一种阵列基板的制作方法及阵列基板的制作方法
【专利说明】
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板的制作方法及阵列基板。
【【背景技术】】
[0002]目前，一般的PSVA(polymer stabilized vertically aligned，聚合物稳定垂直取向)结构在一个像素内形成4个畴以改善色偏，而在现有技术中主要是将像素电极层下方的钝化层进行图形化处理，从而形成两种不同的沟槽，而且两种不同沟槽深度进行内外组合，可以达到8畴的显示效果，进而更大程度地改善色偏；而为实现这种结构，过孔和这两种不同深度的沟槽将同时出现在一个像素内，即出现三个不同的刻蚀量，在现有的制程中，将会用到三张掩膜和三次黄光工艺，这在成本和生产效率都是一个很大的负担，尽管可以采用GTM工艺节省掩膜和黄光次数，但GTM工艺较复杂，许多制程参数将要重新调试，且工艺的稳定性和再现性也不如一般的掩模。
[0003]故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
【
【发明内容】
】
[0004]本发明的目的在于提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，其能节省一张掩模，且能少一道黄光工艺，从而节省了成本，且能提高效率。
[0005]为解决上述问题，本发明的技术方案如下:
[0006]—种阵列基板的制作方法，所述阵列基板的制作方法包括:
[0007]提供一玻璃基板，在所述玻璃基板上依次形成第一金属层和绝缘层，所述第一金属层包括扫描线；
[0008]在所述绝缘层上形成第二金属层，所述第二金属层包括数据线；
[0009]在所述第二金属层上形成一钝化层；
[0010]对所述钝化层进行第一次刻蚀，得到第一沟槽和第二沟槽；
[0011]对所述钝化层进行第二次刻蚀，得到第三沟槽；
[0012]在所述钝化层上形成像素电极层。
[0013]优选的，在所述的阵列基板的制作方法中，第一次刻蚀得到的所述第一沟槽和所述第二沟槽的深度相同。
[0014]优选的，在所述的阵列基板的制作方法中，所述第三沟槽的刻蚀深度与第一次刻蚀所述第一沟槽的刻蚀深度之和大于等于所述钝化层的厚度。
[0015]优选的，在所述的阵列基板的制作方法中，对所述钝化层进行第二次刻蚀，得到第三沟槽的步骤，包括:
[0016]对所述钝化层的对应所述第三沟槽的位置处以及对应所述第一沟槽的位置处进行第二次刻蚀，得到所述第三沟槽，并露出所述第二金属层。
[0017]优选的，在所述的阵列基板的制作方法中，第二次刻蚀所述第一沟槽和所述第三沟槽的刻蚀深度相同。
[0018]—种阵列基板，所述阵列基板包括:
[0019]一玻璃基板；
[0020]一第一金属层，所述第一金属层设置于所述玻璃基板上，所述第一金属层包括扫描线；
[0021]—绝缘层，所述绝缘层设置于所述第一金属层上；
[0022]—第二金属层，所述第二金属层设置于所述绝缘层上，所述第二金属层包括数据线；
[0023]—钝化层，所述钝化层设置于所述第二金属层上，所述钝化层包括第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽；
[0024]—像素电极层，所述像素电极层设置于所述钝化层上。
[0025]优选的，在所述的阵列基板中，所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度。
[0026]优选的，在所述的阵列基板中，所述第三沟槽的刻蚀深度与第一次刻蚀所述第一沟槽的刻蚀深度之和大于等于所述钝化层的厚度。
[0027]优选的，在所述的阵列基板中，所述第一沟槽的位置对应所述数据线。
[0028]优选的，在所述的阵列基板中，所述钝化层为氮化硅层。
[0029]相对现有技术，本发明在钝化层进行二次刻蚀，第一次刻蚀得到第一沟槽和第二沟槽，且深度相同，第二次刻蚀得到第三沟槽，并露出所述第二金属层；即本发明通过在刻蚀第二沟槽和第三沟槽时均对所述第一沟槽进行同等深度刻蚀，最后实现所述第一沟槽完全刻透的效果，如此可节省一张掩模，且能少一道黄光工艺，从而节省了成本，且能提高效率。
[0030]为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
【【附图说明】】
[0031]图1为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的实现流程示意图；
[0032]图2为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的结构流程示意图；
[0033]图3为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图。
【【具体实施方式】】
[0034]本说明书所使用的词语“实施例”意指用作实例、示例或例证。此外，本说明书和所附权利要求中所使用的冠词“一”一般地可以被解释为意指“一个或多个”，除非另外指定或从上下文清楚导向单数形式。
[0035]在本发明中，通过在钝化层进行二次刻蚀，第一次刻蚀得到第一沟槽和第二沟槽，且深度相同，第二次刻蚀得到第三沟槽，并露出所述第二金属层；即本发明通过在刻蚀第二沟槽和第三沟槽时均对所述第一沟槽进行同等深度刻蚀，最后实现所述第一沟槽完全刻透的效果，如此可节省一张掩模，且能少一道黄光工艺，从而节省了成本，且能提高效率。
[0036]为了说明本发明所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。
[0037]请一并参阅图1及图2，为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的实现流程示意图；其主要包括以下步骤:
[0038]在步骤SlOl中，提供一玻璃基板，在所述玻璃基板上依次形成第一金属层和绝缘层，所述第一金属层包括扫描线；
[0039]在本发明实施例中，首先，对所述玻璃基板洗净之后，利用溅射镀膜法在所述玻璃基板全表面沉积所述第一金属层，在所述第一金属层上涂布对紫外线感光的光刻胶，对所述光刻胶进行预烘烤，下一步，在所述光刻胶上方放置掩模，并用紫外线照射(曝光)，下一步，对所述光刻胶进行显影，然后，对所述第一金属层进行刻蚀，得到扫描线。接着，利用化学气相沉积法在所述玻璃基板全表面形成绝缘层。然而，可以理解的是，所述绝缘层可以为氮化硅层或者是氧化硅层。
[0040]在步骤S102中，在所述绝缘层上形成第二金属层，所述第二金属层包括数据线；
[0041]在本发明实施例中，利用溅射镀膜法在所述绝缘层上沉积所述第二金属层，在所述第二金属层上涂布对紫外线感光的光刻胶，对所述光刻胶进行预烘烤，下一步，在所述光刻胶上方放置掩模，并用紫外线照射(曝光)，下一步，对所述光刻胶进行显影，然后，对所述第二金属层进行刻蚀，得到数据线。
[0042]在步骤S103中，在所述第二金属层上形成一钝化层；
[0043]在本发明实施例中，利用化学气相沉积法在所述玻璃基板全表面形成钝化层。然而，可以理解的是，所述绝缘层可以为氮化硅层。
[0044]在步骤S104中，对所述钝化层进行第一次刻蚀，得到第一沟槽和第二沟槽；
[0045]在本发明实施例中，在所述钝化层上涂布对紫外线感光的光刻胶，对所述光刻胶进行预烘烤，下一步，在所述光刻胶上方放置掩模，并用紫外线照射(曝光)，下一步，对所述光刻胶进行显影，然后，对所述钝化层进行第一次刻蚀，得到第一沟槽和第二沟槽。其中，第一次刻蚀得到的所述第