置示出为圆形基座66或基座组件。基板支撑装置或基座66能够在气体分配组件30下方移动多个基板60。加载锁82可连接到处理腔室100的一侧，以允许加载基板60/从腔室100中卸载基板60。
[0046]在某些实施例中，处理腔室包括多个(未示出的)气体帷幕(gascurtain)，这些气体帷幕被定位在气体分配板30与等离子体站80之间。每一个气体帷幕都可以形成阻挡，以避免或最小化来自气体分配组件30的处理气体的移动从气体分配组件区中迀移，以及避免或最小化来自等离子体源80的气体从等离子体区迀移。该气体帷幕可以包含气体与真空流的任何合适的组合，这些真空流可以将数个单独的处理部分与邻近的部分隔离。在某些实施例中，气体帷幕是净化(或惰性)气流。在一个或多个实施例中，该气体帷幕是将数种气体从处理腔室中去除的真空流。在某些实施例中，气体帷幕是净化气流与真空流的组合，使得按顺序具有净化气流、真空流与净化气流。在一个或多个实施例中，气体帷幕是数个真空流与数个净化气流的组合，使得按顺序具有真空流、净化气流与真空流。
[0047]在处理期间，监测基座组件和/或数个晶圆的温度，或监测正进行沉积的膜的特定性质可能是所期望的。例如，在形成期间测量膜的发射率。本发明的数个实施例在气体分配组件上或该气体分配组件中具有光学传感器，该光学传感器能在处理期间直接测量这些参数或多个其他参数。
[0048]相应地，本发明的一个或多个实施例涉及处理腔室，该处理腔室包括基座组件66与气体分配组件30。基座组件66包含顶表面67，该顶表面67用于支撑多个基板60，并如方向17所示围绕着中心轴18旋转多个基板60。基座组件66的顶表面67具有内周边缘90与外周边缘91。气体分配组件30定位在基座组件66上方。如图5所示，气体分配组件30包括多个延长的气体端口 125、135、145以及真空端口 155，这些延长的气体端口 125、135、145用于将数个气体流动引向基座组件66，而真空端口 155用于将气体流动引出该处理腔室。气体分配组件30也包含至少一个光学传感器95，该至少一个光学传感器95被引向基座组件66。
[0049]图5中所示的光学传感器95位于真空端口 155与净化端口 145之间。在该区域中，理论上仅数种净化气体可与光学传感器95接触。在某些实施例中，光学传感器95位于净化气体端口 145之中。在此位置中，理论上仅数种净化气体可以流过光学传感器95，并且可以围绕该传感器95保持稳定的惰性气体流动。依赖于何时进行测量，可定位传感器95以测量靠近基座组件的内周边缘与外周边缘以及中间区域(该中间区域可以是基座组件或晶圆)的数个点。
[0050]光学传感器95可直接定位在气体分配板30的表面上，或是可定位在该气体分配板中的凹槽或孔96中。依赖于光学传感器95的尺寸，孔96可以是任何合适的尺寸。在某些实施例中，孔96的直径高达约10mm。
[0051]光学传感器可以是用于测量基板、膜或基座组件的光学性质的任何合适的传感器。光学传感器的非限制性示例包含高温计与干涉计。系统可以使用多于一种类型的光学传感器的组合，以允许同时测多个参数。
[0052]虽然已经参考特定实施例描述了本文中的发明，但应当理解，这些实施例仅说明本发明的数个原则与应用。对于本领域技术人员而言显而易见的将是，可对发明的方法与设备进行各种修改与改变而不背离本发明的精神和范围。因此，本发明旨在包含落在所附权利要求书与其等价方案的范围中的所有修改与变化。
【主权项】
1.一种处理腔室，所述处理腔室包括: 基座组件，所述基座组件包含顶表面，所述顶表面用于支撑多个基板并围绕中心轴转动所述多个基板，所述顶表面具有内周边缘与外周边缘；以及 气体分配组件，所述气体分配组件在所述基座组件上方，所述气体分配组件包括多个延长的气体端口与至少一个光学传感器，所述多个延长的气体端口用于将数个气体流动引向所述基座组件，所述至少一个光学传感器被引向所述基座组件。2.如权利要求1所述的处理腔室，其中，所述至少一个光学传感器定位在所述多个气体端口中的一个气体端口中。3.如权利要求1所述的处理腔室，其中，所述多个延长的气体端口包含第一反应气体端口、第二反应气体端口、净化气体端口与至少一个真空端口。4.如权利要求3所述的处理腔室，其中，所述至少一个光学传感器定位在净化气体端口中。5.如权利要求1到4中任一项所述的处理腔室，其中，所述气体分配组件进一步包括至少一个孔，所述至少一个孔位于所述气体分配组件的不被暴露给反应气体的区域中，并且所述至少一个光学传感器定位在所述孔中。6.如权利要求1到4中任一项所述的处理腔室，其中，所述至少一个光学传感器是从由以下各项组成的组中选出的:高温计、干涉计与高温计和干涉计的组合。7.如权利要求1到4中任一项所述的处理腔室，其中，所述至少一个光学传感器包括高温计，并且定位所述至少一个光学传感器以在处理期间测量所述基座组件的温度。8.如权利要求7所述的处理腔室，其中，具有用于测量温度的至少两个光学传感器，至少一个光学传感器经定位以测量靠近所述基座组件的内周边缘的温度，并且至少一个光学传感器经定位以测量靠近所述基座组件的外周边缘的温度。9.如权利要求1到4中任一项所述的处理腔室，其中，所述至少一个光学传感器包括干涉计，并且定位所述至少一个光学传感器以记录来自基板表面的干涉图。10.如权利要求1到4中任一项所述的处理腔室，进一步包括控制器，所述控制器与所述至少一个光学传感器通信以分析来自所述光学传感器的数据。11.一种在处理腔室中处理至少一个基板的方法，所述方法包括: 将所述至少一个基板定位在基座组件的顶表面中的凹槽中，所述基板具有顶表面； 使所述基板与基座组件在气体分配组件下方通过，所述气体分配组件包括多个基本上平行的气体通道，所述气体通道将气体流动引向所述基板的所述顶表面，以便在所述基板的所述顶表面上沉积膜；以及 通过定位在所述气体分配组件的惰性区域处的光学传感器来进行光学测量。12.如权利要求11所述的方法，其中，所述光学传感器包括高温计，并且所述光学测量是温度测量。13.如权利要求12所述的方法，其中，在所述基座组件的外周边缘或所述基座组件的内周边缘中的一处或多处进行所述温度测量。14.如权利要求11所述的方法，其中，所述光学传感器包括干涉计，并且所述光学测量测量所述膜的性质。15.如权利要求14所述的方法，进一步包括:在处理期间评价所述光学测量以确定所述膜的质量。
【专利摘要】所述为用于处理半导体晶圆的设备与方法，其中，定位在气体分配组件中的光学传感器于沉积期间测量温度和/或膜参数。
【IPC分类】H01L21/66
【公开号】CN105051879
【申请号】CN201480013813
【发明人】K·格里芬, J·约德伏斯基
【申请人】应用材料公司
【公开日】2015年11月11日
【申请日】2014年3月14日
【公告号】WO2014152304A1