碱性玻璃中铝、钡、钠等金属杂质的含量较高，在高温处理工艺中容易发生金属杂质的扩散，因此，基板可以优选为无碱玻璃基板。
[0072]S102、在缓冲层上形成多晶硅层。
[0073]示例性的，如图9所示，在缓冲层上形成多晶硅层的方法具体可以包括S201-S203:
[0074]S201、在缓冲层上形成非晶硅薄膜。
[0075]在缓冲层沉积非晶硅薄膜，沉积非晶硅薄膜的方法可以为PECVD、LPCVD, APCVD,ECR-CVD或者溅射等方法，并且，沉积非晶硅薄膜的温度在不大于600°C，即沉积温度600°C或更低温度下。
[0076]S202、采用晶化工艺，将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。
[0077]在缓冲层沉积非晶硅薄膜后，采用晶化工艺，将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。
[0078]其中，采用晶化工艺，将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜的方法，具体包括:
[0079]采用准分子激光晶化工艺、金属诱导晶化工艺、固相晶化工艺中一种或多种的组合，将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。
[0080]需要说明的是，采用不同的晶化工艺，在制作薄膜晶体管时的工艺过程会有所不同，需要根据具体情况增加热处理脱氢、沉积诱导金属、热处理晶化、源漏区的掺杂及掺杂杂质的激活等工艺，本发明实施例采用源漏区的掺杂及掺杂杂质的激活工艺进行说明，对其他方式不做限制。
[0081]S203、米用构图工艺，对多晶娃薄膜进彳丁刻蚀，形成多晶娃层。
[0082]采用晶化工艺，将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜后，采用构图工艺，对多晶硅薄膜进行刻蚀，形成多晶硅层。其中，刻蚀工艺可以为等离子刻蚀、反应离子刻蚀、电感耦合等离子体刻蚀等干法刻蚀方法，刻蚀气体可以为含氟、氯的气体，如CF4、CHF3、SF6、CC12F2气体，也可以为上述气体与02的混合气体。
[0083]S103、在多晶硅层上形成第一绝缘层。
[0084]在多晶硅层上沉积第一绝缘层，沉积第一绝缘层的方法可以为PECVD、LPCVD、APCVD, ECR-CVD或者溅射等方法，并且，第一绝缘层的材料为氧化硅和/或氮化硅，即缓冲层可以为单层的氧化硅、氮化硅、二者的叠层或者二者以一定的比例混合而成的混合物。
[0085]S104、在第一绝缘层上形成第一栅极。
[0086]具体的，在第一绝缘层上形成第一栅极的方法包括:在第一绝缘层上沉积一层金属层，并通过构图工艺对金属层进行刻蚀，形成第一栅极。
[0087]S105、采用离子注入工艺，对多晶硅层进行离子掺杂，形成有源层。
[0088]具体的，本发明实施例中对多晶硅层进行P型离子掺杂，对多晶硅层进行P型离子掺杂的方法包括:在第一绝缘层上形成第一栅极之后，保留第一栅极上的光刻胶，并对多晶硅层进行P型离子重掺杂；去除第一栅极上的光刻胶后，再对多晶硅层进行P型离子轻掺杂，形成有源层，所述有源层包括未掺杂区、轻掺杂区、源极区和漏极区，轻掺杂区设置于未掺杂区的两侧，源极区和漏极区设置于轻掺杂区未与未掺杂区接触的一侧。
[0089]需要说明的是，通过上述对多晶硅层进行P型离子掺杂的方法，能够在有源层内形成LDD结构，即在沟道中靠近漏极的附近设置一个轻掺杂区，让该轻掺杂区也承受部分电压，防止热电子退化效应。
[0090]其中，离子注入工艺可以采用具有质量分析仪的离子注入工艺、不具有质量分析仪的离子云式注入工艺、等离子注入工艺或者固态扩散式注入工艺。本发明不做限制。
[0091]需要补充的是，根据用户需要，在制作薄膜晶体管时，可以采用含硼或者磷元素的气体进行离子注入工艺，例如采用乙硼烷B2H6气体进行离子注入工艺。
[0092]例如，以重量百分比在5 %至15 %范围内的B2H6和重量百分比在85 %至95 %范围内的H2的混合气体作为注入气体，离子注入的能量为10千电子伏至200千电子伏，优选地，离子注入的能量为40千电子伏至100千电子伏。每立方厘米的离子注入剂量为1x1011至1x1020个，优选地，每立方厘米的离子注入剂量为1x1013至8x1015个。
[0093]S106、在第一栅极上形成第二绝缘层。
[0094]在第一栅极上沉积第二绝缘层，沉积第二绝缘层的方法可以为PECVD、LPCVD,APCVD、ECR-CVD或者溅射等方法。
[0095]S107、在第二绝缘层上形成过孔。
[0096]具体的，形成过孔的方法可以选择等离子刻蚀、反应离子刻蚀、电感耦合等离子体刻蚀等干法刻蚀方法，刻蚀气体可以选择含氟、氯的气体，如CF4、CHF3、SF6、CC12F2等气体，或者上述气体与02的混合气体。
[0097]S108、在第二绝缘层上形成金属层。
[0098]S109、对金属层进行构图，形成第二栅极，其中，第二栅极通过过孔与第一栅极相连接。
[0099]需要说明的是，第二栅极与第一栅极的材料相同。
[0100]具体的，第二栅极覆盖所述未掺杂区与所述漏极区之间的轻掺杂区。
[0101]S110、在第二绝缘层和第二栅极上形成第三绝缘层。
[0102]在第二绝缘层和第二栅极上沉积第三绝缘层，沉积第三绝缘层的方法可以为PECVD、LPCVD、APCVD、ECR-CVD 或者溅射等方法。
[0103]S111、在第三绝缘层上形成源极和漏极，其中，源极与源极区相接触，漏极与漏极区相接触。
[0104]具体的，在第三绝缘层上形成源极和漏极的方法具体包括:在第三绝缘层上形成两个过孔，并沉积一层金属层；对金属层进行构图，形成源极和漏极，其中，源极与源极区相接触，漏极与漏极区相接触。
[0105]示例性的，如图10所示，以薄膜晶体管阵列基板包括第一遮光层和第二遮光层，且第一遮光层为第二栅极、第二遮光层为第二栅极为例进行说明，该方法包括:
[0106]S301、在基板上形成缓冲层。
[0107]S302、在缓冲层上形成多晶硅层。
[0108]S303、在多晶硅层上形成第一绝缘层。
[0109]S304、在第一绝缘层上形成第一栅极。
[0110]S305、采用离子注入工艺，对多晶硅层进行离子掺杂，形成有源层。
[0111]其中，所述有源层包括未掺杂区、轻掺杂区、源极区和漏极区，轻掺杂区设置于未掺杂区的两侧，源极区和漏极区设置于轻掺杂区未与未掺杂区接触的一侧。
[0112]S306、在第一栅极上形成第二绝缘层。
[0113]具体的，步骤S301-S306的方法与步骤S101-S106中对应的方法相同，此处不再赘述。
[0114]S307、在第二绝缘层上形成两个过孔。
[0115]具体的，形成过孔的方法可以选择等离子刻蚀、反应离子刻蚀、电感耦合等离子体刻蚀等干法刻蚀方法，刻蚀气体可以选择含氟、氯的气体，如CF4、CHF3、SF6、CC12F2等气体，或者上述气体与02的混合气体。
[0116]S308、在第二绝缘层上形成金属层。
[0117]S309、对金属层进行构图，形成第二栅极和第三栅极，其中，第二栅极通过过孔与第一栅极相连接，第三栅极通过过孔与第一栅极相连接。
[0118]需要说明的是，第二栅极与第一栅极的材料相同。
[0119]具体的，第二栅极覆盖所述未掺杂区与所述漏极区之间的轻掺杂区，第三栅极覆盖所述未掺杂区与所述源极区之间的轻掺杂区。
[0120]S310、在第二绝缘层、第二栅极和第三栅极上形成第三绝缘层。
[0121]在第二绝缘层、第二栅极和第三栅极上沉积第三绝缘层，沉积第三绝缘层的方法可以为PECVD、LPCVD, APCVD, ECR-CVD或者溅射等方法。
[0122]S311、在第三绝缘层上形成源极和漏极，其中，源极与有源