清扫气体。对于可灰化硬掩模(AHM)，He和&被用作沉积载气，而H2被用作后沉积气体。对于氮化硅(SiN)，氨(NH3)和氮分子(N2)被用作沉积载气，而N2用作后沉积气体。对于S1 2，N2O和队被用作沉积载气，而N 2被用作后沉积气体。对于碳氧化硅(S1C)，0)2和He被用作后沉积载气，而CO 2被用作后沉积气体。
[0065]前面的描述在本质上仅仅是说明性的并且不意在以任何方式限制本公开、其应用或用途。本公开的广泛教导可以以各种形式来实现。因此，虽然本公开包括特定实施例，但本公开的真正范围不应被如此限制，因为在研究了附图、说明书和随附权利要求后，其它的修改方案将变得显而易见。如本文中所使用的短语“A，B和C中的至少一个”应当解释为是指使用非排他性的逻辑“或”的逻辑(A或B或C)，并且不应当被解释为是指“至少一个A、至少一个B和至少一个C”。应该理解的是，方法中的一个或多个步骤在不改变本发明原理的情况下可以以不同的顺序(或同时)执行。
[0066]在一些实现方案中，控制器是系统的一部分，系统可以是上述实施例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、一个或多个用于处理的平台、和/或特定的处理部件(晶片基座、气体流动系统等)。这些系统可与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、之中以及之后控制它们的操作的电子器件集成。电子器件可指“控制器”，控制器可控制一或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型，控制器可被编程以控制此处所公开的任何工艺，包括工艺气体的输送、温度设置(例如，加热和/或冷却)、压强设置、真空设置、功率设置、射频(RF)发生器设置、RF匹配电路设置、频率设置、流率设置、流体输送设置、定位和操作设置、进出工具和其他传送工具和/或连接到或与具体系统交接的装载锁的晶片传送。
[0067]广义地说，控制器可被定义为接收指令、发布指令、控制操作、实现清洁操作、实现端点测量等的具有多种集成电路、逻辑、存储器和/或软件的电子器件。集成电路可包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(DSP)、限定为专用集成电路(ASIC)的芯片、和/或一或多个微处理器、或执行程序指令(例如，软件)的微控制器。程序指令可以是以多种个体设置(或程序文件)的形式与控制器通信、定义用于在半导体晶片上或为半导体晶片或者对系统执行特定工艺的操作参数的指令。在一些实施方式中，操作参数可以是配方的组成部分，配方由工艺工程师定义以在一或多个层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的裸片的制造过程中完成一或多个处理步骤。
[0068]在一些实施方式中，控制器可以是计算机的组成部分或耦合到计算机，计算机与该系统集成或耦合到该系统、或者以其它方式网络连接到该系统、或者它们的组合。例如，控制器可在“云”中或者是工厂(fab)主机计算机系统的整体或组成部分，可允许远程访问晶片处理。计算机可实现对该系统的远程访问以监控制造操作的当前进程、检查过去的制造操作的历史、检查来自多个制造操作的趋势或性能指标，以改变当前处理的参数，以设置处理步骤从而跟随当前处理，或者以开始新的工艺。在一些实施例中，远程计算机(例如，服务器)可通过网络提供工艺配方给系统，网络可包括局域网或互联网。远程计算机可包括实现参数和/或设置的输入或编程的用户界面，参数和/或设置接着从远程计算机被传送给该系统。在一些实施例中，控制器接收数据形式的指令，所述数据指明要在一或多个操作期间执行的处理步骤中的每一个处理步骤的参数。应当理解，所述参数针对待执行的工艺的类型和工具的类型可以是特定的，控制器被配置为与所述工具交接或控制所述类型工具。因此，如前所述，控制器可以是分布式的，比如包括被网络连接在一起且为共同目的(比如本文所述的工艺和控制)工作的一或多个分立控制器。为这种目的的分布式控制器的示例可以是在与位于远程的(比如在平台层面或者作为远程计算机的组成部分)一或多个集成电路通信的室上的一或多个集成电路，其结合来控制该室上的工艺。
[0069]在不具限制的情况下，示例系统可包括等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角蚀刻室或模块、物理气相沉积(PVD)室或模块、化学气相沉积(CVD)室或模块、原子层沉积(ALD)室或模块、原子层蚀刻(ALE)室或模块、离子注入室或模块、跟踪室或模块、以及可与半导体晶片的制造和/或生产相关联或者在半导体晶片的制造和/或生产中使用的任何其他半导体处理系统。
[0070]如前所述，根据待由工具执行的一或多个工艺步骤，控制器可与其他工具电路或模块、其他工具部件，群簇工具，其他工具接口，相邻工具，邻近工具，纵贯工厂、主机、另一控制器分布的工具、或者在带着晶片容器往来于半导体制造工厂中的工具位置和/或装载端口的材料运输中使用的工具中的一或多个通信。
【主权项】
1.一种衬底处理系统，其包括: 处理室； 设置在所述处理室内的上电极； 设置在所述处理室内的基座，其中，所述基座被配置成在处理期间支撑衬底，且其中所述基座包括下电极； RF产生系统，其被配置成通过提供RF电压到所述上电极和所述下电极中的一个而在所述处理室内在所述上电极和所述下电极之间产生RF等离子体； 偏置产生电路，其被配置为选择性地提供DC偏置电压到所述上电极和所述下电极中的一个， 其中，所述DC偏置电压的开始初始化所述RF等离子体熄灭前的第一预定时间段以及所述RF等离子体熄灭后的第二预定时间段中的一个；以及 衬底移动系统，其被配置为在所述DC偏置电压产生的同时相对于所述基座移动所述衬底。2.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述偏置产生电路包括: DC电压源；和 与所述DC电压源通信并且被配置为产生所述DC偏置电压的同步电路。3.根据权利要求2所述的衬底处理系统，其中所述偏置产生电路还包括低通滤波器，该低通滤波器被配置成过滤所述同步电路的输出并具有与所述上电极和下电极中的一个通信的输出。4.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述衬底移动系统包括被配置成相对于所述基座移动所述衬底的机械手。5.一种衬底处理工具，其包括: N个反应器，每个反应器包括多个根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中N是大于零的整数， 其中，所述衬底移动系统包括换位机构，该换位机构被配置成在所述DC偏置电压产生时将所述衬底在所述N个反应器中的至少一个反应器的多个所述衬底处理系统之间换位。6.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中，所述DC偏置电压和所述RF电压两者都被连接到所述上电极和所述下电极中的一个。7.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中，所述偏置产生电路在所述RF等离子体熄灭之前产生所述DC偏置电压并且在后续的RF等离子体被激励之前结束所述DC偏置电压。8.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中，所述偏置产生电路在所述RF等离子体熄灭之后产生所述DC偏置电压并且在后续的RF等离子体被激励之前结束所述DC偏置电压。9.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中，所述偏置产生电路连续地产生所述DC偏置电压，但不包括所述RF等离子体被激励时的时间段。10.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述RF产生系统包括: RF发生器，其用以产生所述RF电压；和 匹配和分配网络，其与所述上电极和所述下电极中的所述一个以及所述RF发生器通?目O11.一种衬底处理系统，其包括: 处理室； 设置在所述处理室内的上电极； 设置在所述处理室内的基座，其中，所述基座被配置成支撑衬底，且其中所述基座包括下电极； RF产生系统，其被配置成通过提供RF电压到所述上电极而在所述处理室内在所述上电极和所述下电极之间产生RF等离子体； 偏置产生电路，其被配置为选择性地通过提供DC偏置电压到所述上电极开始在所述RF电压结束前的第一预定时间段以及在所述RF电压后的第二预定时间段中的一个。12.根据权利要求11所述的衬底处理系统，其中，所述偏置产生电路包括: DC电压源；和 与所述DC电压源通信并且被配置为产生所述DC偏置电压的同步电路。13.根据权利要求12所述的衬底处理系统，其中所述偏置产生电路还包括低通滤波器，该低通滤波器被配置成过滤所述同步电路的输出并具有与所述上电极通信的输出。14.根据权利要求11所述的衬底处理系统，其进一步包括衬底移动系统，所述衬底移动系统被配置成在所述DC偏置电压产生时相对于所述基座移动所述衬底。15.根据权利要求11所述的衬底处理系统，其进一步包括机械手，所述机械手被配置成相对于所