Tsv电镀工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种电镀工艺，尤其是一种TSV电镀工艺，具体的地说是一种能降低CMP成本的电镀工艺，属于TSV的技术领域。
【背景技术】
[0002]目前，TSV (Through Silicon Vias)垂直互连技术在微电子封装领域的运用已经越来越广泛，成本问题是限制该技术大量应用的一个很大的障碍。TSV电镀铜填孔技术是TSV制程中必不可少的工艺，TSV电镀完成后晶圆表面会形成一层过电镀铜层，需要通过CMP (化学机械抛光)工艺去除，过电镀铜层越厚，CMP成本越高。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种TSV电镀工艺，其操作方便，能有效实现对晶圆的退镀，减小过电镀铜层的厚度，降低CMP成本，安全可靠。
[0004]按照本发明提供的技术方案，一种TSV电镀工艺，所述TSV电镀工艺包括如下步骤:
a、提供待电镀填充的晶圆，并对所述晶圆进行所需的TSV电镀填充；
b、对电镀填充后的晶圆，在所述晶圆上施加与TSV电镀填充时相反的退镀电流，以降低电镀填充晶圆上过电镀铜层的厚度。
[0005]在对晶圆进行TSV电镀填充后，取出并进行清洗，以去除晶圆表面上吸附的添加剂。
[0006]在对晶圆清洗后，再将所述晶圆置入电镀槽内，施加在晶圆上退镀电流的电流密度为 0.1ASD~3ASD。
[0007]对步骤b得到的晶圆，采用CMP去除晶圆表面上的过电镀铜层。
[0008]本发明的优点:在利用TSV电镀对晶圆进行电镀填充后，再施加与TSV电镀时电流方向相反的退镀电流，利用退镀电流进行均匀退镀，降低过电镀铜层的厚度，即保证晶圆的TSV填充目的，又能将过电镀铜层的厚度尽可能减小，有效降低CMP成本的目的，适应范围广，安全可靠。
【附图说明】
[0009]图1为本发明电镀时电流方向与时间的关系示意图。
【具体实施方式】
[0010]下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。
[0011]如图1所示:为了能有效实现对晶圆的退镀，减小过电镀铜层的厚度，降低CMP成本，本发明如下步骤:
a、提供待电镀填充的晶圆，并对所述晶圆进行所需的TSV电镀填充； 本发明实施例中，对提供晶圆进行常规的TSV电镀填充，具体实施过程以及工艺参数均为本技术领域人员所熟知。在进行TSV电镀填充后，在晶圆表面会形成一层过电镀铜层。为了降低所述过电镀铜层的厚度，降低CMP成本，需要将TSV电镀填充后的晶圆从电镀槽中取出，并利用清水进行清洗，以去除晶圆表面吸附的添加剂。所述添加剂的类型与种类均为本技术领域人员所熟知，此处不再列举。
[0012]b、对电镀填充后的晶圆，在所述晶圆上施加与TSV电镀填充时相反的退镀电流，以降低电镀填充晶圆上过电镀铜层的厚度。
[0013]本发明实施例中，在对晶圆清洗后，再将所述晶圆置入电链槽内，施加在晶圆上退镀电流的电流密度为0.1ASD~3ASD。所述退镀电流的方向与进行TSV电镀填充的电流方向相反，如图1中所示。图1中，0~时间Tl的过程为进行TSV电镀填充的过程，在时间!1~时间T2时，为施加退镀电流的阶段。施加退镀电流的时间可以根据TSV电镀填充的时间、退镀电流的大小等工艺参数确定，施加退镀电流时可以为一次或多次，以不影响晶圆内通孔填充的效果为准，即要保证晶圆内通孔的填满。
[0014]对步骤b得到的晶圆，采用CMP去除晶圆表面上的过电镀铜层。由于晶圆表面上的过电镀铜层经过退镀电流作用后厚度降低，再通过CMP去除剩余的电镀铜层，CMP去除铜层的过程为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。
[0015]本发明在利用TSV电镀对晶圆进行电镀填充后，再施加与TSV电镀时电流方向相反的退镀电流，利用退镀电流进行均匀退镀，降低过电镀铜层的厚度，即保证晶圆的TSV填充目的，又能将过电镀铜层的厚度尽可能减小，有效降低CMP成本的目的，适应范围广，安全可靠。
【主权项】
1.一种TSV电镀工艺，其特征是，所述TSV电镀工艺包括如下步骤: (a)、提供待电镀填充的晶圆，并对所述晶圆进行所需的TSV电镀填充； (b)、对电镀填充后的晶圆，在所述晶圆上施加与TSV电镀填充时相反的退镀电流，以降低电镀填充晶圆上过电镀铜层的厚度。2.根据权利要求1所述的TSV电镀工艺，其特征是:在对晶圆进行TSV电镀填充后，取出并进行清洗，以去除晶圆表面上吸附的添加剂。3.根据权利要求2所述的TSV电镀工艺，其特征是:在对晶圆清洗后，再将所述晶圆置入电镀槽内，施加在晶圆上退镀电流的电流密度为0.1ASD~3ASD。4.根据权利要求1所述的TSV电镀工艺，其特征是:对步骤(b)得到的晶圆，采用CMP去除晶圆表面上的过电镀铜层。
【专利摘要】本发明涉及一种电镀工艺，尤其是一种TSV电镀工艺，具体的地说是一种能降低CMP成本的电镀工艺，属于TSV的技术领域。按照本发明提供的技术方案，一种TSV电镀工艺，所述TSV电镀工艺包括如下步骤：a、提供待电镀填充的晶圆，并对所述晶圆进行所需的TSV电镀填充；b、对电镀填充后的晶圆，在所述晶圆上施加与TSV电镀填充时相反的退镀电流，以降低电镀填充晶圆上过电镀铜层的厚度。本发明在利用TSV电镀对晶圆进行电镀填充后，再施加与TSV电镀时电流方向相反的退镀电流，利用退镀电流进行均匀退镀，降低过电镀铜层的厚度，即保证晶圆的TSV填充目的，又能将过电镀铜层的厚度尽可能减小，有效降低CMP成本的目的，适应范围广，安全可靠。
【IPC分类】H01L21/768, C25D7/12, C25D5/48
【公开号】CN105206563
【申请号】CN201510514469
【发明人】程万, 伍恒, 李恒甫, 王宏杰, 李祥
【申请人】华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年8月20日