一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]随着显示技术的不断发展，用户对显示装置的需求不断增加，TFT-1XD (Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器)也在手机、液晶显示器、平板电脑等产品中得到了广泛的应用。
[0003]但是，由于TFT结构在实际生产中并未完全遮光，对于暴露在光照条件下的处于关断状态的TFT结构，光照会导致漏端反偏的PN结部分吸收光照能量而导致跃迀，形成的电子空穴对在源漏电场作用下造成漏电流增大，从而影响TFT的稳定工作。
【发明内容】
[0004]本发明的实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置，能够避免TFT结构受光照而引起的漏电流增大的问题，提高TFT结构的稳定性。
[0005]为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案:
[0006]本发明实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板，设置于所述基板上的有源层，所述有源层包括未掺杂区、轻掺杂区、源极区和漏极区，所述轻掺杂区设置于所述未掺杂区的两侧，所述源极区和所述漏极区设置于所述轻掺杂区未与所述未掺杂区接触的一侦U，设置于所述有源层上的第一绝缘层，设置于所述第一绝缘层上的第一栅极，设置于所述第一栅极上的第二绝缘层，设置于所述源极区上方、且贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的源极，设置于所述漏极区上方、且贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的漏极，其中，所述源极与所述源极区相接触，所述漏极与所述漏极区相接触；所述薄膜晶体管阵列基板还包括:
[0007]设置于所述第二绝缘层上的第一遮光层，其中，所述第一遮光层覆盖所述未掺杂区与所述漏极区之间的轻掺杂区。
[0008]可选的，所述薄膜晶体管阵列基板还包括:
[0009]设置于所述第二绝缘层上的第二遮光层，其中，所述第二遮光层覆盖所述未掺杂区与所述源极区之间的轻掺杂区。
[0010]可选的，所述第一遮光层为第二栅极，所述第二栅极通过过孔与所述第一栅极相连接。
[0011]可选的，所述第二遮光层为第三栅极，所述第三栅极通过过孔与所述第一栅极相连接。
[0012]可选的，所述薄膜晶体管阵列基板还包括:
[0013]设置于所述第一遮光层上的第三绝缘层。
[0014]可选的，所述薄膜晶体管阵列基板还包括:
[0015]设置于所述基板上的，与所述基板直接接触的缓冲层，所述缓冲层用于防止所述基板中的杂质进入所述有源层。
[0016]本发明实施例提供一种显示装置，包括具有上述任意特征的所述薄膜晶体管阵列基板。
[0017]本发明实施例还提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包包括:在基板上形成多晶硅层，在所述多晶硅层上形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成第一栅极，对所述多晶硅层进行离子掺杂，形成有源层，所述有源层包括未掺杂区、轻掺杂区、源极区和漏极区，所述轻掺杂区设置于所述未掺杂区的两侧，所述源极区和所述漏极区设置于所述轻掺杂区未与所述未掺杂区接触的一侧，在所述第一栅极上形成第二绝缘层，在所述源极区上形成源极，在所述漏极区上形成漏极，其中，所述源极贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层、且与所述源极区相接触，所述漏极贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层、且与所述漏极区相接触；所述薄膜晶体管阵列基板的制造方法还包括:
[0018]在所述第二绝缘层上形成第一遮光层，其中，所述第一遮光层覆盖所述未掺杂区与所述漏极区之间的轻掺杂区。
[0019]可选的，所述薄膜晶体管阵列基板的制造方法还包括:
[0020]在所述第二绝缘层上形成第二遮光层，其中，所述第二遮光层覆盖所述未掺杂区与所述源极区之间的轻掺杂区。
[0021]可选的，若所述第一遮光层为第二栅极，则在所述第二绝缘层上形成第一遮光层的方法，具体包括:
[0022]在所述第二绝缘层上形成过孔；
[0023]在所述第二绝缘层上形成金属层；
[0024]对所述金属层进行构图，形成所述第二栅极，其中，所述第二栅极通过过孔与所述第一栅极相连接。
[0025]可选的，若所述第二遮光层为第三栅极，则在所述第二绝缘层上形成第二遮光层的方法，具体包括:
[0026]在所述第二绝缘层上形成过孔；
[0027]在所述第二绝缘层上形成金属层；
[0028]对所述金属层进行构图，形成所述第三栅极，其中，所述第三栅极通过过孔与所述第一栅极相连接。
[0029]可选的，所述薄膜晶体管阵列基板的制造方法还包括:
[0030]在所述第一遮光层上形成第三绝缘层。
[0031]可选的，所述薄膜晶体管阵列基板的制造方法还包括:
[0032]在所述基板上形成缓冲层，所述缓冲层与所述基板直接接触，所述缓冲层用于防止所述基板中的杂质进入所述有源层。
[0033]本发明实施例所提供的一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置，薄膜晶体管阵列基板包括基板，设置于基板上的有源层，有源层包括未掺杂区、轻掺杂区、源极区和漏极区，轻掺杂区设置于未掺杂区的两侧，源极区和漏极区设置于轻掺杂区未与未掺杂区接触的一侧，设置于有源层上的第一绝缘层，设置于第一绝缘层上的第一栅极，设置于第一栅极上的第二绝缘层，设置于所述源极区上方、且贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的源极，设置于所述漏极区上方、且贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的漏极，其中，源极与源极区相接触，漏极与漏极区相接触；设置于第二绝缘层上的第一遮光层，其中，第一遮光层覆盖未掺杂区与漏极区之间的轻掺杂区。基于上述实施例的描述，由于LDD (Lightly Doped Drain，轻掺杂漏极)结构能够在沟道中靠近漏极的附近设置一个轻掺杂区让该轻掺杂区也承受部分电压，防止热电子退化效应，而在第二绝缘层上形成了覆盖未掺杂区与漏极区之间的轻掺杂区的第一遮光层，避免了现有技术中LDD结构的轻掺杂区容易漏光而引起的漏电流增大的问题，从而提高了 TFT结构的稳定性。
【附图说明】
[0034]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0035]图1为本发明实施例提供的一种薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；
[0036]图2为本发明实施例提供的一种图1所示的薄膜晶体管阵列基板受到光照时的结构示意图；
[0037]图3为本发明实施例提供的另一种薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；
[0038]图4为本发明实施例提供的一种图3所示的薄膜晶体管阵列基板受到光照时的结构示意图；
[0039]图5为本发明实施例提供的一种图1所示的薄膜晶体管阵列基板的第一遮光层为第二栅极时的结构示意图；
[0040]图6为本发明实施例提供的一种图3所示的薄膜晶体管阵列基板的第一遮光层为第二栅极、第二遮光层为第三栅极时的结构示意图；
[0041]图7为本发明实施例提供的一种包括第三绝缘层的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；
[0042]图8为本发明实施例提供的一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法的流程示意图；
[0043]图9为本发明实施例提供的在缓冲层上形成多晶硅层的流程示意图；
[0044]图10为本发明实施例提供的另一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法的流程示意图。
【具体实施方式】
[0045]下面将结合本发明实施例中的