Tft基板的制作方法及制得的tft基板的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板的制作方法及制得的TFT基板。
【背景技术】
[0002]随着平板显示的发展，高分辨率，低能耗的面板需求不断被提出。低温多晶硅(LowTemperature Poly-Si I icon，LTPS)由于具有较高的电子迀移率，而在液晶显示器(LiquidCrystal Display，LCD)与有机发光二极管显不器(Organic Light Emitting D1de,OLED)技术中得到了业界的重视，被视为实现低成本全彩平板显示的重要材料。对平板显示而言，低温多晶硅材料具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率、低能耗等优点，而且低温多晶娃可在低温下制作，并可用于制作C-M0S (Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)电路，因而被广泛研究，用以达到面板高分辨率，低能耗的需求。
[0003]在多晶硅技术发展的初期，为了将玻璃基板从非晶硅结构转变为多晶硅结构，就必须借助一道激光退火(Laser Anneal)的高温氧化工序，制得高温多晶娃(HighTemperature Poly-Silicon, HTPS)，此时玻璃基板的温度将超过摄氏1000度。与传统的高温多晶硅相比，低温多晶硅虽然也需要激光照射，但它一般采用的是准分子激光作为热源，激光经过透射系统后，会产生能量均匀分布的激光束并被投射于非晶硅结构的玻璃基板上，当非晶硅结构的玻璃基板吸收准分子激光的能量后，就会转变成为多晶硅结构。由于整个处理过程基本是在600摄氏度以下完成，一般普通的玻璃基板均可承受，这就大大降低了制造成本。而除了制造成本降低外，低温多晶硅的优点还体现在:电子迀移速率更快、稳定性更尚。
[0004]目前制作低温多晶娃的方法主要有:固相结晶(Solid Phase Crystallizat1n，SPC)、金属诱导结晶(Metal-1nduced Crystallizat1n，MIC)、与准分子激光退火(ExcimerLaser Annealing，ELA)等多种制作方法。其中，ELA是目前使用最为广泛、相对成熟的制作低温多晶硅的方法，该方法的主要过程为:首先在玻璃基板上形成缓冲层，然后在缓冲层上形成非晶硅层，高温去氢，再利用ELA激光束扫描非晶硅进行准分子激光退火，非晶硅吸收激光的能量，在极短的时间内达到高温并变成熔融状态，最后经冷却重结晶形成多晶硅。目前的情况是:通过ELA方法制得的低温多晶硅薄膜晶体管的均一性不佳且成本较高，而采用SPC方法虽然能够降低成本，提高均一性，但其开电流以及亚阈值斜率又不如ELA方法制得的低温多晶硅薄膜晶体管，并且关电流较大，因此驱动能力较差。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，能够在节省生产成本的同时增大薄膜晶体管的开电流，减小关电流，抑制翘曲效应，降低阈值电压和亚阈值斜率，并减少沟道光致漏电现象的发生。
[0006]本发明的目的还在于提供一种TFT基板，该TFT基板生产成本较低，同时还能够增大薄膜晶体管的开电流，减小关电流，抑制翘曲效应，降低阈值电压和亚阈值斜率，且不容易发生沟道光致漏电现象。
[0007]为实现上述目的，本发明提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤:
[0008]步骤1、提供一基板，对所述基板进行清洗与预烘烤后，在所述基板上沉积一缓冲层；
[0009]步骤2、在所述缓冲层上沉积第一金属层，并对该第一金属层进行图案化处理，得到底栅极；
[0010]步骤3、在所述底栅极、及缓冲层上沉积栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积非晶娃层;
[0011]步骤4、对所述非晶硅层进行P型掺杂，得到位于上方的P型掺杂非晶硅层、及位于所述P型掺杂非晶硅层下方的未掺杂非晶硅层；
[0012]步骤5、采用固相结晶方法将所述未掺杂非晶硅层、及P型掺杂非晶硅层转化为未掺杂低温多晶硅层、及P型掺杂低温多晶硅层，采用一道光刻制程对所述未掺杂低温多晶硅层、及P型掺杂低温多晶硅层进行图案化处理，形成低温多晶硅岛；
[0013]步骤6、在所述低温多晶硅岛、及栅极绝缘层上方沉积第二金属层，在所述低温多晶硅岛的未掺杂低温多晶硅层上定义出对应于所述底栅极上方的沟道区，采用一道光刻制程对该第二金属层、及低温多晶硅岛进行图案化处理，去除位于所述沟道区上方的P型掺杂低温多晶硅层、及第二金属层，从而形成对应所述沟道区两侧的源极与漏极、及第一 P型掺杂低温多晶硅层与第二 P型掺杂低温多晶硅层；
[0014]所述源、漏极分别与所述第一、第二 P型掺杂低温多晶硅层相接触；
[0015]步骤7、在所述源、漏极、沟道区、及栅极绝缘层上沉积钝化层；
[0016]步骤8、在所述钝化层上沉积第三金属层，并对该第三金属层进行图案化处理，得到对应所述底栅极的顶栅极。
[0017]所述步骤4中，采用乙硼烷气体对所述非晶硅层进行硼离子掺杂。
[0018]所述步骤5中，在固相结晶的过程中，采用快速热退火的方法对所述未掺杂非晶硅层、及P型掺杂非晶硅层进行加热，加热温度为670?730°C，时间为10?30min。
[0019]所述步骤2中，所述底栅极为单层铝结构、单层钼结构、或者由两层钼夹设一层铝的三层结构；所述底栅极的厚度为1500?2000A ;
[0020]所述步骤8中，所述顶栅极为单层铝结构、单层钼结构、或者由两层钼夹设一层铝的三层结构；所述顶栅极的厚度为1500?2000A。
[0021 ] 所述顶栅极与底栅极的大小、厚度、及材料完全相同。
[0022]本发明还提供一种TFT基板，包括:基板，设于所述基板上的缓冲层，设于所述缓冲层上的底栅极，设于所述缓冲层及底栅极上的栅极绝缘层，设于所述栅极绝缘层上的低温多晶硅岛，设于所述低温多晶硅岛及栅极绝缘层上的源极与漏极，设于所述源、漏极、低温多晶硅岛及栅极绝缘层上的钝化层，及设于所述钝化层上且对应所述底栅极的顶栅极；
[0023]其中，所述低温多晶硅岛包括未掺杂低温多晶硅层及设于所述未掺杂低温多晶硅层上的P型掺杂低温多晶硅层，所述未掺杂低温多晶硅层上设有对应于所述底栅极与顶栅极的沟道区，所述P型掺杂低温多晶硅层包括对应所述沟道区两侧的第一P型掺杂低温多晶硅层、及第二 P型掺杂低温多晶硅层；所述源、漏极分别与所述第一、第二 P型掺杂低温多晶娃层相接触。
[0024]所述第一 P型掺杂低温多晶硅层、及第二 P型掺杂低温多晶硅层中掺入的杂质为硼离子。
[0025]所述基板为玻璃基板；所述缓冲层为由氮化硅构成的单层结构、由氧化硅构成的单层结构、或者由氮化硅层和氧化硅层构成的双层结构。
[0026]所述底栅极为单层铝结构、单层钼结构、或者由两层钼夹设一层铝的三层结构；所述底栅极的厚度为1500?2000A ;
[0027]所述顶栅极为单层铝结构、单层钼结构、或者由两层钼夹设一层铝的三层结构；所述顶栅极的厚度为1500?2000A。
[0028]所述顶栅极与底栅极的大小、厚度、及材料完全相同。
[0029]本发明的有益效果:本发明提供一种TFT基板的制作方法及制得的TFT基板，该方法采用固相结晶技术制备低温多晶硅层，与准分子激光晶化技术相比，更加节省成本，并且形成的晶粒均一性更好；同时引入双栅极结构，加强了栅极对沟道的控制，增大薄膜晶体管的开电流，减小关电流，抑制翘曲效应