一种显示面板及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制造方法。
【背景技术】
[0002]在当前显示技术领域中，COA(Color Filter on Array)技术发展迅速，COA即将彩色光阻制作于TFT基板上的工艺技术，采用该工艺技术不会产生像素与彩色光阻的对位误差，而且能够降低寄生电容，且显示面板可具有较高的分辨率和像素开口率。
[0003]请参阅图1，图1是采用当前COA工艺制得的显示面板的结构示意图。现有技术是在基板11上依次形成栅极12和公共电极13、第一绝缘层14、沟道15、源极/漏极16、彩色光阻17，最后再形成像素电极18，其中彩色光阻增大了公共电极13和像素电极18所形成存储电容的极板间距，从而导致该显示面板100中的存储电容很小，而存储电容用于保持像素电极18的电压在预定时间内维持固定值，若存储电容过小，则像素电极18上用于维持电压的电荷会快速泄露，导致像素电极18上的电压过早降低，影响显示面板100的显示效果O
【发明内容】
[0004]本发明主要解决现有COA工艺制得的显示面板中存储电容极板间距较大导致像素电极容易漏电的技术问题。
[0005]为解决上述技术问题，本发明提出一种显示面板的制造方法，该方法包括步骤:提供一基板，在基板上形成源极、漏极和沟道；在基板上沉积第一绝缘层；在第一绝缘层上形成间隔设置的多个彩色光阻，且使得源极、漏极和沟道位于两个相邻的彩色光阻之间；由同一道制程形成栅极和公共电极，且使得栅极形成于两个相邻的彩色光阻之间的第一绝缘层上，公共电极形成于彩色光阻上；在栅极和公共电极上形成第二绝缘层，第二绝缘层具有一连通源极的通孔；在第二绝缘层上形成像素电极，像素电极通过通孔与源极接触，像素电极进一步与公共电极形成存储电容。
[0006]其中，形成间隔设置的多个彩色光阻的步骤包括:形成多个红色光阻、蓝色光阻以及绿色光阻，且在基板上以红色光阻、绿色光阻以及蓝色光阻的顺序依次排列。
[0007]其中，在基板上形成源极、漏极以及沟道的步骤进一步包括:由同一道制程在基板上形成间隔的源极和漏极；在源极和漏极之间形成沟道，且使得沟道连接源极和漏极。
[0008]其中，由同一道制程在基板上形成间隔的源极和漏极的步骤之前进一步包括步骤:在基板上形成黑矩阵；由同一制程在基板上形成间隔的源极和漏极的步骤包括:由同一制程在黑矩阵上形成间隔的源极和漏极。
[0009]其中，在基板上形成源极、漏极以及沟道的步骤进一步包括:在基板上依次形成半导体层和金属层；通过光罩制程使金属层形成源极和漏极，使半导体层形成沟道，且源极和漏极间隔位于沟道上，沟道连接源极和漏极。
[0010]为解决上述技术问题，本发明还提出一种显示面板，其包括设置有源极、漏极和沟道的基板，第一绝缘层，多个彩色光阻，栅极，公共电极，第二绝缘层以及像素电极；其中，第一绝缘层沉积在基板上；多个彩色光阻形成于第一绝缘层上，且间隔设置，源极、漏极和沟道位于两个相邻的彩色光阻之间；栅极和公共电极由同一道制程形成，且栅极位于两个相邻的彩色光阻之间的第一绝缘层上，公共电极位于彩色光阻上；第二绝缘层形成于栅极和公共电极上，且第二绝缘层具有一连通源极的通孔；像素电极形成于第二绝缘层上，像素电极通过通孔与源极接触，像素电极进一步与公共电极形成存储电容。
[0011]其中，彩色光阻包括在基板上依次排列的红色光阻、绿色光阻以及蓝色光阻。
[0012]其中，源极和漏极由同一道制程间隔形成于基板上，沟道形成于源极和漏极之间，且沟道连接源极和漏极。
[0013]其中，显示面板进一步包括黑矩阵，黑矩阵形成在基板上，源极和漏极间隔形成在黑矩阵上。
[0014]其中，沟道位于基板上，源极和漏极间隔位于沟道上，沟道连接源极和漏极。
[0015]本发明的有益效果是，区别于现有技术，本发明显示面板的制造方法包括步骤，提供一基板，在基板上形成源极、漏极和沟道；在该基板上沉积第一绝缘层；在该绝缘层上形成间隔设置的多个彩色光阻，且源极、漏极和沟道位于两个相邻的彩色光阻之间，使得与后续形成的栅极构成TFT单元；同一道制程形成栅极和公共电极，栅极在两个相邻彩色光阻之间的第一绝缘层上，公共电极在彩色光阻上，在栅极和公共电极上形成第二绝缘层，该第二绝缘层具有连通源极的通孔；在第二绝缘层上形成像素电极，像素电极通过上述通孔与源极接触，且像素电极与公共电极形成存储电容，两者之间由第二绝缘层阻隔，第二绝缘层厚度小于彩色光阻层厚度，因此由本发明的制造方法得到显示面板的存储电容的极板间距相较于现有技术有所减小，由此采用COA工艺的显示面板的存储电容增大，改善了像素电极的漏电问题，提高显示面板的显示效果。
【附图说明】
[0016]图1是采用当前COA工艺制得的显示面板的结构示意图；
[0017]图2是本发明显示面板的制造方法第一实施方式的流程示意图；
[0018]图3是图2所示制造方法第一实施方式制得显示面板的结构示意图；
[0019]图4是本发明显示面板的制造方法第二实施方式的流程示意图；
[0020]图5是图4所示制造方法第二实施方式制得显示面板的结构示意图；
[0021]图6是本发明显示面板的制造方法第三实施方式的流程示意图；
[0022]图7是图6所示制造方法第三实施方式制得显示面板的结构示意图。
【具体实施方式】
[0023]参阅图2和图3，图2是本发明显示面板的制造方法第一实施方式的流程示意图，图3是图2所示制造方法第一实施方式制得的显示面板的结构示意图。制造方法第一实施方式制得显示面板300，该第一实施方式包括以下步骤。
[0024]S201:提供一基板。
[0025]—般来说该基板30由玻璃等透光材料制成。
[0026]S202:在基板上形成源极、漏极和沟道。
[0027]基板30上形成有源极310、漏极311和沟道33。源极310和漏极311通过沟道33导通，电子空穴对在沟道33中流动形成电流。
[0028]在本步骤S202中可以使沟道33为更靠近基板30的层，也可使源极310和漏极311为更靠近基板30的层，本实施方式中选择使源极310和漏极311为更靠近基板30的层，即首先在基板30上形成源极310和漏极311。
[0029]具体来说，形成源极310和漏极311的步骤是:首先沉积一金属层，该金属层可以为Mo/Al复合材料或Mo/Cu复合材料，也可根据制程导电等要求选择其他材料；然后对该金属层采用光罩制程，以形成源极310和漏极311，由于源极310和漏极311在基板的同一方向上延伸，因此本实施方式中源极310和漏极311是由同一道制程形成的。
[0030]沟道33形成的步骤则是:首先沉积一半导体层，该半导体层选择a-S1:H即氢化非晶硅，然后对该半导体层采用光罩制程，以在源极310和漏极311之间形成沟道33，该沟道33连接源极310和漏极311。
[0031]本实施方式中的沟道33相较于图1中的沟道15更薄。由于在图1中，先形成沟道15，然后在沟道15上沉积一金属层，在光罩制程中对该金属层进行刻蚀，为了使源极/漏极16之间的间隔区域没有残余，需要过刻至沟道15，即沟道15也需要被刻蚀一部分，若过刻后的沟道15太薄，会对源极/漏极16之间的导通产生一定的影响，因此对比文件I中沟道15需要有一定的厚度。而本实施方式中是先形成源极310和漏极311，因此不存在图1中的问题，沟道33可设置的更薄。而较薄沟道33的设计有利于减少半导体层的沉积时间，同时提高了电学特性。本实施方式中所采用的是a1-S1:H即氢化非晶硅，而该物质对光较为敏感，容易受光照影响产生电子空穴对，在外界电场作用下形成电流，造成光漏电，若沟道33过厚，则光漏电将增大，电学特性较差，而本实施方式中，沟道33较薄，则可减少光照的影响，从而改善光漏电的情况，增强电学特性。
[0032]源极310和漏极311通过沟道33导通，源极310和漏极311均需要与沟道33接触，为了降低金属与半导体之间的接触电阻，在源极310、漏极3