一种发光二极管制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及发光二极管(英文Light Emitting D1de，简称LED)领域，特别涉及一种发光二极管制备方法。
【背景技术】
[0002]LED因高亮度、低热量、长寿命、无毒、可回收再利用等优点，被称为是21世纪最有发展前景的绿色照明光源。AlGaInP LED作为LED中的重要类别，其在黄绿、橙色、橙红色、红色波段性能优越，在全色显示、交通信号灯、城市亮化工程等领域具有广阔的应用前景。
[0003]在AlGaInP LED制作过程中，当PN电极制作完成后，需要采用刀片切割的方法实现芯粒的分离。上述采用刀片切割的方法实现芯粒的分离具体可以包括:采用刀片切割机在LED的正面(P电极一面)进行半切形成切割道，半切完成后对LED进行光电测试，在光电测试后沿所述切割道进行透切实现芯粒分离。
[0004]在上述半切的过程中，为保证切割质量，刀片切割机的刀片行进速度不能太快，限制了切割效率。
【发明内容】
[0005]为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种发光二极管制备方法。所述技术方案如下:
[0006]本发明实施例提供了一种发光二极管制备方法，所述方法包括:
[0007]提供一衬底；
[0008]在所述衬底上制作外延结构，得到发光二极管外延片；
[0009]在所述外延结构的表面制作P电极，在所述衬底的底面制作N电极；
[0010]采用刻蚀工艺在所述外延结构上制作出切割道图形，所述切割道图形包括矩形网格状凹槽，所述切割道图形将所述发光二极管外延片划分为多个区域，所述发光二极管外延片的一个区域为一个待切割的发光二极管芯粒。
[0011]在本发明实施例的一种实现方式中，所述矩形网格状凹槽中每条凹槽的宽度为10-20微米。
[0012]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述矩形网格状凹槽中每条凹槽的深度为15-30微米。
[0013]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述采用刻蚀工艺在所述外延结构上制作出切割道图形，包括:
[0014]在所述外延结构上涂布光刻胶；
[0015]采用曝光显影工艺形成切割道胶层图形；
[0016]采用干法刻蚀工艺，在光刻胶未覆盖区域形成凹槽，得到所述切割道图形。
[0017]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述方法还包括:
[0018]对所述待切割的发光二极管芯粒进行光电测试。
[0019]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述方法还包括:
[0020]采用激光划片机在所述发光二极管外延片的N电极一面，划出与所述切割道图形对应的划道。
[0021]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述方法还包括:
[0022]采用刀片切割机所述划道对所述发光二极管外延片进行透切，将所述发光二极管外延片分为多个发光二极管芯粒。
[0023]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述采用刀片切割机沿所述划道对所述发光二极管外延片进行透切，包括:
[0024]将所述发光二极管外延片的P电极一面贴于蓝膜上；
[0025]采用刀片切割机沿所述划道对所述发光二极管外延片进行透切。
[0026]本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
[0027]本发明通过在外延结构和PN电极制成后，采用刻蚀工艺在外延结构上制作切割道图形，与传统工艺中采用刀片切割机半切的切割道相比，无需采用刀片切割机进行半切，减少了刀片切割机的数量需求，节省了成本，且采用刻蚀工艺制作切割道图形，效率更高。
【附图说明】
[0028]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1是本发明实施例提供的一种发光二极管制备方法的流程图；
[0030]图2是本发明实施例提供的另一种发光二极管制备方法的流程图；
[0031]图2a是发光二极管在制备过程中的结构示意图；
[0032]图2b是发光二极管在制备过程中的结构示意图；
[0033]图2c是发光二极管在制备过程中的结构示意图；
[0034]图2d是发光二极管在制备过程中的结构示意图；
[0035]图2e是发光二极管在制备过程中的结构示意图。
【具体实施方式】
[0036]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
[0037]图1是本发明实施例提供的一种发光二极管制备方法的流程图，参见图1，方法包括:
[0038]步骤101:提供一衬底。
[0039]步骤102:在衬底上制作外延结构，得到发光二极管外延片。
[0040]步骤103:在外延结构的表面制作P电极，在衬底的底面制作N电极。
[0041]步骤104:采用刻蚀工艺在外延结构上制作出切割道图形，切割道图形包括矩形网格状凹槽，切割道图形将发光二极管外延片划分为多个区域，发光二极管外延片的一个区域为一个待切割的发光二极管芯粒。
[0042]本发明通过在外延结构和PN电极制成后，采用刻蚀工艺在外延结构上制作切割道图形，与传统工艺中采用刀片切割机半切的切割道相比，无需采用刀片切割机进行半切，减少了刀片切割机的数量需求，节省了成本，且采用刻蚀工艺制作切割道图形，效率更高。
[0043]图2是本发明实施例提供的另一种发光二极管制备方法的流程图，适用于AlGaInP红黄光发光二极管，参见图2，方法包括:
[0044]步骤201:提供一衬底。
[0045]具体地，衬底可以是GaAs衬底。
[0046]步骤202:在衬底上制作外延结构，得到发光二极管外延片。
[0047]如图2a所不，在衬底21表面生长一外延结构22，外延结构22可以包括缓冲层、N型层、发光层和P型层等，当然外延结构22也可以包括更多或者更少的膜层。
[0048]其中，外延结构采用MOCVD(金属有机化合物化学气相沉淀)工艺进行生长。
[0049]步骤203:在外延结构的表面制作P电极，在衬底的底面制作N电极。
[0050]如图2b所示，在发光二极管外延片的正面(即外延结构22的一面)制作P电极23，在发光二极管外延片的背面(即衬底21的一