11与沟道33接触的部分还设置有欧姆接触层32，该欧姆接触层32为掺杂的非晶硅薄膜。
[0033]上述金属层的沉积采用物理气相沉积中的Sputter方式，Sputter方式是以特定的溅射靶材作为材料源，使用正离子在电场的作用下高速轰击靶材，溢出的靶材原子和分子在基板30表面沉积，从而得到金属层，该方式沉积速度快，且与基板30的结合性能好，由于金属层的材料容易制成靶材，因此本实施方式中采用Sputter的方式进行沉积。
[0034]上述半导体层的沉积则采用化学气相沉积中的PECVD方式，该方式是借助微波或射频使半导体的原子气体电离，在局部形成等离子体，等离子体化学活性较强，容易沉积出薄膜。该方法更适用于非金属材料的沉积。
[0035]上述光罩制程则具体包括涂布光阻、曝光、显影、刻蚀，去光阻等步骤。针对不同材料的光罩制程，其不同之处在于涂布光阻工序中光阻材料的选择，显影工序中显影液的选择等。光罩制程采用本技术领域的常规手段，具体不做赘述。
[0036]S203:在基板上沉积第一绝缘层。
[0037]该第一绝缘层34为TFT栅极绝缘层，为了保证TFT的电学特性，对于该第一绝缘层34的要求较高，因此本实施方式中利用两次沉积得到该第一绝缘层34，且选择氮化硅作为第一绝缘层34的材料，沉积方式为PECVD方式，首先第一次慢速沉积得到较薄的氮化硅层，慢速可以使的氮化硅与沟道33之间形成较好的界面，第二次快速沉积得到较厚的氮化硅层，由此形成第一绝缘层34。
[0038]S204:在第一绝缘层上形成间隔设置的多个彩色光阻。
[0039]本实施方式中采用红绿蓝三原色实现一个像素点的显示，该步骤S204中间隔设置多个彩色光阻35包括红色光阻、绿色光阻和蓝色光阻，且在基板30上以红色光阻、绿色光阻和蓝色光阻的顺序依次排列，其他实施方式中也可以其他顺序排列。
[0040]由于红色光阻、蓝色光阻和绿色光阻的形成所采用的材料均不同，因此本步骤S204中采用三次重复的光罩制程分别得到以上三个光阻。
[0041]在形成彩色光阻35后，还需要形成栅极36以与源极310、漏极311构成TFT，因此在光罩制程形成间隔设置的彩色光阻35时，还需使得源极310、漏极311和沟道33位于两个相邻的彩色光阻35之间。
[0042]S205:同一道制程形成栅极和公共电极。
[0043]由于基板30上栅极36和公共电极37在同一方向延伸，且两者材料相同，因此也是采用同一道制程形成。与源极310和漏极311的形成方式相同，也是采用Sputter方式沉积金属层，且金属层可选用Mo/Al、或Mo/Cu等材料，然后对该金属层采用光罩制程得到栅极36和公共电极37，其中栅极36在两个相邻彩色光阻35之间的第一绝缘层34上，公共电极37在彩色光阻35上。本步骤S205完成后栅极35、源极310、漏极311和沟道33构成了 TFT。
[0044]S206:在栅极和公共电极上形成第二绝缘层。
[0045]本步骤S206中所形成的第二绝缘层38具有一连通源极310的通孔381。本实施方式中也是采用致密性较好的氮化硅材料，首先通过PECVD方式沉积一氮化硅层，然后通过光罩制程形成通孔381。
[0046]S207:在第二绝缘层上形成像素电极。
[0047]本实施方式中，在第二绝缘层38利用Sputter方式沉积一导电层，该导电层为ITO材料，然后经光罩制程得到像素电极39，该像素电极39通过通孔381与源极310接触，使得源极31的电位传至像素电极39。该步骤S207完成后，像素电极39与公共电极37之间则形成存储电容，像素电极39与公共电极37之间间隔一第二绝缘层38，即该存储电容极板间距较小，因此存储电容较大，继而提高显示面板300的显示效果。
[0048]请参阅图4和图5，图4是本发明显示面板的制造方法第二实施方式的流程示意图，图5是图4所示制造方法第二实施方式制得的显示面板的结构示意图。制造方法的第二实施方式制得显示面板500，该第二实施方式包括以下步骤。
[0049]S401:提供一基板。
[0050]S402:在基板上形成黑矩阵。
[0051]S403:同一制程在黑矩阵上形成间隔的源极和漏极。
[0052]S404:在源极和漏极之间形成沟道。
[0053]S405:在基板上沉积第一绝缘层。
[0054]S406:在第一绝缘层上形成间隔设置的多个彩色光阻。
[0055]S407:同一道制程形成栅极和公共电极。
[0056]S408:在栅极和公共电极上形成第二绝缘层。
[0057]S409:在第二绝缘层上形成像素电极。
[0058]本第二实施方式与第一实施方式的不同在于步骤S402和步骤S403，其他步骤均类似，对于相同的步骤在此不再赘述。
[0059]对于步骤S402，由于第一实施方式中沟道33形成于源极310和漏极311之间，即源极310和漏极311间隔处的沟道33是直接形成在基板30上的，而基板30为透明基板，在显示面板300工作时，背光模组产生的光会对基板30上的沟道33产生影响，如步骤S202中所描述的，容易发生光漏电现象，从而影响电学特性。因此本实施方式步骤S402中在基板51上先涂布一层黑矩阵52，以实现遮光作用，然后再分别形成源极530和漏极531。
[0060]对于步骤S403，在黑矩阵52上形成间隔的源极530和漏极531。由于构成黑矩阵52的有机材料容易对金属制得的源极530和漏极531造成污染，因此黑矩阵52与源极530、漏极531之间还设置有一介电绝缘层(图未示)，该介电绝缘层可选用氧化硅或氮化硅，由于氮化硅致密性较好，因此优先选择氮化硅。
[0061]请参阅图6和图7，图6是本发明显示面板的制造方法第三实施方式的流程示意图，图7是图6所示制造方法第三实施方式制得的显示面板的结构示意图。制造方法的第三实施方式制得显示面板700，该第三实施方式包括以下步骤。
[0062]S601:提供一基板。
[0063]S602:在基板上依次形成半导体层和金属层。
[0064]S603:通过光罩制程使金属层形成源极和漏极，使半导体层形成沟道。
[0065]S604:在基板上沉积第一绝缘层。
[0066]S605:在第一绝缘层上形成间隔设置的多个彩色光阻。
[0067]S606:同一道制程形成栅极和公共电极。
[0068]S607:在栅极和公共电极上形成第二绝缘层。
[0069]S608:在第二绝缘层上形成像素电极。
[0070]本实施方式与第一实施方式的不同在于步骤S602和步骤S603，其他类似的步骤具体不再赘述。
[0071]步骤S602和步骤S603对应于第一实施方式中的步骤S202，本实施方式中选择使沟道71为更靠近基板70的层。
[0072]具体来说首先在步骤S602中依次形成半导体层和金属层，然后在步骤S603中通过光罩制程一次得到源极730、漏极731和沟道71，该光罩制程中的光罩采用GTM (GrayTone Mask，灰阶光罩)、HTM(Half Tone Mask，半色调光罩)或 SSM(Single Slit Mask，狭缝光罩)等特殊光罩，因此可以一次形成源极730、漏极730和沟道71，相比于第一实施方式减去了一次光罩制程。在显影工序后，再分别通过湿刻蚀来刻蚀金属层以得到源极730和漏极730，通过干刻蚀来刻蚀半导体层以得到沟道71。
[0073]由于本实施方式中沟道71直接形成在基板70上，因此与第二实施方式相同，也可在沟道71和基板70之间形成一黑矩阵。
[0074]区别于现有技术，本发明显示面板的制造方法包括步骤，提供一基板，在基板上形成源极、漏极和沟道；在该基板上沉积第一绝缘层；在该绝缘层上形成间隔设置的多个彩色光阻，且源极、漏极和沟道位于两个相邻的彩色光阻之间，使得与后续形成的栅极构成TFT单元；同一道制程形成栅极和公共电极，栅极在两个相邻彩色光阻之间的第一绝缘层上，公共电极在彩色光阻上，在栅极和公共电极上形成第二绝缘层，