示基板制作方法，包括:
[0074]SI，形成基底I;
[0075]S2，在基底I上形成薄膜晶体管，
[0076]其中，薄膜晶体管包括栅极21、源极22、漏极23和有源层24，在栅极21和有源层24之间形成有第二绝缘层4，在基底I上形成有第一绝缘层3，有源层24形成在第一绝缘层3中；
[0077]S3，在薄膜晶体管之上形成第三绝缘层5 ;
[0078]S4，在第三绝缘层5之上形成像素电极6 ;
[0079]S5，在像素电极6之上形成第四绝缘层7，
[0080]其中，基底1、第一绝缘层3、第二绝缘层4、第三绝缘层5和第四绝缘层7中的至少一层的材料为有机材料，至少一层的材料为无机材料。
[0081]通过有机材料和无机材料分别形成薄膜晶体管中的各绝缘层和基底，可以使得薄膜晶体管既具备有机材料的优点，即制作工艺简单，可以整体成型作为绝缘层，无需逐层堆叠，并且能够保证基板柔软可弯曲；同时还具备无机材料的优点，即介电常数较高，可以降低薄膜晶体管中的漏电流，并且能够保证基板具有较高的韧性，耐弯折。从而一方面简化了薄膜晶体管的制作工艺，另一方面提高了薄膜晶体管的电学性能，以及薄膜晶体管所在显示基板的物理性能。
[0082]如图2所示，优选地，形成基底1(即步骤SI)包括:
[0083]SI I，在衬底基板8上形成与源极22和漏极23的图形对应的第一凸起81，如图7所示；
[0084]S12，在衬底基板8上形成羟基功能化的第一聚二甲基硅烷层，以在第一聚二甲基硅烷层与第一凸起81对应的面形成与源极22和漏极23的图形对应的第一凹槽11，如图8所示；
[0085]S13，将第一聚—■甲基娃烧层从衬底基板8上脱尚，以作为基底I，如图9所不。
[0086]聚二甲基娃烧即PDMS (Polydimethylsiloxane)。通过与第一凸起81互补的方式可以在PDMS表面形成第一凹槽11作为源极22和漏极23的图形，相对通过蚀刻在PDMS表面形成源极22和漏极23的图形，可以使形成的图形的形状更加规则，从而保证形成在第一凹槽中的源极22和漏极23的形状更加规则，进而保证源极22和漏极23具有良好的电学性能。
[0087]另外，还可以将衬底基板8的材料设置为娃，由于轻基功能化的PDMS与娃基板的接触面有羟基集团，使得PDMS可以容易地从硅基板上剥离，不会对PDMS造成损伤，从而保证形成基底I表面的平整。
[0088]如图3所示，优选地，形成源极22和漏极23包括:
[0089]S201，在玻璃基板9上涂覆十八烷基三氯硅烷91 ;
[0090]S202，将玻璃基板9涂覆十八烷基三氯硅烷91的面与基底I形成有第一凹槽11的面相接触，如图10所示；
[0091]S203，移除玻璃基板9，在基底I上涂覆包含导电材料的亲水性溶液，以在第一凹槽11中形成源极22和漏极23，如图11所示。
[0092]十八烧基三氯娃烧即OTS(Octadecyltrichlorosilane)。通过将涂覆OTS的玻璃基板9与基底I接触，可以使得基底I的表面与OTS相接触，OTS使得基底I的表面的表面张力(表面能)下降，而第一凹槽11不会与OTS相接触，仍保持PDMS本身较高的表面张力。
[0093]然后在将包含导电材料(例如铝、铜、钼等金属或合金)的亲水性溶液(例如乙醇)涂覆在基底I上时，基底I的表面不会吸附亲水性溶液，而第一凹槽11则会吸附亲水性溶液，进一步将亲水性溶液蒸发后，亲水性溶液中的金属就保留在第一凹槽11内形成源极22和漏极23。通过本实施例的方式形成源极22和漏极23，可以将源极22和漏极23形成在基底I内部，保证薄膜晶体管与基底I结构牢固。
[0094]如图4所示，优选地，形成第一绝缘层3包括:
[0095]S204，在基底I上形成第二聚二甲基硅烷层，以作为第一绝缘层3，如图12所示；
[0096]S205，对第一绝缘层3的上表面进行光照或氧化处理，以在第一绝缘层的上表面形成第一二氧化硅层31，如图13所示；
[0097]S206，对第一绝缘层3进行蚀刻，以形成与有源层24的图形对应的通孔32，如图14所示；
[0098]S207，在第一绝缘层3进上涂覆包含半导体材料的亲水性溶液，以在通孔32中形成有源层24，如图15所示。
[0099]在所述第一绝缘层3的上表面形成第一二氧化硅层31，一方面由于二氧化硅是无机材料，可以使得薄膜晶体管中的绝缘层具备无机材料的优点，另一方面二氧化硅的表面张力较低，当在第一绝缘层3上涂覆包含半导体材料的亲水性溶液时，第一二氧化硅层31的表面不会吸附亲水性溶液，而通孔32会吸附亲水性溶液.进一步将亲水性溶液蒸发后，亲水性溶液中的半导体材料(例如金属氧化物半导体)就保留在通孔中形成了有源层24。
[0100]如图5所示，优选地，形成第二绝缘层4包括:
[0101]S208，在第一绝缘层3上形成第三聚二甲基硅烷层，以作为第二绝缘层4，如图16所示；
[0102]S209，对第二绝缘层4进行蚀刻，以形成与栅极21图形对应的第二凹槽31，如图17所示；
[0103]S210，在玻璃基板9上涂覆十八烷基三氯硅烷91 ;
[0104]S211，将玻璃基板9涂覆十八烷基三氯硅烷91的面与第二绝缘层4形成有第二凹槽41的面相接触，如图18所示；
[0105]S212，移除玻璃基板9，在第二绝缘层4上涂覆包含导电材料的亲水性溶液，以在第二凹槽41中形成栅极21，如图19所示。
[0106]通过将涂覆OTS的玻璃基板9与第二绝缘层4接触，可以使得第二绝缘层4的表面与OTS相接触，OTS使得第二绝缘层4的表面的表面张力(表面能)下降，而第二凹槽41不会与OTS相接触，仍保持PDMS本身较高的表面张力。
[0107]在将包含导电材料的亲水性溶液(例如乙醇)涂覆在第二绝缘层4上时，第二绝缘层4的表面不会吸附亲水性溶液，而第二凹槽41则会吸附亲水性溶液，进一步将亲水性溶液蒸发后，亲水性溶液中的金属就保留在第二凹槽41内形成栅极21。
[0108]通过上述方式形成源极、漏极、有源层和栅极，可以使得源极、漏极、有源层和栅极与其分别所在的层结构更加稳定且紧凑，更有利于保证薄膜晶体管实现良好的电学功能。通过本实施例的方式形成栅极21，可以将栅极21形成在第二绝缘层4内部，保证薄膜晶体管与中各层结构牢固。
[0109]如图6所示，优选地，形成第三绝缘层5 (即步骤S3)包括:
[0110]S31，在第二绝缘层4上形成第四聚二甲基硅烷层，以作为第三绝缘层5，如图20 ;
[0111]S32，对第三绝缘层5的上表面进行光照或氧化处理，以在第三绝缘层的上表面形成第二二氧化硅层51，如图21。
[0112]在所述第三绝缘层5的上表面形成第二二氧化硅层51，由于二氧化硅是无机材料，可以使得薄膜晶体管中的绝缘层具备无机材料的优点。
[0113]并且PDMS中包含硅元素，可以直接通过光照或者氧化来在PDMS表面直接形成二氧化硅层，形成的二氧化硅层与PDMS保持一体结构，使得各层结构之间更加紧密。
[0114]优选地，形成第四绝缘层7包括:
[0115]采用聚二甲基硅烷、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯和聚乙烯吡咯烷酮中的至少一种材料在像素电极6上形成第四绝缘层7。
[0116]通过上述工艺，可以使得薄膜晶体管形成有机材料层(基底I和第一绝缘层3)、无机材料层(第一二氧化硅层31)、有机材料层(第二绝缘层4和第三绝缘层5)、无机材料层(第二二氧化硅层51)和有机材料层(第四绝缘层7)的间隔分布，使得薄膜晶体管同时具备有机材料层的优点和无机材料层的优点。
[0117]需要说明的是，上述流程所采用的形成工艺例如可包括:沉积、溅射等成膜工艺和刻蚀等构图工艺。上述工艺中所涉及的光照操作可以通过紫外光进行照射，所涉及的氧化操作可以通过臭氧进行氧化。
[0118]上述采用十八烷基三氯硅烷的工艺也可以替换为采用六甲基硅氧烷。
[0119]上述通过PDMS形成基底I或绝缘层的工艺还包括对PDMS进行低温固化成型(例如在60°C固化4小时)。
[0120]上述工艺仅以形成顶栅型薄膜晶体管进行了示例性说明，实际上可以视需要来根据上述工艺形成底栅型薄膜晶体管。
[0121]如图22所示，本发明还提出了一种根据上述制作方法制作的显示基板，包括:
[0122]基底I ;
[0123]薄膜晶体管，设置在基底I之上，
[0124]其中，薄膜晶体管包括栅极2