子设备的制造方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及发光元件、发光装置、显示装置和电子设备。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光元件(所谓的有机EL元件)是具有在阳极与阴极之间插入至少1层 发光性有机层的结构的发光元件。在这样的发光元件中,通过在阴极与阳极之间施加电场, 从而对于发光层,从阴极侧注入电子,并且从阳极侧注入空穴,在发光层中电子与空穴再结 合,即载流子再结合,由此生成激子,该激子返回到基态时,其能量部分以光的形式释放。
[0003] 这样发出光的发光层通常含有发光材料(发光掺杂剂)和主体材料而形成。
[0004] 在此,主体材料在发光层中的构成成分中一般以最高的比率含有,具有支撑发光 层的膜的作用,并且具有如下作用:如果在电极间施加电压,则在主体材料的分子内发生载 流子的再结合,使由此产生的激发能向发光材料转移,使上述发光材料发光。与此相对,发 光材料是具有荧光或者磷光的化合物,起到受来自主体材料的激发能激发而实质上发光的 作用。
[0005] 在这样的构成的有机EL元件中,由发光层中使用的主体材料所具备的载流子输 送性决定载流子的再结合位置。另外,使用荧光材料作为发光材料时,含有常用作该主体材 料的蒽、并四苯这样的并苯系化合物等而作为主体材料使用的大多化合物对空穴和电子的 载流子输送性偏差大。因此,载流子的再结合位置集中在发光层的界面附近。其结果,仅界 面附近的发光材料,即发光层中的部分发光材料有助于发光。因此,对于位于界面附近的发 光材料而言,存在促进局部劣化,加快发光层的亮度劣化这样的问题。
[0006] 对此,近年来,报告了使发光层含有用于控制载流子输送性的辅助掺杂材料作为 发光材料和主体材料以外的构成材料,由此,控制发光层的载流子输送性,以实现有机EL 元件的高效率化、长寿命化(例如,参照专利文献1)。
[0007] 然而,在该专利文献1中,通过控制主体材料与辅助掺杂材料的HOMO、LUMO的关系 而使有机EL元件的特性提高,但仅这样控制HOMO、LUMO的关系时,无法充分控制空穴和电 子的载流子输送性,不能说能够将载流子的发光层中的再结合位置设定在良好的位置。
[0008] 专利文献1 :日本特开2005-108727号公报

【发明内容】

[0009] 本发明的目的在于提供具有长时间持续优异的发光特性和上述发光特性的寿命 特性的发光元件、具备该发光元件的可靠性优异的发光装置、显示装置和电子设备。
[0010] 这样的目的通过下述的本发明来实现。
[0011] 本发明的发光元件的特征在于,具有:
[0012] 阴极,
[0013] 阳极,和
[0014] 发光部,设置在上述阴极与上述阳极之间,通过施加驱动电压而发光,
[0015] 上述发光部具备从上述阳极侧向上述阴极侧层叠的、发出第1光的第1发光层、发 出与上述第1光颜色不同的第2光的第2发光层和发出与上述第2光颜色相同的第3光的 第3发光层,
[0016] 上述第1、第2和第3发光层分别含有发光材料、保持上述发光材料的主体材料、以 及辅助掺杂材料而构成,
[0017] 上述主体材料和上述辅助掺杂材料中的一方是电子输送性高的材料,另一方是空 穴输送性高的材料,
[0018] 将上述第1、第2和第3发光层所含的上述辅助掺杂材料的含量分别设为 CAssist (EML1)、CAssist (EML2)和CAssist (EML3)时,满足下述关系式(A)。
[0019]CAssist(EMLl)彡CAssist(EML2) >CAssist(EML3)彡 0 …(A)
[0020] 由此,能够得到具有优异的发光特性及长时间持续该发光特性的寿命特性的发光 元件。
[0021] 本发明的发光元件中,优选上述主体材料是电子输送性高的材料,上述辅助掺杂 材料是空穴输送性高的材料。
[0022] 本发明的发光元件中,将上述第1、第2和第3发光层中的空穴的迀移率设为yh、 电子的迀移率设为ye时,在上述第1发光层和上述第2发光层中,优选满足下述关系式 ⑴。
[0023] 0? 01 彡ye/yh彡 100 ... (1)
[0024] 由此,在第1发光层和第2发光层中,能够使空穴和电子更平衡良好地流动。因此, 能够使载流子再结合的位置(再结合位点)充分远离第1发光层的阳极侧的界面附近,并 且能够使该再结合位点在第1和第2发光层的整个范围内更可靠地分散。
[0025] 本发明的发光元件中,在上述第3发光层中,优选满足下述关系式(2)。
[0026] ye/yh彡 100 …(2)
[0027] 由此,在第3发光层中,能够更可靠地抑制或防止通过了第1和第2发光层的空穴 通过第3发光层内而到达第3发光层的阴极侧。
[0028] 本发明的发光元件中,将上述第2和第3发光层的膜厚分别设为T(EML2)和 T(EML3)时,优选满足下述关系式(B)。
[0029]T(EML2)彡T(EML3) ... (B)
[0030] 由此,能够使第3发光层更可靠地发挥作为抑制或防止空穴通过该第3发光层的 阴极侧的阻挡层的功能。
[0031] 本发明的发光元件中,优选上述主体材料是并苯系化合物。
[0032] 并苯系化合物由于是电子输送性高的主体材料,所以适合作为需要将电子顺利地 供给到阳极侧的发光层的主体材料使用。
[0033] 本发明的发光元件中,优选上述辅助掺杂材料是胺系化合物。
[0034] 由此,能够容易地设定成满足上述关系式(A)。
[0035] 本发明的发光元件中,优选胺系化合物是由下述式(4)表示的化合物。
[0036] CN104979480A 说明书 3/25 页
[0037] 由此,能够更容易地设定成满足上述关系式(A)。
[0038] 优选本发明的发光元件是发出白色光作为发光色的发光元件。
[0039] 本发明的发光元件适合用作发出白色光作为发光色的发光元件。
[0040] 本发明的发光装置的特征在于,具备本发明的发光元件。
[0041] 由此,能够提供在较低电压下可驱动的发光装置。
[0042] 本发明的显示装置的特征在于,具备本发明的发光装置。
[0043] 由此,能够提供在较低电压下可驱动的显示装置。
[0044] 本发明的电子设备的特征在于,具备本发明的显示装置。
[0045] 由此,能够提供在较低电压下可驱动的电子设备。
【附图说明】
[0046] 图1是示意性地示出表示本发明的发光元件的实施方式的纵截面的图。
[0047] 图2是表示使用了本发明的显示装置的显示器装置的实施方式的纵截面图。
[0048] 图3是表示使用了本发明的电子设备的移动型(或者笔记本型)的电脑的构成的 立体图。
[0049] 图4是表示使用了本发明的电子设备的手机(也包括PHS)的构成的立体图。
[0050] 图5是表示使用了本发明的电子设备的数码相机的构成的立体图。
【具体实施方式】
[0051] 以下,对于在附图中示出的本发明的发光元件、发光装置、显示装置和电子设备的 优选实施方式进行说明。
[0052] 首先,对本发明的发光元件(有机电致发光元件)1进行说明。
[0053] 图1是示意性地示出表示本发明的发光元件的实施方式的纵截面的图。应予说 明,以下,为了方便说明,将图1中的上侧设为"上",将下侧设为"下"进行说明。
[0054]图1所示的发光元件(电致发光元件)1是通过多种有机发光材料发出R(红色)、 G(绿色)、B(蓝色)而发出白色光作为发光色的有机发光元件(白色发光元件)。
[0055] 这样的发光元件1是依次层叠阳极3、空穴注入层4、空穴输送层5、由多个发光层 构成的发光部6、电子输送层7、电子注入层8和阴极9而成的。另外,发光部6是从阳极3 侧向阴极9侧依次层叠红色发光层(第4发光层)61、中间层62、蓝色发光层(第1发光 层)63、第1绿色发光层(第2发光层)64和第2绿色发光层(第3发光层)65而成的层叠 体。
[0056] 而且,发光元件1的整体设置在基板2上,并且用密封部件10密封。
[0057] 对于该发光元件1而言,通过对阳极3和阴极9施加驱动电压,从而向红色发光层 61、蓝色发光层63、第1绿色发光层64和第2绿色发光层65,从阴极9侧供给(注入)电 子,并且从阳极3侧供给(注入)空穴。然后,各发光层中,空穴与电子再结合,利用该再结 合时释放出的能量生成激子(Exciton),激子返回到基态时释放出(发出)能量(焚光、磷 光)。由此,发光元件1发出白色光。
[0058] 基板2是支撑阳极3的部件。由于本实施方式的发光元件1是从基板2侧射出光 的构成(底部发射型),所以基板2和阳极3被设为各自实质上透明(无色透明、着色透明 或者半透明)。
[0059] 作为基板2的构成材料,例如可举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇 酯、聚丙烯、环烯烃聚合物、聚酰胺、聚醚砜、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、多芳基化合物这 样的树脂材料,石英玻璃、钠钙玻璃这样的玻璃材料等,可以使用其中的1种或者组合2种 以上使用。
[0060] 这样的基板2的平均厚度没有特别限定,优选为0. 1~30mm左右,更优选为0. 1~ 10mm左右。
[0061] 应予说明,发光元件1是从与基板2相反的一侧射出光的构成(顶部发射型)时, 基板2可以使用透明基板和不透明基板中的任一种。
[0062] 作为不透明基板,例如可举出由氧化铝这样的陶瓷材料构成的基板、在不锈钢这 样的金属基板的表面形成氧化膜(绝缘膜)的基板、由树脂材料构成的基板等。
[0063] 以下,对构成发光元件1的各部件依次进行说明。
[0064] [阳极]
[0065] 阳极3是介由后面叙述的空穴注入层4向空穴输送层5注入空穴的电极。作为该 阳极3的构成材料,优选使用功函数大且导电性优异的材料。
[0066] 作为阳极3的构成材料,例如可举出ITO(IndiumTinOxide)、IZO(IndiumZinc (^1(^)、111303、511〇2、含513的511〇 2、含41的211〇等氧化物,411、?148、(:11或者含有它们的合 金等,可以使用其中的1种或者组合2种以上使用。
[0067] 这样的阳极3的平均厚度没有特别限定,优选为10~200nm左右,更优选为50~ 150nm左右。
[0068] [阴极]
[0069] 另一方面,阴极9是介由后面叙述的电子注入层8向电子输送层7注入电子的电 极。作为该阴极9的构成材料,优选使用功函数小的材料。
[0070] 作为阴极 9 的构成材料,例如可举出Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、 Cu、Al、Cs、Rb或者含有它们的合金等,可以使用其中的1种或者组合2种以上(例如,多层 的层叠体等)使用。
[0071] 使用合金作为阴极9的构成材料时,特别优选使用含有Ag、Al、Cu等稳定的金属元 素的合金,具体而言,特别优选使
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