基板处理装置以及基板处理方法
【技术领域】
[0001]本发明的实施方式涉及基板处理装置以及基板处理方法。
【背景技术】
[0002]基板处理装置是如下所述的装置:在半导体、液晶面板等的制造工序中，向晶片、液晶基板等的基板的表面供给处理液(例如，抗蚀剂剥离液、清洗液等)而对该基板表面进行处理。
[0003]作为该基板处理装置，存在如下所述的装置:使基板以水平状态旋转，从与该基板表面的中心附近对置的喷嘴向基板表面供给处理液，且通过由旋转产生的离心力将该处理液扩散到基板表面而进行处理。在这种旋转处理的基板处理装置之中，提出如下基板处理装置:预先利用加热器加热处理液，进而利用加热器对保持基板的卡盘进行加热而使基板升温，之后，将加热后的处理液供给到基板表面(例如，参照专利文献I)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开平9 - 134872号公报
【发明内容】
[0007]发明所要解决的问题
[0008]然而，在如上述那样通过加热器对卡盘的加热而使基板升温的基板处理装置中，虽然能够使基板温度恒定来维持处理液的温度，但由于即使改变加热器温度(加热温度)，处理液的温度也不会立即改变，因此难以在处理中途调节(控制)处理液的温度并进行基板处理。
[0009]例如，在具有将基板处理从高温处理切换到低温处理这两个步骤的情况下，当在高温处理后进行低温处理时，基板温度从高温下降到规定温度为止，处理被中断，因此在一系列的工序(同一制程)中不执行处理，处理时间相应地变长。因此，谋求在基板处理中途迅速地调节处理液的温度。
[0010]本发明所要解决的问题是提供一种能够在基板处理中途迅速地调节处理液的温度的基板处理装置以及基板处理方法。
[0011]用于解决问题的手段
[0012]实施方式的基板处理装置具备:支承部，支承基板；旋转机构，将与由支承部支承的基板交叉的轴作为旋转轴来使支承部旋转；喷嘴，向利用旋转机构旋转的支承部上的基板的表面供给处理液；加热器，以离开由支承部支承的基板的方式对该基板进行加热；以及移动机构，使加热器沿相对于被支承部支承的基板接近离开的方向移动。
[0013]实施方式的基板处理方法具有:使与加热器对置而离开的基板在平面内旋转的工序；从喷嘴向旋转的基板的表面供给处理液的工序；利用加热器对基板以及该基板的表面上的处理液进行加热的工序；使加热器远离基板的工序；以及利用远离的加热器对基板以及该基板的表面上的处理液中的至少处理液进行加热的工序。
[0014]发明的效果
[0015]根据本发明，能够在基板处理中途迅速地调节处理液的温度。
【附图说明】
[0016]图1是表示第I实施方式的基板处理装置的概略结构的图。
[0017]图2是用于说明第I实施方式的基板处理的流程的第I工序图。
[0018]图3是用于说明第I实施方式的基板处理的流程的第2工序图。
[0019]图4是用于说明第I实施方式的基板处理的流程的第3工序图。
[0020]图5是用于说明第I实施方式的基板处理的流程的第4工序图。
[0021]图6是表示第2实施方式的基板处理装置的概略结构的图。
【具体实施方式】
[0022](第I实施方式)
[0023]参照图1?图5对第I实施方式进行说明。
[0024]如图1所示，第I实施方式涉及的基板处理装置IA具备成为处理室的处理箱2、在该处理箱2内设置的罩3、在该罩3内以水平状态支承基板W的支承部4、以及使该支承部4在水平面内旋转的旋转机构5。进一步地，基板处理装置I具备，向支承部4上的基板W的表面供给处理液的喷嘴6、向该喷嘴6供给处理液的液体供给部7A、对支承部4上的基板W加热的加热器8、使该加热器8沿上下方向移动的移动机构9、以及控制各个部的控制部10。
[0025]罩3形成为圆筒形状，从周围包围支承部4并将该支承部4收纳于内部。罩3的周壁的上部朝向径向的内侧倾斜，并以使支承部4上的基板W露出的方式开口。该罩3接收从旋转的基板W上流落或者飞溅的处理液。另外，在罩3的底部，设有用于排出接收到的处理液的排出管(未图示)。
[0026]支承部4定位于罩3内的中央附近，该支承部4设置成能够在水平面内旋转。该支承部4具有多个销等的支承部件4a，通过这些支承部件4a，将晶片、液晶基板等的基板W以能够装卸的方式保持。
[0027]旋转机构5具有与支承部4连结的旋转轴、成为使该旋转轴旋转的驱动源的电动机(均未图示)等，通过电动机的驱动经由旋转轴使支承部4旋转。该旋转机构5与控制部10电连接，其驱动由控制部10控制。
[0028]喷嘴6设于支承部4的上方的与该支承部4上的基板W的表面的中心附近对置的位置，能够从上方向支承部4上的基板W的表面供给处理液。而且，喷嘴6支承于加热器8的中央部，并与加热器8的上下移动一起上下移动。该喷嘴6从支承部4上的基板W的上方将从液体供给部7A供给的处理液朝向旋转中的基板W的表面排出从而向该基板表面供给。
[0029]液体供给部7A具备存储处理液的罐、成为驱动源的栗、以及成为调整供给量的调整阀的阀门(均未图示)等，并通过栗的驱动向喷嘴6供给处理液。该液体供给部7A与控制部10电连接，其驱动由控制部10控制。
[0030]这里，作为处理液，例如能够使用臭氧水、氢氟酸(HF)、超纯水(DIW)等，除此之外，也能够与处理内容相应地使用各种处理液。
[0031 ] 加热器8形成为比基板W的平面尺寸大的板状，并设于支承部4的上方，离开支承部4上的基板W(与基板W之间空出间隙)来将该基板W加热。该加热器8构成为能够利用移动机构9沿上下方向(升降方向)移动，并向距支承部4上的基板W的表面的离开距离不同的多个位置、例如高温处理位置、温度维持处理位置(低温处理位置)以及待机位置移动。加热器8与控制部10电连接，其驱动由控制部10控制。
[0032]这里，高温处理位置位于离开基板W的表面规定距离(例如I?1mm左右)的位置，并且是加热器8以高温加热基板W时的位置。另外，温度维持处理位置(低温处理位置)是从基板W的表面离开规定距离的比高温处理位置远的位置，并且是加热器8将基板W的温度维持为规定温度时的位置。待机位置是从基板W的表面离开规定距离的比温度维持处理位置远的位置，并且是加热器8在基板设置、搬出时待机时的位置(参照图1中的点划线)。
[0033]移动机构9具有保持加热器8的保持部、使该保持部与加热器8 一起沿上下方向移动的上下机构、成为驱动源的电动机(均未图示)等，通过电动机的驱动使加热器8与保持部一起沿相对于支承部4上的基板W接近离开的方向(靠近的方向与远离的方向)移动。该移动机构9与控制部10电连接，其驱动由控制部10控制。
[0034]控制部10具备集中地控制各个部的微型计算机、以及存储与基板处理有关的基板处理信息、各种程序等的存储部。该控制部10基于基板处理信息、各种程序来控制旋转机构5、液体供给部7A、移动机构9等，并进行调整支承部4上的基板W的表面与加热器8的离开距离，将从液体供给部7A供给的处理液从喷嘴6对旋转中的支承部4上的基板W的表面供给的基板处理的控制。
[0035]接下来，参照图2至图5对上述的基板处理装置IA所进行的基板处理(基板处理方法)的第I处理例以及第2处理例进行说明。此外，基板W设于支承部4上，前期准备完成。另外，加热器8在待机位置(参照图1中的点划线)待机。
[0036]在第I处理例中，如图2所示，加热器8通过移动机构9从待机位置移动到高温处理位置。由此，加热器8的背面与支承部4上的基板W的表面之间成为规定距离LI。此外，在加热器8从待机位置移动到高温处理位置时，加热器8未被驱动。接着，支承部4上的基板W与支承部4 一起利用旋转机构5以规定的转速(液体供给转速)旋转。此外，虽然待机位置、高温处理位置、转速等的条件被预先设定，但也能够由操作者进行变更。
[0037]在基板W稳定旋转之后，处理液被从液体供给部7A供给而从喷嘴6向支承部4上的基板W排出，从而向旋转的基板W的表面供给。从喷嘴6供给到基板中心附近的处理液在离心力的作用下流向基板周缘部。由此，在基板处理的期间，基板W的表面被处理液(液膜)覆盖。
[0038]之后，如图3所示，加热器8的背面与支承部4上的基板W的表面之间的空间被处理液填满，而且，当在空间内填满的处理液与加热器8的背面接触的状态时，停止处理液的供给。此时，支承部4上的基板W的转速比最