一种阵列基板及其制成方法、显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及其制成方法、显示面板。
【背景技术】
[0002]目前，主流显示面板的薄膜晶体管(英文:thin film transistor，简称:TFT)的刻蚀阻挡层(英文:Etch Stop Layer，简称:ESL)通常采用一氧化娃(分子式:S1)构成。由于在制备S1时需使用含氢的反应气体，故反应生成物中会包括氢，也即刻蚀阻挡层中含有氢。
[0003]然而，由于刻蚀阻挡层含氢，故在刻蚀阻挡层成膜时，如果温度过高，则会导致相邻的沟道层的还原，从而影响TFT的沟道层的质量，如果温度过低，则刻蚀阻挡层的氮含量会相对提高，容易出现孔洞(英文:pin hole)，从而影响刻TFT的蚀阻挡层的成膜质量。所以，为保证TFT的质量，现有的刻蚀阻挡层的成膜要求高，且成膜速率低。
【发明内容】
[0004]本申请提供一种阵列基板及其制成方法、显示面板，能够保证TFT的质量，且提高刻蚀阻挡层的成膜速率。
[0005]本申请第一方面提供一种阵列基板，包括基板和多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括设置在所述基板上的栅极、栅绝缘层、沟道层、蚀刻阻挡层、源极和漏极，所述栅绝缘层叠置在所述栅极和沟道层之间，以将所述栅极和沟道层绝缘，所述蚀刻阻挡层、源极和漏极分别设置在所述沟道层上，且所述刻蚀阻挡层设置在所述源极和漏极之间；其中，所述刻蚀阻挡层为AlN薄膜。
[0006]其中，所述AlN薄膜是利用磁控溅射设备，在铝箱中通入氮气、或包括氩气和氮气的混合气体，溅射形成的。
[0007]其中，所述氩气与氮气的比值为0-90%。
[0008]其中，所述栅绝缘层为AlN薄膜。
[0009]其中所述沟道层由金属氧化物构成。
[0010]本申请第二方面提供一种阵列基板的制成方法，所述方法包括:在基板上形成栅极、栅绝缘层、沟道层，其中，所述栅绝缘层叠置在所述栅极和沟道层之间；在所述沟道层上形成蚀刻阻挡层、源极和漏极，且所述刻蚀阻挡层设置在所述源极和漏极之间，其中，所述蚀刻阻挡层为AlN薄膜。
[0011]其中，所述在所述沟道层上形成蚀刻阻挡层，包括:利用磁控溅射设备，在铝箱中通入氮气、或包括氩气和氮气的混合气体，以在沟道层上溅射形成AlN薄膜。
[0012]其中，所述氩气与氮气的比值为0-90%。
[0013]其中，在AlN薄膜成膜时，所述基板的温度为25摄氏度-300摄氏度。
[0014]本申请第三方面提供一种显示面板，包括上面所述的阵列基板。
[0015]上述方案中，采用AlN薄膜作为阵列基板的TFT的刻蚀阻挡层，由于AlN薄膜不含氢，故在刻蚀阻挡层成膜时，即使温度过高或过低，也不会导致沟道层还原或者刻蚀阻挡层出现孔洞的情况，进而保证了 TFT的质量，而且，在AlN薄膜成膜时无需受到温度限制，降低了成膜要求，且可提高成膜速率。
【附图说明】
[0016]图1是本申请阵列基板一实施方式的结构示意图；
[0017]图2是本申请显示面板一实施方式的结构示意图；
[0018]图3是本申请阵列基板的制成方法一实施方式的流程图。
【具体实施方式】
[0019]以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施方式中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。
[0020]请参阅图1，图1是本申请阵列基板一实施方式的结构示意图。本实施方式中，阵列基板100包括基板110和多个TFT 120 (图1仅示范性示出基板110上的一个TFT120进行说明)。其中，所述基板110可以为玻璃基板或其他绝缘材料构成的透明基板。TFT 120包括设置在所述基板110上的栅极121、栅绝缘层122、沟道层123、源极124、漏极125和刻蚀阻挡层126。所述栅绝缘层122叠置在所述栅极121和沟道层123之间，以将所述栅极121和沟道层123绝缘，所述源极124和漏极125、刻蚀阻挡层126位于同一层，并分别设置在所述沟道层123上且刻蚀阻挡层126设置在源极124和漏极125之间，以间隔源极124和漏极125。当栅极121获得大于或等于开启电压的电压时，沟道层123感应出电子，使源极124和漏极125导通。
[0021]其中，所述刻蚀阻挡层126为氮化铝(化学式:AlN)薄膜。AlN薄膜为良好的绝缘材料，故可对源极124和漏极125间起到很好的绝缘作用。而且，AlN薄膜具有高的击穿场强(如AlN晶体为1.2-1.8MV/cm)、高热导率、高化学和热稳定性、以及在可见光范围可具备90%以上的穿透率等特点。另外，由于AlN薄膜不含氢，故在刻蚀阻挡层成膜时，即使温度过高或过低，也不会导致沟道层还原或者刻蚀阻挡层出现孔洞的情况，进而保证了 TFT的质量，而且，在AlN薄膜成膜时无需受到温度限制，降低了成膜要求，且可提高成膜速率。
[0022]在本实施方式中，所述沟道层123可由金属氧化物构成，例如为铟镓锌氧化物(英文:indium gallium zinc oxide，简称:IGZ0)o
[0023]栅绝缘层121也可为AlN薄膜，由于AlN薄膜不含氢，可避免在阵列基板工作时，栅绝缘层含氢而捕捉或释放电子，使得TFT的阈值电压出现正向或负向漂移，从而保证了TFT的稳定性。
[0024]TFT 120还可包括覆盖在所述源极124和漏极125上的钝化层127。在其他实施方式中，在源极、漏极与钝化层之间还可设置硅化物层，以防止源极、漏极的Cu离子扩散到钝化层。
[0025]在上述结构中，所述栅极121、沟道层123、源极124和漏极125可采用物理气相沉积(英文:Physical Vapor Deposit1n，简称:PVD)生成，上述钝化层127可采用等离子体增强化学气相沉积法(英文:Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n，简称:PECVD)生成。
[0026]上述AlN薄膜可以由感应耦合等离子体(简称:ICP)设备进行刻蚀、或采用PVD如磁控溅射法制备得到。
[0027]在另一实施方式中，AlN薄膜利用磁控溅射设备制备得到。例如，在铝箱(英文:Al Chamber)中通入氮气、或包括氩气和氮气的混合气体，派射形成的。其中，在通入混合气体的实施方式中，所述氩气与氮气的比值为0-90 %，例如比值为O %、45 %或90 %。
[0028]在磁控溅射成膜过程中，基板的温度为25摄氏度-300摄氏度，例如具体为25、85或300摄氏度。故由于制备AlN薄膜如采用磁控溅射制备，无需高温，可在常温下进行，故可避免制备刻蚀阻挡层时对沟道层123的损伤，进而避免对TFT电性造成影响。而且，相对化学气相沉积(英文简称:CVD)，采用PVD制备AlN薄膜的成膜速率更高，产能得到提高。
[0029]在再一实施方式中，阵列基板还可包括